DRAM：三星DDR3/DDR4顆粒價格上漲
前半周需求依然集中在三星品牌顆粒，DDR4/DDR3皆因?qū)嶋H需求而上漲，即便短期補(bǔ)貨潮帶動價格波動，隨時序即將進(jìn)入月底，到貨因素將影響著現(xiàn)貨價格重歸跌價走勢，整體市況扭轉(zhuǎn)力道有限。FcUesmc
DDR4 1Gx8 2666/3200部分，Samsung WC-BCWE價格在下半周已回落至USD2.50，WC-BCTD市場價格則是堅持在USD2.45左右。FcUesmc
DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC價格為USD1.6x，WF-BCTD訂貨報價落在USD1.45上下。FcUesmc
DDR4 512x16 2666/3200部分，SK Hynix CJR-VKC報價維持在USD2.75附近；Samsung WC-BCWE價格落在USD2.48~2.50，WC-BCTD一般報價為USD2.40。FcUesmc
DDR4 256x16部分，Samsung WE-BCRC價格下滑至USD1.50上下，WF-BCTD亦出現(xiàn)價格下滑情況，落在USD1.45附近。FcUesmc
模組現(xiàn)貨價格參考：FcUesmc
KST DDR4 8G 2666 $19.80FcUesmc
KST DDR4 16G 2666 $39.50FcUesmc
KST DDR4 8G 3200 $20.30FcUesmc
KST DDR4 16G 3200 $40.50FcUesmc
NAND Flash：市場氛圍表現(xiàn)悲觀
本周NAND Flash市場供需雙方皆積極調(diào)整報價，降低庫存，工廠端態(tài)度仍保守觀望以致進(jìn)場承接意愿偏低，僅在SLC特定料號有零星詢價，其余顆粒表現(xiàn)皆不明朗；eMMC部分亦受到wafer賣壓、官價調(diào)降及急單需求結(jié)束所造成的多方效應(yīng)影響，市場報價出現(xiàn)明顯下滑，相對低價部位雖有些許承接，但仍止不住跌勢下探，SSD成品表現(xiàn)斷斷續(xù)續(xù)，Good die顆粒無法消除wafer賣壓，整體市場氛圍表現(xiàn)悲觀。FcUesmc
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其中，Samsung SLC需求減緩，低價部位承接意愿偏低，實際成交量明顯縮減許多。 FcUesmc
SK Hynix SLC需求表現(xiàn)不佳，所幸現(xiàn)貨庫存量有限，供應(yīng)量相對不足，市場報價雖隨大盤微幅修正，但并未出現(xiàn)較明顯跌幅，僅小幅振蕩后趨緩。FcUesmc
Micron SLC價格表現(xiàn)相對穩(wěn)定，但因市場氛圍仍不理想，仍有些許議價空間，供需雙方未有交集，未見明顯成交。FcUesmc
Kioxia SLC部分供應(yīng)端及工廠持續(xù)調(diào)整庫存，雖未有主動降價動作，但整體盤勢仍呈現(xiàn)疲軟，保留議價空間，但實際情況不佳。FcUesmc
TF卡：市場價格表現(xiàn)疲軟
本周TF卡表現(xiàn)平淡，市場動能緩慢，整體需求依然不振，買家問價動作零星，市場價格表現(xiàn)疲軟，持續(xù)呈現(xiàn)下滑趨勢，低價位部分買家承接意愿保守，整體成交情況不明朗。FcUesmc
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責(zé)編：Momoz
