2027年將量產1.4nm芯片

三星主管晶圓代工業(yè)務的社長崔時榮表示，將基于下一代晶體管結構全環(huán)繞柵極（GAA）技術不斷創(chuàng)新工藝，計劃從2024年開始批量生產第二代3nm芯片，2025年引進2nm芯片制造工藝，2027年引進1.4nm工藝。這是三星首次公布1.4nm芯片量產計劃。yBoesmc

在晶圓代工方面，三星一直將臺積電視為強勁對手。三星此次宣布將于2027年量產1.4nm工藝的芯片，旨在使用領先技術增加客戶公司，趕超晶圓代工行業(yè)龍頭臺積電。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，在晶圓代工領域，2022年上半年臺積電的市占率排名全球第一，三星則居位第二。yBoesmc

臺積電于今年5月宣布開發(fā)1.4nm工藝，目前正推進1.4nm工藝開發(fā)，但未公布具體量產時間，據(jù)半導體業(yè)界預測其量產時間為2027~2028年。臺積電還在今年8月底宣布，2nm制程將于2025年量產。另外，去年投入代工業(yè)務的英特爾，將于2024年和2025年分別引入2nm工藝、1.8nm工藝，但未提及1.4nm工藝。yBoesmc

三星于今年6月底宣布量產3nm工藝，但是目前其3nm工藝并未獲得頭部大客戶的訂單。三星對此則表示，正在與潛在客戶進行3nm合作談判，包括高通、特斯拉和AMD。yBoesmc

臺積電、三星、英特爾已然開啟了新一輪先進制程競賽，而三星此次則搶先一步公布了2nm和1.4nm工藝的具體開發(fā)發(fā)展藍圖。yBoesmc

隨著人工智能、5G等技術廣泛發(fā)展，高性能、超小型芯片的需求正在不斷擴大。三星致力于技術開發(fā)的原因是"5nm以下"超微工藝相關市場正在不斷擴大。而三星雄心勃勃地向前的另外一個潛在原因是致力于實現(xiàn)"在技術上絕不落后于臺積電"的目標。此外，客戶方面，近年來，英偉達、谷歌等大戶陸續(xù)加入了三星客戶群。yBoesmc

值得一提的是，三星計劃在美國德克薩斯州泰勒市的"晶圓代工第二生產線"上優(yōu)先使用“ShellFirst戰(zhàn)略”。通過該戰(zhàn)略，三星計劃到2027年將晶圓代工產能增加至現(xiàn)在的3倍。yBoesmc

目前，三星都是客戶公司下單后才根據(jù)其需求建立生產線，而未來將先建立生產線再接受客戶訂單。yBoesmc

何為“ShellFirst戰(zhàn)略”？據(jù)韓國經濟日報報道，三星晶圓代工事業(yè)部提出的"ShellFirst"戰(zhàn)略的核心是擺脫"先接單后投資"的傳統(tǒng)接單戰(zhàn)略框架。其構想是，通過三星的主要專長"大規(guī)模投資"建設工廠，以此吸引客戶，轉換生產線。如果比喻成建設公司，它類似于建造一個高端的高檔公寓樓“建成后銷售”，而不是在建造之前預售公寓。yBoesmc

三星半導體業(yè)務的DS（設備解決部分）部門負責人慶桂顯（Kyung Kye-hyun）在上月表示，代工廠相當于酒店業(yè)，三星將改變生產方式，先建設“酒店房間”而后開展業(yè)務。yBoesmc

而三星在德克薩斯州奧斯汀市已有一家工廠，并正在附近的泰勒市建設一家工廠。新工廠將于2024年開始運營，可能會使用最新的生產方法，如3nm技術工藝。三星還有四個晶圓代工據(jù)點，分別位于美國奧斯汀以及韓國器興、華城與平澤。yBoesmc

未來NAND閃存堆疊超1000層？

在此次活動中，三星首次推出了其第8代V-NAND（512Gb），位密度提高了42%，在迄今為止的512Gb三級單元（TLC）內存產品中達到了業(yè)界最高的位密度。該公司表示，全球最高容量的1Tb TLC V-NAND將于今年年底向客戶提供。三星還透露了其他產品的進度。yBoesmc

NAND方面，目前，三星正在量產第7代Vertical NAND（V-NAND）閃存，其第九代V-NAND正在開發(fā)中，并計劃從2024年開始量產第9代NAND閃存。yBoesmc

為了增加存儲容量，美光、鎧俠等公司在NAND閃存領域的層數(shù)競爭中愈演愈烈，三星稱，到2030年，公司設想堆疊超過1000層，以更好地支持未來的數(shù)據(jù)密集型技術。yBoesmc

DRAM方面，三星正在量產第4代10nm級DRAM，而目前1b DRAM正在開發(fā)中，并計劃從2023年開始量產第5代10nm級（1b）DRAM。與目前主力第4代10nm級DRAM相比，三星第五代10nm級DRAM的線寬（半導體中電子經過的電路寬度）減少了2nm以上。yBoesmc

為了克服DRAM擴展到10nm范圍以外的挑戰(zhàn)，三星一直在開發(fā)圖案、材料和架構方面的顛覆性解決方案，高K材料等技術正在順利進行中。yBoesmc

此外，三星還計劃2026年推出DDR6內存，2027年實現(xiàn)原生10Gbps的速度。yBoesmc

半導體產業(yè)轉入冰河期？

據(jù)韓國經濟日報報道，受到全球通脹、各國央行升息引發(fā)經濟降溫，以及半導體需求急速萎縮等影響，三星已將下半年的半導體銷售較4月的預期下調了30%以上。yBoesmc

三星DS部門負責人慶桂顯（Kyung Kye-hyun）在9月28日舉行的員工座談會上表示，三星今年下半年銷售預測（公司內部預測值）比4月份的預測值降低了32%。根據(jù)證券公司此前預測，三星下半年半導體銷售的預測值將由原來的67萬億韓元下調到45萬億韓元左右。yBoesmc

目前業(yè)界普遍預期，半導體產業(yè)已經開始進入冰河期，當前的低迷局面恐持續(xù)至2023年上半年半導體庫存緩解為止。yBoesmc

雖然半導體市場已進入冰河期，但三星不會減產。三星表示，明年將在全球首次量產第5代10nm級DRAM等，并決定繼續(xù)保持其在存儲半導體市場的優(yōu)勢地位。yBoesmc

美光此前宣布將減產DRAM和NAND Flash，并計劃明年將開支縮減30%以上，降低工廠開工率。yBoesmc

日本鎧俠(Kioxia)公司也緊隨美光表示，由于市場形勢不利，尤其是個人電腦和智能手機需求放緩，從今年10月起，其日本制造工廠將開始減少約30%的晶圓投產量。yBoesmc