?？瓢雽?dǎo)體SiC外延片投產(chǎn)

11月23日，?？瓢雽?dǎo)體科技（蘇州）有限公司（以下簡稱“?？瓢雽?dǎo)體”）碳化硅外延片正式投產(chǎn)。rZVesmc

據(jù)“蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布”消息，希科半導(dǎo)體成立于2021年，是一家致力于發(fā)展第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料的高科技公司，主營6英寸及8英寸碳化硅外延片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，是蘇州工業(yè)園區(qū)重點引進(jìn)和培育的第三代半導(dǎo)體企業(yè)。目前，?？瓢雽?dǎo)體關(guān)鍵研發(fā)及生產(chǎn)設(shè)備、量測設(shè)備已投入使用，其樣片已通過國家重點實驗室等第三方機(jī)構(gòu)檢測。rZVesmc

根據(jù)“蘇州道博環(huán)保技術(shù)服務(wù)有限公司”官網(wǎng)今年年初發(fā)布的?？频奶蓟桧椖凯h(huán)評公示，該項目擬投資7620萬元，預(yù)計建成后，可實現(xiàn)年研發(fā)碳化硅襯底外延片5000片。rZVesmc

希科半導(dǎo)體董事長兼總經(jīng)理呂立平介紹，當(dāng)前，?？瓢雽?dǎo)體已實現(xiàn)了工藝設(shè)備、量測機(jī)臺、關(guān)鍵原材料三位一體的國產(chǎn)化，解決了碳化硅外延片產(chǎn)品生產(chǎn)的卡脖子問題。計劃未來3年繼續(xù)投入超3億元，建成年產(chǎn)5萬片的生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元。rZVesmc

芯聆半導(dǎo)體總部項目落戶蘇州

11月23日，芯聆半導(dǎo)體總部項目簽約落戶蘇州高新區(qū)，將致力于高端功放芯片細(xì)分領(lǐng)域的全鏈條發(fā)展。rZVesmc

據(jù)“蘇州高新區(qū)發(fā)布”消息，芯聆半導(dǎo)體成立于2021年，主要從事中大功率的高端功放芯片的開發(fā)。公司由國內(nèi)資深的混合信號類功放設(shè)計專家團(tuán)隊組建，對車規(guī)級功放芯片的設(shè)計、工藝、封裝、認(rèn)證、市場渠道等擁有多年積累。rZVesmc

今年7月，芯聆半導(dǎo)體獲得由瑞聲科技領(lǐng)投的Pre A輪融資，芯聆半導(dǎo)體該輪融資將用于車規(guī)級Class D功放芯片的開發(fā)量產(chǎn)，及持續(xù)的研發(fā)和團(tuán)隊投入。rZVesmc

目前，芯聆半導(dǎo)體多通道車規(guī)級Class D芯片正式流片，芯片滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到高效率、高可靠、高音質(zhì)，低EMI的音頻功放水平，已實現(xiàn)車規(guī)級功放Class D芯片量產(chǎn)，預(yù)計在1-3年內(nèi)完成汽車前裝的多款功放的適配開發(fā)，并形成車規(guī)級的產(chǎn)品線。rZVesmc

華潤微電子迪思高端掩模項目奠基

11月22日，華潤微電子迪思高端掩模項目奠基儀式在無錫高新區(qū)舉行。據(jù)介紹，無錫迪思微電子有限公司是華潤微電子旗下的重點企業(yè)，長期聚焦光掩模制造領(lǐng)域。rZVesmc

據(jù)悉，掩膜版為集成電路制造前道光刻核心工藝的關(guān)鍵材料。目前國內(nèi)中高端掩膜版市場主要由國外企業(yè)壟斷。隨著國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)和先進(jìn)工藝的推進(jìn)，高端掩膜版的需求持續(xù)放量增長。rZVesmc

此次奠基的迪思高端掩模項目，投資約13億元，將建設(shè)40納米先進(jìn)光掩模產(chǎn)線，助力進(jìn)一步提高掩模制程能力，實現(xiàn)產(chǎn)能和技術(shù)水平的雙提升，同時還將填補(bǔ)國內(nèi)高端掩模代工領(lǐng)域的空白。rZVesmc

