總投資40億，中欣晶圓12英寸硅片外延項(xiàng)目正式竣工投運(yùn)nCSesmc

據(jù)麗水經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，12月9日，浙江麗水中欣晶圓12英寸硅片外延項(xiàng)目舉行竣工投運(yùn)儀式，標(biāo)志著該項(xiàng)目首期正式投入運(yùn)行。nCSesmc

公開資料顯示，浙江麗水中欣晶圓成立于2021年11月2日，其旗下的麗水中欣晶圓外延項(xiàng)目，是麗水培育半導(dǎo)體全鏈條產(chǎn)業(yè)的龍頭項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資40億元，將在麗水經(jīng)開區(qū)首期建設(shè)年產(chǎn)120萬(wàn)片8英寸的生產(chǎn)線（以特殊需求外延片為主）、240萬(wàn)片12英寸外延片生產(chǎn)線，未來(lái)可擴(kuò)產(chǎn)至年產(chǎn)240萬(wàn)片8英寸外延片、360萬(wàn)片12英寸外延片生產(chǎn)線，全部達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值將在50億元左右。nCSesmc

該項(xiàng)目于2021年9月簽約，2021年11月17日，麗水中欣晶圓外延項(xiàng)目舉行開工儀式后，迅速進(jìn)入基礎(chǔ)施工。在各方的共同努力下，僅用88個(gè)工作日，該項(xiàng)目便于今年5月實(shí)現(xiàn)了主體結(jié)構(gòu)封頂。麗水中欣晶圓外延項(xiàng)目還被正式納入了2022年浙江省重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃。nCSesmc

百億級(jí)半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶陜西西咸新區(qū)nCSesmc

據(jù)西咸新區(qū)公眾號(hào)消息，近日，陜西省西咸新區(qū)涇河新城與江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司在北京簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，總投資116億元的西安第三代化合物半導(dǎo)體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式落戶涇河新城。nCSesmc

據(jù)了解，氮化鎵（GaN）作為研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊發(fā)展前景。西安第三代化合物半導(dǎo)體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目將以第三代化合物半導(dǎo)體材料氮化鎵為核心內(nèi)容，建立第三代化合物半導(dǎo)體研發(fā)中心，開展氮化鎵基半導(dǎo)體核心技術(shù)攻關(guān)、新品研發(fā)等工作。nCSesmc

項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值500億元，實(shí)現(xiàn)年上繳稅收約25億元。同時(shí)，將進(jìn)一步帶動(dòng)相關(guān)上下游產(chǎn)業(yè)鏈配套企業(yè)入駐，全力助推氮化鎵電子器件和高端光電器件等在涇河新城實(shí)現(xiàn)“中國(guó)智造”。以此次簽約為標(biāo)志，涇河新城將在產(chǎn)業(yè)布局上形成光伏、新能源新材料、半導(dǎo)體芯片三大產(chǎn)業(yè)鼎足之勢(shì)。nCSesmc

國(guó)芯RISC-V芯片架構(gòu)總部等12個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約落戶無(wú)錫nCSesmc

12月10日，據(jù)新民晚報(bào)報(bào)道，由江蘇集萃集成電路應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心和錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)共同承辦的“首屆長(zhǎng)三角集成電路工業(yè)應(yīng)用一體化發(fā)展大會(huì)”在無(wú)錫錫山區(qū)舉行。nCSesmc

會(huì)上，集萃加速科技聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室、集萃華大九天EDA聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室、“集萃芯”省級(jí)眾創(chuàng)空間、無(wú)錫學(xué)院集萃集成電路協(xié)同創(chuàng)新中心、江南大學(xué)集萃集成電路學(xué)院、長(zhǎng)三角集成電路工業(yè)應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心揭牌；國(guó)芯RISC-V芯片架構(gòu)總部項(xiàng)目、優(yōu)倍新型工業(yè)測(cè)量與控制芯片組研發(fā)項(xiàng)目等12個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約落戶，為錫山集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。nCSesmc

