2021年11月，ASML與韓國(guó)華城簽署了備忘錄，計(jì)劃在韓國(guó)投資2400億韓元建設(shè)光刻設(shè)備再制造工廠及培訓(xùn)中心，主要用途是為韓國(guó)當(dāng)?shù)剡\(yùn)行的EUV光刻機(jī)的維護(hù)和升級(jí)提供助力。vUWesmc
對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃，Peter Wennink于11月15日表示，新High-NA EUV微影曝光設(shè)備有望于2024年出貨，首次應(yīng)用于晶圓廠，單臺(tái)成本3億-3.5億歐元。vUWesmc
資料顯示，High-NA EUV系統(tǒng)將提供0.55數(shù)值孔徑，與0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV相比，精度提高，具更高解析度圖像化能力，以完成更小電晶體，對(duì)2納米以下制程是必要設(shè)備。vUWesmc
客戶方面，雖然價(jià)格高昂，但今年年初ASML依然收到了來(lái)自英特爾的最新款High-NA EUV“EXE:5200”首張訂單，并預(yù)計(jì)到2025年將該設(shè)備加入量產(chǎn)，除英特爾外，臺(tái)積電亦有下單。而三星、SK海力士雖未公開(kāi)證實(shí)，但也傳出向ASML下訂單。從目前需求看，ASML年產(chǎn)20臺(tái)可能會(huì)供不應(yīng)求，所以芯片廠可能為了先獲得設(shè)備展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)。vUWesmc
此前ASML曾表示，計(jì)劃在2025年到2026年進(jìn)一步提高產(chǎn)能，包括年產(chǎn)90臺(tái)EUV（極紫外光）光刻機(jī)和600臺(tái)DUV（深紫外光）光刻機(jī)，同時(shí)，在2027年到2028年，增產(chǎn)20個(gè)系統(tǒng)高NA EUV光刻機(jī)。vUWesmc
Wennink指出，High-NA EUV設(shè)備將于2024年首次應(yīng)用于晶圓廠，長(zhǎng)期計(jì)劃為年產(chǎn)20臺(tái)。vUWesmc
被問(wèn)及全球芯片市場(chǎng)，Wennink認(rèn)為，雖然短期低迷持續(xù)，但從中長(zhǎng)期看，市場(chǎng)只會(huì)成長(zhǎng)，并預(yù)計(jì)未來(lái)10年，半導(dǎo)體市場(chǎng)平均每年成長(zhǎng)9%，2030年產(chǎn)值將落在1萬(wàn)億至1.3萬(wàn)億美元。其表示，隨著全球?qū)ο冗M(jìn)芯片的需求日益飆升，公司可能會(huì)進(jìn)行并購(gòu)。vUWesmc
責(zé)編：Momoz
