據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，第四季度DRAM價格跌幅將擴大至13~18%。yEMesmc

DDR5對比DDR4的優(yōu)勢yEMesmc

從過往歷史看，每代DDR新標(biāo)準發(fā)布后都需要經(jīng)過2年左右的優(yōu)化，才能實現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升，而后實現(xiàn)對上一代產(chǎn)品的市場替代則可能需要3到5年的時間。業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據(jù)悉，DDR4存儲器標(biāo)準于2012年發(fā)布，而其初代產(chǎn)品于2014年入市，直到2016年才實現(xiàn)了市場份額的大幅提升。yEMesmc

公開資料顯示，與DDR4相比，DDR5將提供兩倍以上的有效帶寬，有助于緩解每個核心的帶寬緊縮，進一步推動CPU內(nèi)核數(shù)量的增加，使計算能力逐年提高。而三大廠商美光、三星、SK海力士在2021年下半年就陸續(xù)宣布量產(chǎn)DDR5產(chǎn)品。不過由于其最新款產(chǎn)品在當(dāng)時產(chǎn)能還處于爬坡期，售價還較高，性能也未發(fā)展到最優(yōu)，市場接受度也較低。yEMesmc

目前，從推出DDR5標(biāo)準至今已有兩年時間，JEDEC最近也對DDR5標(biāo)準 (JESD79-5A)進行了更新，包括密集型云和企業(yè)數(shù)據(jù)中心應(yīng)用驅(qū)動的需求要求，為開發(fā)人員提供了兩倍的性能和大大提高的能效。yEMesmc

為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進的DRAM單元技術(shù)節(jié)點，例如D1z或D1a (D1α)代，這是10納米級DRAM節(jié)點的第3代或第4代。DDR5內(nèi)存包含多項創(chuàng)新和新的DIMM架構(gòu)，可實現(xiàn)速度等級跳躍并支持未來擴展。yEMesmc

巨頭紛紛押注DDR5yEMesmc

業(yè)界預(yù)測今年將是DDR5的預(yù)熱年，而從明年開始，DDR5滲透率將大幅提升。當(dāng)下，由于電子消費市場疲軟導(dǎo)致的存儲芯片價格不及預(yù)期，各大廠家紛紛押注技術(shù)創(chuàng)新，并聚焦于DDR5產(chǎn)品的快速推出。隨著DDR5價格的親民化，其入市速度或?qū)⒓铀佟?span style="display:none">yEMesmc

繼DDR5 DRAM成為英特爾“Alder Lake”第12代處理器的標(biāo)準配置之后，AMD也宣布其7000系列處理器將支持DDR5內(nèi)存，并于今年9月27日正式上市。AMD表示，該平臺將不再支持DDR4，只支持DDR5產(chǎn)品，這無疑將進一步擴大DDR5內(nèi)存的需求。yEMesmc

近期，美光在DDR5產(chǎn)品的研發(fā)方面上也喜獲進展。美光科技CEO Sanjay Merotra此前宣布，將向企業(yè)銷售服務(wù)器用DDR5 DRAM。10月初，外媒消息顯示，美光在英特爾的“Intel Innovation”活動中也展示了最新的JEDEC標(biāo)準DDR5-5600內(nèi)存。yEMesmc

而三星則正在與AMD共同研發(fā)單條容量達512GB、甚至1TB的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。據(jù)悉，三星在與AMD的探討中，找到了DDR5 DRAM的研發(fā)新方向，能夠?qū)?nèi)存核心容量提高到32Gb，將堆棧層數(shù)提升至8H，多種技術(shù)之下可以實現(xiàn)32Gb、3DS、8H堆棧，內(nèi)存單條容量可提升到512GB甚至1TB，這也意味著系統(tǒng)內(nèi)存容量可提升至32TB。yEMesmc

近日，三星在Samsung Foundry Forum 2022活動中表示，今年三星將進入1bnm工藝階段，內(nèi)存芯片容量將達到24Gb（3GB）-32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbps，新一代GDDR7顯存將在明年問世。此外，三星計劃2026年推出DDR6內(nèi)存，2027年實現(xiàn)原生10Gbps的速度。‍yEMesmc