據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)三角工業(yè)芯谷總建筑面積24萬(wàn)平方米，聚焦工業(yè)升級(jí)、智能制造等領(lǐng)域，集聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)招引培育，推動(dòng)芯片設(shè)計(jì)、裝備制造產(chǎn)業(yè)集聚優(yōu)化，打造“以園聚鏈、鏈路聚合”的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。園區(qū)目前已集聚集成電路企業(yè)60余家，力爭(zhēng)到2025年，引進(jìn)培育優(yōu)質(zhì)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)100家以上，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值200億元以上，打造無(wú)錫集成電路產(chǎn)業(yè)版圖上重要一極。nCSesmc

作為長(zhǎng)三角工業(yè)芯谷的核心創(chuàng)新平臺(tái)，江蘇集萃集成電路應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心自2020年落地至今，在平臺(tái)能力建設(shè)、人才項(xiàng)目引育、關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)等方面，均取得了豐碩成果。目前已集聚人才140余人；打造芯片全流程設(shè)計(jì)服務(wù)平臺(tái)、長(zhǎng)三角車規(guī)級(jí)芯片檢則中心、基于SDR的DSP+工業(yè)5G公共服務(wù)平臺(tái)等核心能力；圍繞醫(yī)療器械、汽車電子、工業(yè)控制、5G通信等應(yīng)用領(lǐng)域，組織“揭榜掛帥”聯(lián)合攻關(guān)項(xiàng)目2項(xiàng)，落地“撥投結(jié)合”重大項(xiàng)目5項(xiàng)；與南京大學(xué)、東南大學(xué)、江南大學(xué)、無(wú)錫學(xué)院等高校合作，聯(lián)合培養(yǎng)集萃研究生30余人；推動(dòng)成果轉(zhuǎn)化和企業(yè)孵化，引進(jìn)孵化企業(yè)12家，服務(wù)企業(yè)40余家。nCSesmc

下階段，錫山將加快打造一流重大科創(chuàng)平臺(tái)，進(jìn)一步強(qiáng)化江蘇集萃集成電路應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心、湖南大學(xué)無(wú)錫半導(dǎo)體先進(jìn)制造創(chuàng)新中心等大院大所平臺(tái)的“硬核支撐”，以本次大會(huì)為契機(jī)，構(gòu)建覆蓋集成電路設(shè)計(jì)、裝備、材料全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展生態(tài)，全力打造輻射長(zhǎng)三角區(qū)域的“錫山工業(yè)芯谷”產(chǎn)業(yè)地標(biāo)。nCSesmc

募資18億！至純科技加碼半導(dǎo)體濕法設(shè)備模塊及零部件研發(fā)等項(xiàng)目nCSesmc

12月10日，至純科技發(fā)布公告稱，綜合考慮目前資本市場(chǎng)環(huán)境的變化，結(jié)合公司實(shí)際情況、發(fā)展規(guī)劃等諸多因素，公司計(jì)劃調(diào)整融資方式，決定終止公開發(fā)行A股可轉(zhuǎn)換公司債券事項(xiàng)并撤回申請(qǐng)文件，同時(shí)將融資方式調(diào)整為非公開發(fā)行股票。nCSesmc

據(jù)披露，至純科技擬向不超過35名特定投資者，定增募資18億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后，4億元用于單片濕法工藝模塊、核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，1.6億元用于至純北方半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)中心項(xiàng)目，7億元用于啟東半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化基地二期項(xiàng)目，剩余5.4億元用于補(bǔ)充流動(dòng)資金或償還債務(wù)。nCSesmc

單片濕法工藝模塊、核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目基于公司現(xiàn)有28nm半導(dǎo)體濕法設(shè)備的研發(fā)及生產(chǎn)的技術(shù)積累，將針對(duì)14nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的高階單片濕法工藝模塊、單片式腔體及耐腐蝕性、高精密度的核心零部件進(jìn)行研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。nCSesmc

據(jù)悉，以上項(xiàng)目建成后將成為至純科技高階制程單片濕法裝備及零部件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地，在設(shè)計(jì)、制造及研發(fā)上實(shí)現(xiàn)從成熟制程往高階先進(jìn)制程的路徑，裝備與核心零部件將形成雙向協(xié)同，項(xiàng)目達(dá)成后將形成高階制程單片濕法模塊年產(chǎn)100套，各類零部件年產(chǎn)近2000套，進(jìn)一步提高生產(chǎn)規(guī)模和產(chǎn)品產(chǎn)能，是公司戰(zhàn)略目標(biāo)達(dá)成的重要支撐。nCSesmc

