DRAM：現(xiàn)貨價(jià)格連日小跌
由于先前正值長假，因此現(xiàn)貨交易動(dòng)能完全停滯。值得注意的是，DRAM原廠釋出減產(chǎn)的意向，竟對(duì)現(xiàn)貨價(jià)格提升完全沒有正向效應(yīng)發(fā)生，仍呈現(xiàn)連日小跌態(tài)勢(shì)。在需求面實(shí)際轉(zhuǎn)佳以前，難以看到現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)反彈。GV5esmc
DDR4 1Gx8 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC一般價(jià)格落在USD2.4x；Samsung WC-BCWE報(bào)價(jià)維持在USD2.40上下，WC-BCTD市場(chǎng)價(jià)格為USD2.35左右。GV5esmc
DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC價(jià)格為USD1.5x，WF-BCTD報(bào)價(jià)維持在USD1.45上下。GV5esmc
DDR4 512x16 2666/3200部分，SK Hynix CJR-VKC報(bào)價(jià)下跌至USD2.50附近；Samsung WC-BCWE價(jià)格維持在USD2.40附近，WC-BCTD一般報(bào)價(jià)為USD2.35上下。GV5esmc
DDR4 256x16部分，Samsung WF-BCTD小幅調(diào)降至USD1.38附近。GV5esmc
模組現(xiàn)貨價(jià)格參考：GV5esmc
KST DDR4 8G 2666 $19.80GV5esmc
KST DDR4 16G 2666 $39.50GV5esmc
KST DDR4 8G 3200 $20.30GV5esmc
KST DDR4 16G 3200 $40.50GV5esmc
NAND Flash：各品牌wafer相對(duì)價(jià)高
假期結(jié)束，NAND Flash市場(chǎng)逐步恢復(fù)需求動(dòng)能，但因原廠端官價(jià)釋出走跌，且部分供應(yīng)端并未開倉出貨，造成整體買氣較為分散且不連續(xù)，各品牌wafer仍是相對(duì)價(jià)高乏人問津，盡管Micron 64G低價(jià)部位有些許積極詢單，但受限于指定料號(hào)，最終仍未能成交，其余SLC顆粒表現(xiàn)不如預(yù)期，整體盤勢(shì)大致維持疲軟且有議價(jià)空間，實(shí)際交易情況并不熱絡(luò)。GV5esmc
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其中，Samsung SLC顆粒需求呈現(xiàn)斷斷續(xù)續(xù)，買方詢單動(dòng)作保守，目標(biāo)價(jià)格遲遲未能釋出，實(shí)際交易情況不甚明朗，價(jià)格呈現(xiàn)微幅波動(dòng)。GV5esmc
SK Hynix SLC顆粒需求不如預(yù)期，買方仍期望現(xiàn)貨價(jià)跌勢(shì)擴(kuò)大，供應(yīng)端大多保守微幅調(diào)整報(bào)價(jià)，無法有力刺激需求轉(zhuǎn)向，低價(jià)部位力道有限，。GV5esmc
Micron SLC顆粒低價(jià)部位有些許詢單，但買方主要需求仍以Kioxia為主，供需雙方態(tài)度略顯被動(dòng)，交易情況不甚明朗。GV5esmc
Kioxia SLC價(jià)格回落后，工廠順勢(shì)釋出少量庫存以降低資金成本，盤勢(shì)依舊呈現(xiàn)緩緩滑落。GV5esmc
TF卡：市場(chǎng)價(jià)格表現(xiàn)疲軟
本周TF卡表現(xiàn)較為安靜，節(jié)后市場(chǎng)需求依然有限，買家問價(jià)動(dòng)作不積極，多數(shù)仍處于觀望狀態(tài)，市場(chǎng)價(jià)格表現(xiàn)疲軟，整體成交情況仍是不理想。GV5esmc
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責(zé)編：Momoz
