這是國內(nèi)存儲行業(yè)的跨越式突破，技術(shù)水平已趕超國際一流。bS1esmc
這是國內(nèi)首款全自研、運用先進(jìn)工藝的中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片。產(chǎn)品將覆蓋512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V電壓，并采用業(yè)界主流串行接口SPI和WSON封裝。bS1esmc
其即可滿足消費級產(chǎn)品對可靠性的需求，還可達(dá)到工規(guī)和車規(guī)等高可靠性應(yīng)用場景對擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保留的要求。通過技術(shù)的創(chuàng)新實現(xiàn)了芯片面積縮小40%，I/O速度提升25%，擦寫周期提升70%，芯片性能超越國內(nèi)同類競品。bS1esmc
至訊創(chuàng)新聯(lián)合創(chuàng)始人、董事長湯強(qiáng)博士：bS1esmc
在過去的幾個月里，我們的研發(fā)團(tuán)隊面對疫情、技術(shù)等重重考驗，用最短的時間攻克了道道難關(guān)。bS1esmc
此次19nm芯片的成功研制是至訊創(chuàng)新破繭成蝶的第一步，未來我們將持續(xù)加大研發(fā)投入，與更多合作伙伴展開更深度協(xié)作，保持每年兩到三個先進(jìn)工藝項目的開展，使更具有創(chuàng)新力、競爭力的產(chǎn)品陸續(xù)登陸市場。bS1esmc
至訊創(chuàng)新聯(lián)合創(chuàng)始人、CEO龔翊女士：bS1esmc
這款核心產(chǎn)品性能卓越又極具性價比，應(yīng)用領(lǐng)域非常豐富。目前，我們已順利與幾大重要合作伙伴簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，明年將從核心大客戶端發(fā)力，確保在全球存儲市場低迷的情況下實現(xiàn)逆勢上揚，一舉提升我們的市場占有率。bS1esmc
至訊創(chuàng)新聯(lián)合創(chuàng)始人、COO王超先生：bS1esmc
目前公司正進(jìn)行A輪融資，我們將抓住這個資本市場的戰(zhàn)略窗口期，充分發(fā)揮資本的強(qiáng)力支撐作用，為公司的研發(fā)、運營和業(yè)務(wù)推廣注入更多動力，不斷提升工藝的先進(jìn)性、產(chǎn)品的競爭性和服務(wù)的全面性，為實現(xiàn)我國存儲芯片的國產(chǎn)替代提供更多助力。bS1esmc
未來，至訊創(chuàng)新將抓住中國芯片產(chǎn)業(yè)突圍的歷史性發(fā)展機(jī)遇，堅持“以人為本，開拓創(chuàng)新”，立爭早日躋身全球一流存儲芯片公司行列。bS1esmc
責(zé)編：Elaine