掩模是IC制造的重要一環(huán)，是芯片下游產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)流程銜接的關(guān)鍵部分。迪思高端掩模項目落成后，無錫迪思微電子將成為國內(nèi)知名的開放式掩模工廠之一。rZVesmc

芯粵能SiC芯片制造項目潔凈室啟用

11月21日，廣東芯粵能碳化硅芯片制造項目潔凈室正式啟用，創(chuàng)造了國內(nèi)6英寸和8英寸兼容碳化硅芯片項目建設(shè)記錄。rZVesmc

資料顯示，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司位于廣州市南沙自貿(mào)區(qū)，是一家面向車規(guī)級和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造和研發(fā)企業(yè)，產(chǎn)品主要包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域。rZVesmc

芯粵能半導(dǎo)體總投資75億元，占地面積150畝，建成年產(chǎn)24萬片6英寸和24萬片8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線，是目前國內(nèi)知名的專注于車規(guī)級碳化硅芯片制造的企業(yè)，分別被廣東省、廣州市和南沙區(qū)列為重點建設(shè)項目。rZVesmc

項目潔凈室的正式啟用標(biāo)志著工藝設(shè)備的有序搬入和調(diào)試，為2023年初項目試投產(chǎn)能盡快實現(xiàn)碳化硅芯片制造生產(chǎn)線批量投產(chǎn)做好準(zhǔn)備。rZVesmc

合肥高端濺射靶材生產(chǎn)基地開工

11月23日，廣東歐萊高新材料股份有限公司在合肥新站高新區(qū)舉行了合肥歐萊高端濺射靶材生產(chǎn)基地開工儀式。rZVesmc

為實現(xiàn)高端濺射靶材的國產(chǎn)化替代，合肥歐萊高端濺射靶材生產(chǎn)基地項目計劃投資約3億元，建筑面積共43200平方米，計劃于2023年12月投產(chǎn)。rZVesmc

廣東歐萊高新材料股份有限公司成立以來專注于濺射靶材的研發(fā)生產(chǎn)，突破了濺射靶材生產(chǎn)制造的“卡脖子”技術(shù)，率先實現(xiàn)了TFT高純鋁旋轉(zhuǎn)靶材的國產(chǎn)化，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體顯示（TFT/OLED）、半導(dǎo)體芯片、光伏、動力電池新能源、建筑和汽車玻璃、光學(xué)光通訊、裝飾鍍工具鍍等行業(yè)。與京東方、華星光電、惠科股份等國產(chǎn)液晶面板龍頭企業(yè)均建立了良好合作關(guān)系。rZVesmc

高端濺射靶材是新型顯示和半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上游的關(guān)鍵原材料。此次歐萊新材在合肥成立靶材生產(chǎn)基地，并設(shè)立半導(dǎo)體集成電路靶材研發(fā)中心，生產(chǎn)新型顯示靶材及半導(dǎo)體集成電路靶材，為國內(nèi)新型顯示產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體集成電路行業(yè)提供關(guān)鍵原材料，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈自主可控能力。rZVesmc

立琻半導(dǎo)體一期廠房落成

11月21日，立琻半導(dǎo)體（LEKIN）一期廠房落成典禮在蘇州太倉高新區(qū)舉行。最新消息，其廠房內(nèi)部第一條生產(chǎn)線的設(shè)備已全部搬入，正準(zhǔn)備進(jìn)行調(diào)試。rZVesmc

據(jù)了解，該項目一期投資10億元，打造化合物半導(dǎo)體光電器件研發(fā)制造基地，總建筑面積15283平方米，主要產(chǎn)品包括高效紫外LED、紅外VCSEL、車用LED等高性能半導(dǎo)體光電器件。預(yù)期項目建成后，將成為國內(nèi)新興的高性能光電半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，進(jìn)一步提高我國在化合物半導(dǎo)體核心器件上的競爭優(yōu)勢。rZVesmc

