DRAM：顆粒盤(pán)勢(shì)持續(xù)收跌
本周DRAM市況依舊冷清蕭條，原廠(chǎng)與工廠(chǎng)庫(kù)存水位仍因終端需求驟降而調(diào)節(jié)有限，造成供貨商與日俱增的出貨壓力，雖釋出大量低價(jià)來(lái)吸引買(mǎi)單，但買(mǎi)方購(gòu)貨態(tài)度依然未有改變，整體顆粒盤(pán)勢(shì)持續(xù)收跌。urresmc
DDR4 1Gx8 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC價(jià)格落在USD2.30附近；Samsung WC-BCWE報(bào)價(jià)向下修正來(lái)到USD2.15~2.20，WC-BCTD市場(chǎng)一般報(bào)價(jià)為USD2.05。urresmc
DDR4 512x8 2400部分，Samsung 2WE-BCRC價(jià)格落在USD1.3X~1.40上下，WF-BCTD報(bào)價(jià)下跌至USD1.30左右。urresmc
DDR4 512x16 2666/3200部分，SK Hynix CJR-VKC報(bào)價(jià)維持在USD2.40附近；Samsung WC-BCWE價(jià)格為USD2.10~2.15，WC-BCTD維持在USD2.00。urresmc
DDR4 256x16部分，Samsung WF-BCTD亦同樣維持在USD1.33附近。urresmc
模組現(xiàn)貨價(jià)格參考：urresmc
KST DDR4 8G 2666 $19.80urresmc
KST DDR4 16G 2666 $39.50urresmc
KST DDR4 8G 3200 $20.00urresmc
KST DDR4 16G 3200 $40.00urresmc
KST DDR4 32G 3200 $83.30urresmc
NAND Flash：整體盤(pán)勢(shì)依舊疲軟蕭條
本周NAND Flash市場(chǎng)需求零星且較為被動(dòng)分散，工廠(chǎng)端抱持未來(lái)11月仍受美光季底效應(yīng)影響，針對(duì)手上現(xiàn)有訂單采取偏低市場(chǎng)行情議價(jià)，且用少量分批采購(gòu)策略，Kioxia及Micron特定料號(hào)需求在相對(duì)低價(jià)部位有些許交集，但無(wú)法帶動(dòng)整體買(mǎi)氣，顆粒表現(xiàn)大多不甚理想，整體盤(pán)勢(shì)亦維持疲軟蕭條。urresmc
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其中，Samsung SLC顆粒需求略顯被動(dòng)，雖受到其余品牌顆粒需求詢(xún)單，但在價(jià)格上仍處高位，買(mǎi)方接受度有限，最終未能成交。urresmc
SK Hynix SLC顆粒需求集中于2G/4G低價(jià)部位，但受限于終端工廠(chǎng)接單價(jià)不高，目標(biāo)價(jià)格無(wú)法提升，供應(yīng)端現(xiàn)貨有限，雙方成交量遲遲未能放大，交易動(dòng)能亦無(wú)法帶動(dòng)其余顆粒成長(zhǎng)。urresmc
Micron SLC顆粒需求表現(xiàn)安靜，買(mǎi)方大多預(yù)期未來(lái)仍有跌價(jià)空間，且供應(yīng)商手上仍有庫(kù)存，買(mǎi)氣表現(xiàn)不佳，價(jià)格波動(dòng)幅度較小。urresmc
Kioxia SLC價(jià)格呈現(xiàn)小幅振蕩后趨緩，整體氛圍保守觀望，雙方未有明顯交集，交易情況亦不甚明朗。urresmc
TF卡：整體價(jià)格表現(xiàn)疲軟
本周TF卡表現(xiàn)平淡，終端需求未有改善，市場(chǎng)動(dòng)能表現(xiàn)萎靡，買(mǎi)家詢(xún)單動(dòng)作不積極，供應(yīng)商報(bào)價(jià)稍顯被動(dòng)，整體價(jià)格表現(xiàn)疲軟，成交情況不理想。urresmc
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責(zé)編：Momoz
