Kelleher表示:“英特爾按季度制定的里程碑顯示,我們處于領(lǐng)先地位或步入正軌。”她說(shuō),英特爾目前正在量產(chǎn)7nm芯片,另外已準(zhǔn)備好開(kāi)始制造4nm芯片,并將準(zhǔn)備在明年下半年轉(zhuǎn)向3nm。fqpesmc
誰(shuí)能坐穩(wěn)后摩爾時(shí)代工藝制程王座?fqpesmc
英特爾CEO基辛格曾表示要重回生產(chǎn)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位,“重回領(lǐng)導(dǎo)地位”的前提條件是,英特爾曾經(jīng)長(zhǎng)期處于領(lǐng)導(dǎo)地位。以及此處我們所談及的生產(chǎn)技術(shù),具體是指半導(dǎo)體尖端制造工藝。fqpesmc
回溯英特爾早期工藝,在14nm之前,英特爾始終推動(dòng)著業(yè)界的主要制程工藝創(chuàng)新,并始終保持著比別家fab和foundry廠領(lǐng)先幾年的技術(shù)水平。比如在90nm時(shí)代,英特爾針對(duì)應(yīng)力增強(qiáng)引入eSiGe(嵌入硅鍺),為業(yè)界首位;2005年英特爾首度采用HKMG(high-k metal gate,高介電常數(shù)金屬柵),比別家提前了5年以上;2011年英特爾22nm工藝首次引入FinFET結(jié)構(gòu)晶體管......fqpesmc
在14nm以后,英特爾遭遇技術(shù)瓶頸,首先是原本計(jì)劃的Fab 14工廠升級(jí)工藝被取消,而后10nm屢屢受挫,7nm變得遙遙無(wú)期。直至今年,英特爾在IEEE VLSI會(huì)議上公開(kāi)了自己首個(gè)7nm工藝。fqpesmc
在英特爾先進(jìn)工藝陷入停擺的這段時(shí)間,臺(tái)積電和三星一路高歌猛進(jìn),臺(tái)積電自7nm工藝后則穩(wěn)坐先進(jìn)節(jié)點(diǎn)王座。fqpesmc
2018年N7(7nm)工藝問(wèn)世可作為臺(tái)積電超過(guò)英特爾的拐點(diǎn),也是這時(shí),AMD Zen 2架構(gòu)CPU開(kāi)始采用臺(tái)積電7nm工藝,并在最終出售的CPU產(chǎn)品上,首次實(shí)現(xiàn)對(duì)英特爾處理器的部分超越。此后臺(tái)積電迅速在2020年推出6nm和5nm,并宣布在今年4季度量產(chǎn)3nm,以及計(jì)劃于2024年下半年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)的2nm節(jié)點(diǎn)。fqpesmc
向上追趕是常態(tài),英特爾計(jì)劃2030年超越三星代工業(yè)務(wù),而三星也揚(yáng)言2030年要超越臺(tái)積電。今年7月,三星宣布量產(chǎn)3nm制程,并將率先采用GAA技術(shù)還計(jì)劃2023年推出第二代3nm制程,并更進(jìn)一步計(jì)劃到2025年發(fā)展達(dá)到2nm制程,到2027年達(dá)到1.4nm制程。業(yè)界人士表示,三星的計(jì)劃表還是有可能實(shí)現(xiàn)的,其目前的關(guān)鍵問(wèn)題還在于產(chǎn)品良率。fqpesmc
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據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在今年第二季前十大晶圓代工產(chǎn)值中,臺(tái)積電第二季營(yíng)收為181.5億美元,5/4nm營(yíng)收季增約11.1%,是第二季營(yíng)收表現(xiàn)最佳的制程節(jié)點(diǎn),7/6nm制程節(jié)點(diǎn)營(yíng)收季增2.8%。三星方面,7/6nm產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)換至5/4nm制程,良率持續(xù)改善,帶動(dòng)第二季營(yíng)收達(dá)55.9億美元,季增4.9%。同時(shí),首個(gè)采用GAA架構(gòu)的3GAE制程于今年第二季底正式量產(chǎn),首波客戶為挖礦公司PanSemi。fqpesmc
當(dāng)下,跌出神壇的英特爾計(jì)劃通過(guò)在產(chǎn)業(yè)、人才、技術(shù)等各個(gè)方面的布局重回巔峰,聚焦在尖端制造工藝方面,英特爾的計(jì)劃是4年要推進(jìn)從Intel 7到Inetl 18A的5個(gè)主要工藝節(jié)點(diǎn)。fqpesmc
Intel 7已經(jīng)在2021年量產(chǎn),英特爾計(jì)劃將于今年下半年量產(chǎn)(或做好量產(chǎn)準(zhǔn)備)Intel 4(相當(dāng)于7nm);在明年下半年量產(chǎn)(或做好量產(chǎn)準(zhǔn)備)Intel 3;2024年上半年量產(chǎn)(或做好量產(chǎn)準(zhǔn)備)Intel 20A;以及2024年下半年量產(chǎn)(或做好量產(chǎn)準(zhǔn)備)Intel 18A。fqpesmc
業(yè)界人士表示,英特爾4年跨5個(gè)節(jié)點(diǎn)計(jì)劃雖然有些夸張,但是值得注意的是,英特爾已經(jīng)在一些方面充分吸取了此前的教訓(xùn),并做了一些技術(shù)方面的更改。fqpesmc
早年英特爾嚴(yán)格地遵循著“摩爾定律”,畢竟摩爾定律就是英特爾的Gordan Moore提出的,在此期間,英特爾十分執(zhí)著晶體管密度的闕值。公開(kāi)資料顯示,從英特爾公布的邏輯晶體管密度進(jìn)化方向看22nm→14nm,英特爾達(dá)成了2.5倍晶體管密度提升;而14nm→10nm,英特爾的目標(biāo)是2.7倍的晶體管密度提升。英特爾當(dāng)年稱其為Hyper Scaling超級(jí)縮放。這些值可謂是非常的客觀的,畢竟臺(tái)積電N7→N5 1.9x密度提升,N5→N3 1.6x密度提升已經(jīng)是業(yè)界領(lǐng)先了。fqpesmc
同樣的,業(yè)界有許多人士認(rèn)為,英特爾10nm、7nm工藝難產(chǎn)的關(guān)鍵,就在英特爾對(duì)于晶體管密度的偏執(zhí)上。英特爾在2021年對(duì)其工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了改名操作,并推出了4年更新5代節(jié)點(diǎn)的設(shè)想,實(shí)際上都是對(duì)過(guò)去偏執(zhí)于晶體管密度提升這一傳統(tǒng)的拋棄。fqpesmc
從臺(tái)積電、三星、英特爾的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)計(jì)劃看,如果大家的工藝進(jìn)程都按時(shí)推進(jìn)的話,三家可能會(huì)在2024或2025年兩年里推出的2nm工藝上正面交鋒,屆時(shí)又將發(fā)生什么樣的變數(shù)呢?我們拭目以待!fqpesmc
責(zé)編:Elaine