資料顯示，立琻半導(dǎo)體成立于2021年3月，致力于提供光電子芯片、智能傳感、新型顯示等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域的化合物半導(dǎo)體光電產(chǎn)品。在成立之初，立琻半導(dǎo)體成功競標(biāo)收購了世界500強(qiáng)LG的光電化合物半導(dǎo)體事業(yè)部資產(chǎn)，具體包括近萬件專利、相關(guān)技術(shù)與成套工藝設(shè)備。rZVesmc

芯宇半導(dǎo)體項目月底投產(chǎn)

據(jù)“鹽城經(jīng)開區(qū)發(fā)”披露，總投資1億美元的芯宇半導(dǎo)體項目11月底將全面竣工投產(chǎn)。rZVesmc

芯宇半導(dǎo)體項目由全球領(lǐng)先的移動存儲芯片封裝測試提供商香港艾發(fā)科技有限公司投資建設(shè)，主要從事存儲類芯片的設(shè)計、封裝測試及銷售，其中測試業(yè)務(wù)占70%，封裝業(yè)務(wù)占30%。由于經(jīng)營業(yè)務(wù)對生產(chǎn)環(huán)境要求極高，生產(chǎn)車間嚴(yán)格按照萬級、千級無塵凈化標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行建設(shè)。rZVesmc

“鹽城經(jīng)開區(qū)發(fā)”介紹稱，目前，首批進(jìn)場的150臺（套）設(shè)備已完成安裝調(diào)試，并開始試生產(chǎn)，前期人員招聘培訓(xùn)也已完成。同時，第二批151臺（套）設(shè)備已于10月底全部到場，正在進(jìn)行安裝調(diào)試，將于11月底全面竣工投產(chǎn)。屆時，項目可實現(xiàn)年產(chǎn)4320萬顆芯片，年銷售不低于17億元。rZVesmc

北京中科芯電分子束外延片項目簽約

近日，常熟經(jīng)開區(qū)舉行金秋重點產(chǎn)業(yè)項目集中簽約儀式，其中包括北京中科芯電分子束外延片項目rZVesmc

據(jù)悉，北京中科芯電分子束外延片項目總投資5億元，其中設(shè)備投資約4.8億元，將建設(shè)砷化鎵分子束外延片規(guī)?；a(chǎn)基地及MOCVD生產(chǎn)線，年產(chǎn)6寸微電子及光電子外延片超70萬片，達(dá)產(chǎn)后年銷售超過7億元，年納稅超6000萬元。rZVesmc

團(tuán)隊由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所博導(dǎo)曾一平領(lǐng)銜，成員多為國內(nèi)半導(dǎo)體材料行業(yè)尖端人才。其核心產(chǎn)品指標(biāo)達(dá)到國際一流水平，是國內(nèi)極少數(shù)的量產(chǎn)供應(yīng)商。rZVesmc

普興公司新產(chǎn)業(yè)基地首片SiC外延“出爐”

11月16日，電科材料下屬普興公司新外延材料產(chǎn)業(yè)基地第一片硅外延和碳化硅外延相繼“出爐”，實現(xiàn)了新產(chǎn)業(yè)基地外延生產(chǎn)從0到1的突破，后續(xù)將進(jìn)行新品全尺寸檢測評估并向客戶提供驗證樣片。rZVesmc

據(jù)“中電材料”消息，普興公司是中電科旗下控股公司，致力于高性能半導(dǎo)體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn)。2021年9月，普興公司布局第三代半導(dǎo)體碳化硅外延業(yè)務(wù)，實施總投資16.7億元的外延材料產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)項目。rZVesmc

新基地占地面積130畝，并于今年4月完成主廠房封頂，9月搬入首批生產(chǎn)、檢驗設(shè)備，11月實現(xiàn)了首片硅外延和碳化硅外延下線。根據(jù)此前的資料，普新公司將新購置各類外延生產(chǎn)及清洗檢驗設(shè)備共392臺（套），項目投產(chǎn)后，普興公司將達(dá)到年產(chǎn)300萬片8英寸硅外延片、36萬片6英寸碳化硅外延產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。rZVesmc