至純北方半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)中心項(xiàng)目將基于公司現(xiàn)有成熟的半導(dǎo)體濕法設(shè)備以及系統(tǒng)集成及支持設(shè)備的工藝技術(shù)積累，同時(shí)基于北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)（亦莊）的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚和技術(shù)先進(jìn)優(yōu)勢(shì)，在北京亦莊設(shè)立濕法設(shè)備、系統(tǒng)集成及支持設(shè)備及核心零部件的北方生產(chǎn)研發(fā)基地。本項(xiàng)目的實(shí)施將擴(kuò)大至純科技生產(chǎn)規(guī)模、增強(qiáng)公司產(chǎn)品下游應(yīng)用領(lǐng)域，同時(shí)針對(duì)北方客戶需求對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行定制化研發(fā)以提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，鞏固并提升公司的行業(yè)地位。本項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，公司預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)系統(tǒng)集成及支持設(shè)備30套、半導(dǎo)體濕法設(shè)備15臺(tái)、半導(dǎo)體零部件2,610套的生產(chǎn)能力。nCSesmc

安徽蚌埠經(jīng)開區(qū)：謀劃引入積塔碳化硅6英寸線等產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)項(xiàng)目nCSesmc

近日，安徽蚌埠經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)發(fā)布市經(jīng)開區(qū)2022年工作總結(jié)和2023年工作計(jì)劃。nCSesmc

蚌埠經(jīng)開區(qū)提到，在2022年主要工作，總投資50億元的8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目順利通過國(guó)家發(fā)改委窗口指導(dǎo)；總投資10億元的6英寸MEMS晶圓擴(kuò)能項(xiàng)目（5000片）部分設(shè)備正在安裝調(diào)試，預(yù)計(jì)明年上半年達(dá)產(chǎn)；總投資11億元的融薇科技6英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目全套生產(chǎn)設(shè)備已運(yùn)抵蚌埠，正在開展廠房裝修改造；總投資5億元的仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地、芯動(dòng)聯(lián)科MEMS封裝測(cè)試生產(chǎn)及研發(fā)項(xiàng)目正加快建設(shè)，計(jì)劃年底前正式投產(chǎn)。nCSesmc

在2023年工作目標(biāo)和主要舉措中，蚌埠經(jīng)開區(qū)指出將全力服務(wù)推進(jìn)8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目和融薇科技6英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目（6000片）建成試運(yùn)行；全力推進(jìn)6英寸MEMS晶圓擴(kuò)能項(xiàng)目（5000片）建成達(dá)產(chǎn)；力爭(zhēng)2023年底形成6吋MEMS晶圓11000片/月、8吋MEMS晶圓10000片/月產(chǎn)能。nCSesmc

圍繞晶圓代工核心能力，充分釋放封測(cè)核心產(chǎn)能，加快推進(jìn)芯動(dòng)聯(lián)科封測(cè)、仙羋智造功率模組等重點(diǎn)項(xiàng)目建成投產(chǎn)，服務(wù)推進(jìn)禹芯半導(dǎo)體、希磁科技產(chǎn)業(yè)園等建成項(xiàng)目產(chǎn)能爬升，計(jì)劃到2023年底，園區(qū)封測(cè)企業(yè)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值超20億元。nCSesmc

同時(shí)，蚌埠經(jīng)開區(qū)將力爭(zhēng)北方微電子研究院落戶傳感谷，北方傳感、數(shù)碼雷管等項(xiàng)目當(dāng)年簽約、當(dāng)年投產(chǎn)；跟蹤慧聞科技、微納矽邦半導(dǎo)體等小巨人企業(yè)發(fā)展動(dòng)向，推動(dòng)芯動(dòng)聯(lián)科向下游布局車規(guī)級(jí)封裝項(xiàng)目、推動(dòng)希磁科技謀劃自建8英寸線（IDM），謀劃引入積塔碳化硅6英寸線等產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)項(xiàng)目。nCSesmc