過去幾年中，IDM廠商在12英寸晶圓廠上投資了數(shù)十億美元，用于制造IGBT等硅基功率元件，這使得完全折舊的6/8英寸晶圓廠現(xiàn)在可用于支持SiC大規(guī)模生產(chǎn)。當然，IDM廠商需要額外添置一些SiC專用生產(chǎn)設(shè)備，這包括超高溫CVD反應(yīng)器、高溫高能離子注入機、高溫氧化爐、晶圓級測試設(shè)備等。HWResmc
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硅晶圓在90年代經(jīng)歷了從6英寸到8英寸的轉(zhuǎn)變，隨后在大約十年后轉(zhuǎn)向12英寸晶圓。SiC正在經(jīng)歷著同樣的事情，當前絕大多數(shù)SiC功率元件仍然依靠在6英寸晶圓上進行生產(chǎn)，而為了進一步降低成本并擴大SiC滲透率，Wolfspeed等一線廠商已目光投向8英寸。這十分困難，但不得不做，我們可以看到Wolfspeed Mohawk Valley Fab的實際量產(chǎn)時間已經(jīng)被一再推遲，這同樣關(guān)系到其近幾個季度糟糕的財務(wù)狀況。HWResmc
另外，中國的SiC前道工藝產(chǎn)線數(shù)量正在迅速增長，TrendForce統(tǒng)計已量產(chǎn)和規(guī)劃產(chǎn)線約近20條，而須留意的關(guān)鍵產(chǎn)線約7條。其中，三安光電、泰科天潤已具備非常成熟的二極管制造能力，而在MOSFET制程開發(fā)過程中卻仍面臨著諸多阻礙，特別是汽車級產(chǎn)品。HWResmc
責編：Elaine
