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三安、聯(lián)芯、士蘭微等在列,2023年福建省重點(diǎn)項目名單公布

近日,福建省發(fā)展和改革委員會印發(fā)2023年度省重點(diǎn)項目名單,2023年度省重點(diǎn)項目1580個,總投資4.09萬億元,年度計劃投資6480億元。

其中,省在建重點(diǎn)項目1409個,省預(yù)備重點(diǎn)項目171個,包括多個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目,如士蘭12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線建設(shè)項目、士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目、晉江存儲器生產(chǎn)線建設(shè)項目、連江恒申電子級特種氣體項目等。mR7esmc

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以下為部分項目介紹:

上杭晶旭半導(dǎo)體2英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)項目mR7esmc

據(jù)“上杭融媒”消息,上杭晶旭半導(dǎo)體2英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)項目總投資10億元,項目總建筑面積13.5萬平方米,新建標(biāo)準(zhǔn)廠房、綜合辦公樓及員工宿舍,購置設(shè)備及安裝,配套建設(shè)道路、綠化、給排水等輔助設(shè)施。mR7esmc

項目將建成10條5G通訊濾波器芯片生產(chǎn)線及50條MiniCOB全自動生產(chǎn)線,預(yù)計年產(chǎn)5億件傳感濾波器芯片。mR7esmc

廈門士蘭12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線建設(shè)項目mR7esmc

士蘭微電子12英寸芯片生產(chǎn)線項目由廈門士蘭集科微電子有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施運(yùn)營,規(guī)劃項目總投資170億元,規(guī)劃建設(shè)兩條以功率半導(dǎo)體芯片、MEMS傳感器芯片為主要產(chǎn)品的12寸特色工藝功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線。mR7esmc

其中第一條12英寸產(chǎn)線,總投資70億元,工藝線寬90納米,計劃月產(chǎn)8萬片,總投資70億元人民幣;第二條12寸生產(chǎn)線總投資100億元,將建設(shè)工藝線寬65納米至90納米的12寸特色工藝芯片生產(chǎn)線。mR7esmc

廈門海滄區(qū)士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目mR7esmc

2022年7月,士蘭明鎵正式啟動化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè),即“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目”。mR7esmc

據(jù)悉,該項目計劃投資15億元,建設(shè)一條6寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線,最終形成年產(chǎn)14.4萬片6寸SiC功率器件芯片的產(chǎn)能,其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年、SiC-SBD芯片2.4萬片/年。mR7esmc

2022年10月,士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)初步通線,首個SiC器件芯片已投片成功,首批投片產(chǎn)品各項參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計要求,項目取得了階段性進(jìn)展。mR7esmc

士蘭微表示,士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試,目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6 英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。mR7esmc

廈門翔安區(qū)聯(lián)芯集成電路制造項目mR7esmc

聯(lián)芯集成電路制造項目總投資62億美元,分兩個階段實(shí)施,其中第一階段建設(shè)全部廠房及構(gòu)建筑物設(shè)施,并安裝設(shè)備形2.5萬片/月的生產(chǎn)能力;第二階段在第一階段基礎(chǔ)上安裝設(shè)備再形成2.5萬片/月的生產(chǎn)能力。mR7esmc

據(jù)悉,該項目于2014年底開始籌建,2015年3月26日奠基動工,2016年第4季起進(jìn)入量產(chǎn),已可提供40nm及28nm的晶圓專工服務(wù),規(guī)劃月產(chǎn)能為5萬片12吋晶圓。mR7esmc

南安三安半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目mR7esmc

據(jù)“中國芯谷”介紹,三安高端半導(dǎo)體系列項目是泉州芯谷南安分園區(qū)引進(jìn)的首個龍頭項目,總投資333億元,全部項目計劃5年內(nèi)投產(chǎn)、7年內(nèi)達(dá)產(chǎn)。項目主要包含高端氮化鎵、高端砷化鎵、大功率氮化鎵激光器、光通訊器件模組、射頻濾波器和微波集成電路、功率型半導(dǎo)體、特種襯底材料和封裝產(chǎn)品應(yīng)用等。mR7esmc

該項目能夠有效解決III-V族化合物半導(dǎo)體核心材料、器件和應(yīng)用端的技術(shù)分離難題,有助于填補(bǔ)我國大功率氮化鎵激光器、射頻濾波器及功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域的空白,產(chǎn)品將廣泛運(yùn)用于5G通訊,涉及大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、電信網(wǎng)絡(luò)、電動汽車、導(dǎo)航、衛(wèi)星等領(lǐng)域。mR7esmc

連江恒申電子級特種氣體項目mR7esmc

2021年4月,恒申集團(tuán)與福州市連江縣政府簽約電子級特種氣體項目。mR7esmc

據(jù)福建日報此前報道,恒申電子級特種氣體項目總投資25億元,該項目生產(chǎn)的高純硅烷類氣體廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子信息產(chǎn)業(yè),以及制造大規(guī)模集成電路芯片、多晶硅等電子信息制造行業(yè),填補(bǔ)福州電子芯片特種氣體產(chǎn)業(yè)空白。mR7esmc

責(zé)編:Elaine
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