雙十一購(gòu)物節(jié)即將來臨，卻未見任何強(qiáng)勁備貨動(dòng)能，整體市場(chǎng)銷售狀況仍屬疲弱，各家模組廠僅能在消耗庫(kù)存的同時(shí)減少顆粒的采購(gòu)，造成現(xiàn)貨動(dòng)能持續(xù)降低以及價(jià)格不斷下修的窘境，市場(chǎng)氛圍依然呈現(xiàn)著憂慮悲觀情緒。U9Vesmc
DDR4 1Gx8 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC一般價(jià)格落在USD2.4x；Samsung WC-BCWE報(bào)價(jià)下修至USD2.37，WC-BCTD市場(chǎng)價(jià)格為USD2.35左右。U9Vesmc
DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC價(jià)格維持在USD1.5x，WF-BCTD報(bào)價(jià)下跌至USD1.42上下。U9Vesmc
DDR4 512x16 2666/3200部分，SK Hynix CJR-VKC報(bào)價(jià)落在USD2.45附近；Samsung WC-BCWE價(jià)格小幅下滑至USD2.38，WC-BCTD跌幅較為明顯，下修至USD2.20。U9Vesmc
DDR4 256x16部分，Samsung WF-BCTD小幅調(diào)降至USD1.37附近。U9Vesmc
模組現(xiàn)貨價(jià)格參考：U9Vesmc
KST DDR4 8G 2666 $19.80U9Vesmc
KST DDR4 16G 2666 $39.50U9Vesmc
KST DDR4 8G 3200 $20.00U9Vesmc
KST DDR4 16G 3200 $40.00U9Vesmc
KST DDR4 32G 3200 $83.30U9Vesmc
NAND Flash 整體動(dòng)能明顯停滯U9Vesmc
NAND Flash市場(chǎng)，本周原廠端顆粒有些許到貨，供應(yīng)端順勢(shì)調(diào)整報(bào)價(jià)舒解賣壓，工廠端雖釋出少量詢單于特定料號(hào)，仍受限于目標(biāo)價(jià)格及料號(hào)限制，最終交易仍顯零星；Samsung wafer需求表現(xiàn)不佳，導(dǎo)致現(xiàn)貨賣壓涌現(xiàn)，eMMC/SSD終端需求觀望保守，導(dǎo)致市場(chǎng)整體動(dòng)能明顯停滯無力承接，盤勢(shì)亦長(zhǎng)期處于跌勢(shì)。U9Vesmc
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其中，Samsung SLC顆粒報(bào)價(jià)持續(xù)下修，2G相對(duì)低價(jià)部位有些許詢單釋出，但雙方議價(jià)空間有限，最終成交量仍顯零星。U9Vesmc
SK Hynix SLC顆粒持續(xù)受到Kioxia顆粒庫(kù)存調(diào)整影響，市場(chǎng)價(jià)格微幅振蕩，部分供應(yīng)端預(yù)期低價(jià)優(yōu)勢(shì)上能刺激出些許買單，但買方受限于指定料號(hào)，替代程度有限，以致未能進(jìn)場(chǎng)承接。U9Vesmc
Micron SLC顆粒詢單力道仍相對(duì)薄弱，現(xiàn)貨供應(yīng)量不足且價(jià)格未有優(yōu)勢(shì)，導(dǎo)致詢單動(dòng)能較不明顯。U9Vesmc
Kioxia SLC顆粒調(diào)節(jié)庫(kù)存部分報(bào)價(jià)疲軟下跌，尤其在1G/2G部分較為明顯，詢單力道不足，價(jià)格依舊呈現(xiàn)跌勢(shì)。U9Vesmc
TF卡 整體盤勢(shì)持續(xù)下滑U9Vesmc
本周TF卡表現(xiàn)相對(duì)平淡，終端需求依然薄弱，市場(chǎng)問價(jià)動(dòng)作零星，多數(shù)買家態(tài)度保守，供應(yīng)端賣壓較大，下調(diào)價(jià)格求售，但效果不理想，低價(jià)位承受力道仍是不足，雙方成交量較少，整體盤勢(shì)持續(xù)下滑。U9Vesmc
責(zé)編：Elaine
