層數(shù)之爭火勢更旺AzGesmc

美光、SK海力士、三星等廠商一直不斷地追逐NAND閃存更高層數(shù)，在跨越100層后便開始向200+層邁進，以達到性能的提高。AzGesmc

從去年的技術(shù)成績來看，美光方面，2022年7月，美光全球首款232層NAND閃存在新加坡工廠正式量產(chǎn)，而當時的三星正在苦研176層NAND閃存。同年12月，美光成功向PC OEM客戶出貨232層NAND客戶端SSD，該產(chǎn)品適用于主流筆記本電腦和臺式機。AzGesmc

SK海力士方面，2022年8月，SK海力士成功開發(fā)出238層NAND閃存，這是目前世界最高層數(shù)，該公司已向客戶發(fā)送238層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年投入量產(chǎn)。AzGesmc

三星方面，隨著業(yè)界不斷傳出閃存技術(shù)的新動態(tài)，三星也不免跟著著急，面對各種雜音，三星曾表示將在2022年內(nèi)發(fā)布236層NAND閃存產(chǎn)品。為進一步加大研發(fā)力度，三星還計劃開設(shè)一個新的研發(fā)中心，該中心將負責開發(fā)更先進的NAND閃存產(chǎn)品。AzGesmc

終于在2022年11月，三星宣布量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片，這是三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（128GB）三比特單元（TLC）的第8代V-NAND。而三星的第九代V-NAND目前尚在開發(fā)中，并計劃從2024年開始量產(chǎn)第9代NAND閃存。AzGesmc

三星曾預(yù)計，到2030年公司將打造出堆疊層數(shù)超1000層的V-NAND。并且為了實現(xiàn)這一目標，三星正在從當前的TLC架構(gòu)過渡到四級單元（QLC）架構(gòu)，以提高密度和啟用更多層數(shù)。AzGesmc

而西數(shù)/鎧俠方面，西數(shù)于去年5月表示，未來將與鎧俠推出200層以上（BiCS+）的閃存產(chǎn)品，2032年之前還將陸續(xù)推出300層以上、400層以上與500層以上的閃存技術(shù)。不過目前西數(shù)和鎧俠暫無最新的消息。AzGesmc

從市場份額上看，據(jù)TrendForce集邦咨詢2022年11月23日研究顯示，截止2022年第三季度，在NAND閃存市場，三星的市場份額為31.4%，排行第一；其次是鎧俠、20.6%；后面是SK海力士、18.5%，西部數(shù)據(jù)、12.6%，美光、12.3%。AzGesmc

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雖然看起來市場份額仍然差距較大，但在競爭對手的猛烈追趕下，三星三星難免感受到壓力。AzGesmc

值得注意的是，西部數(shù)據(jù)近日宣布，將獲得由Apollo全球管理公司牽頭的9億美元投資。對于此次投資，有消息人士表示，這是西部數(shù)據(jù)與日本Kioxia（鎧俠）合并的前兆。AzGesmc

倘若鎧俠和西數(shù)合資計劃最終確定，這或?qū)κ袌鲈斐删薮蟮挠绊憽?span style="display:none">AzGesmc

先進制程競賽持續(xù)AzGesmc

DRAM是半導(dǎo)體存儲器的大宗產(chǎn)品之一，經(jīng)過幾十年的大浪淘沙，英特爾、東芝、松下、德州儀器、IBM、Motorola等曾經(jīng)的強者退出DRAM江湖，如今DRAM市場形成了三足鼎立的格局，主要由三星、SK海力士、美光三大巨頭所領(lǐng)導(dǎo)。AzGesmc

據(jù)TrendForce集邦咨詢2022年11月16日研究顯示，截止2022年第三季度，在DRAM市場中，三星份額為40.7%，仍占據(jù)全球第一，SK海力士為28.8%，排位第二，美光為26.4%，居第三。AzGesmc

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在DRAM先進制程競賽道上，存儲大廠為搶占技術(shù)先機，也是一刻也不停緩。AzGesmc

美光方面，2022年11月初，美光已經(jīng)將1β DRAM（第五代10nm級別DRAM）產(chǎn)品送往了客戶的產(chǎn)品驗證流水線，這也意味著10納米級別的芯片工藝已經(jīng)來到了第五代。相較于1α（alpha），1β（beta）在16G bit的容量下，能效提高約15%、內(nèi)存密度提升35%以上。AzGesmc

同年11月中旬，美光尖端存儲器1β DRAM在日本廣島量產(chǎn)。美光日本廣島工廠一直致力于尖端技術(shù)產(chǎn)品DRAM的生產(chǎn)，目前，該廠投產(chǎn)制程主要為1Z納米（占比50%以上）和1Y納米（占比約35%）。AzGesmc

美光DRAM制程已經(jīng)實現(xiàn)了1Xnm、1Ynm、1Znm、1α四個節(jié)點，并率先進入了1β節(jié)點。據(jù)悉，美光正在對下一代1γ（gamma）工藝進行初步的研發(fā)設(shè)計。AzGesmc

三星方面，2022年10月，三星在Samsung Foundry Forum 2022活動上公布DRAM技術(shù)路線圖。根據(jù)路線圖，三星預(yù)計，2023年進入1b nm工藝階段，即第五代10nm級別DRAM產(chǎn)品，芯片容量將達到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbp之間。AzGesmc

同年12月，三星開發(fā)出首款采用12nm級工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。AzGesmc

自此來看，業(yè)界表示，10納米級別的DRAM制程經(jīng)過了依次為1X（16nm-19nm）、1Y（（14nm-16nm））、1Z（12nm-14nm）、1α（約13nm），目前來到1β（10-12nm）、1γ（約10nm，1β的增強版）的節(jié)點。AzGesmc

對DRAM芯片來說，隨著晶體管尺寸越來越小，芯片上集中的晶體管就越多，也就是說一片芯片能實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量。AzGesmc

而從產(chǎn)品價格上看，去年以來，DRAM價格持續(xù)下跌。據(jù)TrendForce集邦咨詢1月9日研究指出，由于消費需求疲弱，存儲器賣方庫存壓力持續(xù)，僅三星（Samsung）在競價策略下庫存略降。為避免DRAM產(chǎn)品再大幅跌價，諸如美光（Micron）等多家供應(yīng)商已開始積極減產(chǎn)，預(yù)估2023年第一季DRAM價格跌幅可因此收斂至13~18%，但仍不見下行周期的終點。AzGesmc

DRAM產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于手機、服務(wù)器、PC等下游領(lǐng)域，近年來，消費終端需求不振，DRAM市場持續(xù)蕭條。面對未來，內(nèi)存廠商唯有持續(xù)研發(fā)推出1β、1γ...或更先進制程的DRAM產(chǎn)品，擁有高新技術(shù)，才能在逆境中站穩(wěn)每一步腳跟。AzGesmc