上周DRAM市場(chǎng)延續(xù)前一周需求，工廠采購(gòu)動(dòng)作明顯集中在Samsung DDR4品牌顆粒，購(gòu)貨量逐漸加大，在現(xiàn)貨量供應(yīng)短少情況下，價(jià)格持續(xù)攀升，亦紛紛以訂貨方式進(jìn)行采購(gòu)，但在終端需求無(wú)明確改善前，跌價(jià)風(fēng)險(xiǎn)依然存在。qzWesmc
DDR4 1Gx8 3200部分，SK Hynix DJR-XNC報(bào)價(jià)大約落在USD2.7x；Samsung WC-BCWE需求持續(xù)升溫，市場(chǎng)報(bào)價(jià)與成交價(jià)不斷提升，報(bào)價(jià)已來(lái)到2.55-2.60。qzWesmc
DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC價(jià)格為USD1.6x。qzWesmc
DDR4 512x16 2666部分，SK Hynix CJR-VKC報(bào)價(jià)為USD2.7x附近。qzWesmc
DDR4 256x16部分，Samsung WE-BCRC價(jià)格在USD1.7x。qzWesmc
模組現(xiàn)貨價(jià)格參考：qzWesmc
KST DDR4 8G 2666 $19.80qzWesmc
KST DDR4 16G 2666 $39.50qzWesmc
KST DDR4 8G 3200 $20.30qzWesmc
KST DDR4 16G 3200 $40.50qzWesmc
NAND Flash 市場(chǎng)報(bào)價(jià)振蕩走跌qzWesmc
本周NAND Flash市場(chǎng)整體氛圍不佳，工廠端終端需求訂單持續(xù)延宕，主動(dòng)釋出現(xiàn)有庫(kù)存以緩解現(xiàn)金壓力，部分貿(mào)易商亦受到顆粒到貨及賣壓影響，逐步跟進(jìn)降價(jià)，市場(chǎng)報(bào)價(jià)振蕩走跌，整體交易情況亦不甚理想，僅在特定品牌顆粒相對(duì)低價(jià)部位，受低價(jià)刺激影響，雖有些許成交于SLC及eMMC，但無(wú)法帶動(dòng)整體需求動(dòng)能，最終盤勢(shì)則不理想。qzWesmc
qzWesmc
其中，Samsung SLC顆粒1G/4G部分受低價(jià)刺激有些許詢單，但買方仍預(yù)期未來(lái)跌勢(shì)，目標(biāo)價(jià)格偏低，雙方成交不易，實(shí)際交易量未能放大。qzWesmc
SK Hynix SLC顆粒有少量需求集中于4G部分，但受限于現(xiàn)貨供應(yīng)量不足，買方降價(jià)意愿空間有限，最終交易情況多有局限。qzWesmc
Micron SLC 4G/8G顆粒報(bào)價(jià)仍持續(xù)下修，連帶影響其余容量顆粒報(bào)價(jià)滑落 ，買方未有承接動(dòng)作，買氣蕭條。qzWesmc
Kioxia SLC顆粒到貨賣壓浮現(xiàn)，現(xiàn)貨商積極調(diào)整報(bào)價(jià)求售，少許工廠零星需求趁機(jī)入市，但承接量過(guò)于零散，對(duì)于整體買氣無(wú)法拉抬，價(jià)格盤勢(shì)仍持續(xù)滑落。qzWesmc
TF卡 價(jià)格持續(xù)下滑qzWesmc
本周TF卡表現(xiàn)平淡，市場(chǎng)動(dòng)能緩慢， 整體需求依然不振，買家問(wèn)價(jià)動(dòng)作零星， 市場(chǎng)價(jià)格表現(xiàn)疲軟，持續(xù)呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)，低價(jià)位部分買家承接意愿保守，整體成交情況不明朗。qzWesmc
責(zé)編：Elaine
