公告顯示，國星光電于近日收到11項發(fā)明專利證書，其中中國國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的發(fā)明專利證書8項、美國發(fā)明專利證書3項，具體情況如下：P1Hesmc
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從專利涉及的領(lǐng)域來看，11項專利中，4項涉及Mini LED技術(shù)領(lǐng)域，2項涉及Micro LED技術(shù)領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體、景觀亮化、車用LED、指示器件、戶外LED等技術(shù)領(lǐng)域各1項。P1Hesmc
據(jù)國星光電介紹，涉及Mini/Micro LED技術(shù)領(lǐng)域的6項專利，其技術(shù)方案涉及封裝膠工藝改善、線路板檢測點設(shè)置、超高清顯示模組結(jié)構(gòu)設(shè)置、芯片精準轉(zhuǎn)移等方面，通過以上技術(shù)方案可以提高超高清顯示產(chǎn)品的集成度，優(yōu)化及簡化線路結(jié)構(gòu)設(shè)計，提升制程及封裝良率，形成成熟的封裝技術(shù)路線，確保顯示效果的一致性，提高產(chǎn)品的質(zhì)量。P1Hesmc
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)明專利名稱為“一種集成模塊及功率器件”，該集成模塊以器件組為最基本單元，可應(yīng)用至半橋逆變式功率轉(zhuǎn)換電路或全橋逆變功率轉(zhuǎn)換電路中，具有良好的通用性，同時疊層設(shè)置能有效降低回路電流的路徑，降低模塊的寄生電感，提升集成模塊使用場景。P1Hesmc
近幾年來，國星光電調(diào)整發(fā)展戰(zhàn)略，將重心聚焦于Mini/Micro LED超高清顯示領(lǐng)域，并加速布局第三代半導(dǎo)體等前瞻領(lǐng)域賽道，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局、升級產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，形成了多項自主知識產(chǎn)權(quán)，也持續(xù)推出了多款創(chuàng)新產(chǎn)品。P1Hesmc
在此之前，國星光電去年4月也取得多項專利證書，其中6項涉及Mini/Micro LED技術(shù)，3項涉及第三代半導(dǎo)體技術(shù)。而此次取得的專利證書，過半涉及Mini/Micro LED及第三代半導(dǎo)體，由此可見國星光電在這些新興領(lǐng)域的布局取得了進展，知識產(chǎn)權(quán)布局進一步完善。P1Hesmc
國星光電表示，這些專利的獲得將對其工藝改進、產(chǎn)品創(chuàng)新、市場及品牌影響力提升等方面產(chǎn)生積極的影響，有助于國星光電增強在這些領(lǐng)域的核心競爭力。 P1Hesmc
責編：Elaine
