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前10年一直在消費(fèi)電子領(lǐng)域沖浪的氮化鎵（GaN）技術(shù)不斷創(chuàng)新發(fā)展，近兩年來逐漸在汽車、數(shù)據(jù)通信以及其他工業(yè)應(yīng)用等行業(yè)嶄露頭角。lktesmc

氮化鎵應(yīng)用不斷擴(kuò)充

消費(fèi)領(lǐng)域一直是原始設(shè)備制造商（OEM）采用GaN的主要驅(qū)動(dòng)力，其中電力設(shè)備市場為主流市場，快速充電器為主要應(yīng)用，此外還包括一些音頻設(shè)備等。借助GaN，智能手機(jī)制造商可以制造尺寸更小且性價(jià)比更高的充電器。lktesmc

目前市場上大多數(shù)基于GaN的充電器都在65W左右或以下，業(yè)界表示這是性價(jià)比的“最佳點(diǎn)”。但是，隨著市場對于更高功率的需求，智能手機(jī)快速充電器的目標(biāo)功率高于75的新趨勢可能會在不久的將來推動(dòng)智能手機(jī) OEM對GaN的采用。大多數(shù)國家超過75W的功率需要功率因數(shù)校正(PFC)電路，這需要使用更多的GaN含量。lktesmc

另外，在汽車、數(shù)據(jù)通信以及其他工業(yè)應(yīng)用中GaN技術(shù)的得到進(jìn)一步應(yīng)用。比如在汽車領(lǐng)域，其主要驅(qū)動(dòng)力將是電動(dòng)汽車的車載充電器（AC-DC轉(zhuǎn)換）以及DC/DC轉(zhuǎn)換器（電壓范圍為48V至400V）。市場消息顯示，大概到2030年左右，OEM將開始考慮在主逆變器 (650-800V) 中集成GaN。lktesmc

從市場情況看，在過去幾年越來越多的汽車制造商與GaN器件供應(yīng)商合作。如德國汽車系統(tǒng)制造商ZF與以色列GaN公司VisIC合作，意大利汽車零部件制造商Marelli則與GaN器件公司Transphorm合作等。lktesmc

隨著氮化鎵應(yīng)用不斷擴(kuò)充，國內(nèi)外廠商動(dòng)作頻頻。lktesmc

國外GaN動(dòng)態(tài)：收購、擴(kuò)產(chǎn)、技術(shù)創(chuàng)新lktesmc

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英飛凌收購GaN Systems，鞏固全球功率系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)地位

3月2日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司GaN Systems，交易總值8.3億美元（約57.3億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計(jì)劃以全現(xiàn)金收購GaN Systems，資金將來自現(xiàn)有的流動(dòng)資金。lktesmc

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，英飛凌此前重心偏向SiC，在SiC功率半導(dǎo)體市場已有豐富的客戶積累，供應(yīng)鏈布局也比較完善，但在氮化鎵領(lǐng)域的動(dòng)態(tài)不多。lktesmc

此次英飛凌通過并購GaN Systems，不但可以快速豐富產(chǎn)品線、客戶群，還能將GaN Systems積累的GaN技術(shù)與英飛凌先進(jìn)的8-12寸晶圓廠、生產(chǎn)制程相結(jié)合，將氮化鎵應(yīng)用帶上新高度。lktesmc

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瑞典SweGaN擴(kuò)產(chǎn)，年產(chǎn)能達(dá)4萬片

3月2日，瑞典公司SweGaN宣布，他們正在瑞典林雪平的創(chuàng)新材料集群建設(shè)一個(gè)新總部，包括一個(gè)大規(guī)模的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。lktesmc

報(bào)道稱，該項(xiàng)目計(jì)劃于今年第二季度末完成，將部署創(chuàng)新制造工藝，以大批量生產(chǎn)下一代GaN-on-SiC工程外延晶圓，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將高達(dá)4萬片4/6英寸外延片。lktesmc

2022年9月，該擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目就已經(jīng)獲得1200萬歐元（約8300萬人民幣）A輪融資的支持，以滿足5G基站、國防雷達(dá)、低軌道衛(wèi)星通信和電動(dòng)汽車車載充電器主要供應(yīng)商的市場需求。此前2022年7月，SweGaN還獲得了一次投資，獲投金額與本次融資金額相近（約8216萬元人民幣），資金將用于擴(kuò)大員工數(shù)量，并建設(shè)新的生產(chǎn)線。lktesmc

SweGaN于2022年表示，預(yù)計(jì)幾年后，公司年?duì)I業(yè)額將從2021年的1700萬瑞典克朗增加到2億瑞典克朗（約1.3億元人民幣），營收目標(biāo)做到“數(shù)十億”。lktesmc

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羅姆開發(fā)出控制氮化鎵功率半導(dǎo)體的新技術(shù)，有望年內(nèi)供應(yīng)樣品

近日，羅姆官方消息顯示，其開發(fā)出用于GaN半導(dǎo)體的高速控制IC，能夠減少電源封裝面積86%，可把通過集成電路切換電流開關(guān)時(shí)的時(shí)間縮短到了2納秒（僅為原來的四分之一），是業(yè)界最快的。使用這種控制IC，GaN半導(dǎo)體就能最大限度地發(fā)揮出比現(xiàn)有的硅(Si)半導(dǎo)體等更好的高速開關(guān)性能，還能實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)外圍部件的小型化。lktesmc

