據(jù)陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。硅上氧化鎵異質(zhì)外延有利于硅電路與氧化鎵電路的直接集成，同時擁有成本低和散熱好等優(yōu)勢。mBhesmc
氧化鎵是繼碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體之后的新一代半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于通信、雷達(dá)、航空航天、高鐵動車、新能源汽車等領(lǐng)域的輻射探測領(lǐng)域的傳感器芯片，以及在大功率和超大功率芯片。憑借其強大的優(yōu)異的性能和強大的應(yīng)用潛力而受到業(yè)界高度關(guān)注。mBhesmc
盡管氧化鎵的發(fā)展尚處于初期研發(fā)階段，但近年來，我國已經(jīng)屢獲突破。mBhesmc
2022年12月，銘鎵半導(dǎo)體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國內(nèi)首個掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。mBhesmc
2023年2月，我國首顆6英寸氧化鎵單晶被成功制備，中國電科46所成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結(jié)構(gòu)，突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制。mBhesmc
責(zé)編：Elaine