業(yè)界消息顯示，該技術(shù)預(yù)計(jì)將與該公司制造的GaN半導(dǎo)體等結(jié)合，應(yīng)用于通信基站、數(shù)據(jù)中心(DC)、工業(yè)機(jī)器、飛行機(jī)器人(無人機(jī))等領(lǐng)域。最早將在2023年內(nèi)開始供應(yīng)樣品。lktesmc

國內(nèi)GaN動(dòng)態(tài)：6大項(xiàng)目開工/投產(chǎn)

另外，我國2023年1月至3月有多個(gè)氮化鎵項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展，包括百思特達(dá)半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目、博康(嘉興)半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目、仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目、中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、東科半導(dǎo)體超高頻氮化鎵電源管理芯片項(xiàng)目等。lktesmc

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百思特達(dá)半導(dǎo)體GaN外延片項(xiàng)目試生產(chǎn)

近日，據(jù)盤錦日報(bào)消息，遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體旗下氮化鎵項(xiàng)目獲得新進(jìn)展——2英寸&4英寸外延片處于試生產(chǎn)和產(chǎn)品認(rèn)證階段，正式投產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)月生產(chǎn)2500片的產(chǎn)能。lktesmc

據(jù)介紹，百思特達(dá)是2019年興隆臺區(qū)和盤錦高新區(qū)共同引進(jìn)的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，該公司主要研發(fā)生產(chǎn)氮化鎵晶圓及氮化鎵基芯片系列產(chǎn)品。lktesmc

2019年11月，百思特達(dá)氮化鎵項(xiàng)目正式開工建設(shè)，該項(xiàng)目占地125畝，總投資15億元，其中一期投資3億元；去年5月，項(xiàng)目一期正式建成，預(yù)計(jì)增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升。lktesmc

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博康建GaN項(xiàng)目，年產(chǎn)能為3000片

3月6日，“嘉興城南”官微發(fā)文稱，博康(嘉興)半導(dǎo)體總投資約6億元的氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目正式開工，該項(xiàng)目占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米。lktesmc

公開資料顯示，博康（嘉興）半導(dǎo)體成立于2022年10月，公司主營業(yè)務(wù)包括半導(dǎo)體分立器件制造、銷售及服務(wù)等。lktesmc

而且，3月3日，嘉興市公共資源交易中心發(fā)布招標(biāo)公告稱，博康（嘉興）半導(dǎo)體年產(chǎn)3000片氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目設(shè)計(jì)對外采購施工總承包，招標(biāo)估算價(jià)約為1.9億元。lktesmc

根據(jù)公告，博康的氮化鎵項(xiàng)目位于浙江嘉興經(jīng)開區(qū)，總工期歷時(shí)一年左右，將新建工業(yè)廠房30543平米，并引進(jìn)光刻機(jī)、磁控濺射機(jī)等設(shè)備約100臺套用于生產(chǎn)國內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的通信用氮化鎵射頻芯片先導(dǎo)線，預(yù)計(jì)年產(chǎn)能將為3000片。lktesmc

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東科半導(dǎo)體超高頻氮化鎵電源管理芯片項(xiàng)目預(yù)計(jì)4月底投產(chǎn)

據(jù)北青網(wǎng)消息，2月16日，東科半導(dǎo)體表示，旗下總投資5.5億元的“超高頻氮化鎵電源管理芯片項(xiàng)目”已竣工，正在進(jìn)行廠房裝修和生產(chǎn)線調(diào)試，預(yù)計(jì)4月底投產(chǎn)。lktesmc

公開資料顯示，該項(xiàng)目項(xiàng)目占地52畝，新建廠房5.1萬平米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應(yīng)用模組封裝線的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。lktesmc

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仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目開工

今年1月上旬，合肥仙羋智造科技有限公司（）仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目正式開工。該項(xiàng)目總投資5億元，建成后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)3000萬顆工業(yè)級IPM產(chǎn)品、1000萬顆汽車級IPM產(chǎn)品、1000萬顆氮化鎵芯片封裝產(chǎn)能，預(yù)計(jì)全部投產(chǎn)后年銷售收入可達(dá)12億元。lktesmc

此前消息顯示，該項(xiàng)目于2022年6月簽約落戶安徽蚌埠傳感谷。目前，廠房外部墻面改造已完成，開始裝修廠房和設(shè)備入場。lktesmc

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中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建成完工

據(jù)中鐵建工集團(tuán)公眾號消息，1月10日，中鐵建工集團(tuán)旗下“中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”已經(jīng)建成完工，該項(xiàng)目總投資超過30億元。lktesmc

項(xiàng)目建成后將形成年均5億只射頻集成電路，6萬片4～6英寸氮化鎵射頻功率器件，1000萬只射頻模塊的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、測試能力。lktesmc

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格晶半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落地江西上饒 總投資25億元

據(jù)格晶半導(dǎo)體官方消息，1月5日，江西上饒市萬年縣與上海格晶半導(dǎo)體有限公司舉行合作簽約儀式。lktesmc

此次簽約的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資達(dá)25億元，項(xiàng)目投產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)5萬片8寸GAN功率器件，成為江西省第一家中國第二家量產(chǎn)氮化鎵車載功率器件的晶圓廠。lktesmc

  全球半導(dǎo)體觀察整理 竹子lktesmc

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