再往前看，2021年9月24日，美國商務(wù)部發(fā)布“半導(dǎo)體供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)公開征求意見”，以“全球缺芯”為由，命令臺(tái)積電、三星等在內(nèi)的多家芯片相關(guān)企業(yè)交出客戶名單、庫存數(shù)量等機(jī)密數(shù)據(jù)和資料。390億美金是如何出來的，巧合還是意外？g5Gesmc

美國和臺(tái)積電都清楚“索要數(shù)據(jù)”背后的真實(shí)目的，但作為舞臺(tái)上的“體面人”，兩方都是“影帝”，看破而不說破。美國以缺芯、以臺(tái)海形勢(shì)嚴(yán)峻，保證全球供應(yīng)鏈安全為由，力壓臺(tái)積電赴美，但真實(shí)原因是這個(gè)嗎？g5Gesmc

同樣臺(tái)積電深知法案背后的真實(shí)原因，深知自己才是美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真正要打擊的靶子，更深知赴美建廠壓根就是羊入虎口！但雙方都是“太極高手”，彼此心照不宣。臺(tái)積電既不說破，也不直接拒絕，反而是退休的老董事長(zhǎng)在外周旋。張忠謀一次次宣講，臺(tái)積電去美建廠，芯片成本將大幅飆升，以此看衰美國擴(kuò)建半導(dǎo)體產(chǎn)能。g5Gesmc

芯謀研究認(rèn)為，成本因素絕對(duì)不是阻礙臺(tái)積電赴美的主要問題，甚至都不是重要問題，因?yàn)榕_(tái)積電赴美的額外成本，美國絕對(duì)可以100%給與補(bǔ)貼。人無近憂必有遠(yuǎn)慮，臺(tái)積電只要赴美建廠，未來會(huì)因?yàn)榧夹g(shù)流失、人才流失、幫助競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手培養(yǎng)生態(tài)等因素而喪失當(dāng)下的絕對(duì)壟斷地位。這才是關(guān)鍵和核心。g5Gesmc

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如果應(yīng)對(duì)不利，中國有多大損失？g5Gesmc

美國法案是否成功，關(guān)鍵要看中國如何應(yīng)對(duì)。具體看2025、2030、2035年這幾個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。以下是我們的推演：g5Gesmc

中美科技戰(zhàn)聚焦于芯片，法案對(duì)中國造成的影響也主要體現(xiàn)在半導(dǎo)體產(chǎn)能受損情況。之所以從2025年、2030年、2035年三個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)來分析，是因?yàn)樾酒a(chǎn)線建設(shè)周期為2到3年，以美國建廠效率，法案生效后3年，受法案補(bǔ)貼的第一批產(chǎn)線建成；2030年為法案最后一批資金投出后3年，也就是最后一批受法案補(bǔ)貼的產(chǎn)線建成的節(jié)點(diǎn)；2035年則是中國國產(chǎn)設(shè)備尤其是高端光刻機(jī)面世的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。g5Gesmc

如若美國法案進(jìn)展順利，中國應(yīng)對(duì)不利，相比于基準(zhǔn)數(shù)據(jù)，到2025年中國會(huì)減少18萬片月產(chǎn)能的12英寸晶圓，2030年每月減少98萬片，2035年減少160萬片！g5Gesmc

但中國并非沒有機(jī)會(huì)，這里我們可以借用《論持久戰(zhàn)》三段論的分析框架來剖析。g5Gesmc

法案是對(duì)華科技戰(zhàn)的最新高度，從法案生效到2025年，美國在各種政策和多個(gè)手段的配合下，會(huì)逐步展開法案中確定的工作。同時(shí)，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)尤其是設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)力量薄弱，這個(gè)階段對(duì)中國的沖擊較大，或以戰(zhàn)略防御為主。防御階段，除了強(qiáng)化自身發(fā)展，提升本土產(chǎn)業(yè)鏈之外，團(tuán)結(jié)可以團(tuán)結(jié)的國際企業(yè)也是重中之重，通過國際合作將對(duì)中國半導(dǎo)體的影響降到最低，以空間換時(shí)間。g5Gesmc

2025年到2030年，法案效力逐年遞減，而國際企業(yè)對(duì)美國損人利己的產(chǎn)業(yè)政策逐步找到應(yīng)對(duì)之策，中國本土產(chǎn)業(yè)鏈的供應(yīng)能力逐年提高，美國對(duì)中國半導(dǎo)體制裁造成的損害也逐步遞減，雙方的攻防之勢(shì)進(jìn)入僵持階段。中國即便有損失，也是可以承受的局部損失，不會(huì)出現(xiàn)創(chuàng)口明顯的大傷，美國已經(jīng)沒有予取予奪的能力。這五年是國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展最關(guān)鍵的五年，國產(chǎn)設(shè)備、材料、零部件，尤其成熟工藝使用的光刻機(jī)能否成功，更是關(guān)鍵之關(guān)鍵。g5Gesmc

此時(shí)，我們要處理好團(tuán)結(jié)國際企業(yè)與自主發(fā)展的辯證關(guān)系。這兩個(gè)目標(biāo)我們有能力同時(shí)達(dá)到，因?yàn)殡S著中國經(jīng)濟(jì)的增長(zhǎng)，市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)大，在中國自主程度提高過程中，國際企業(yè)依然可以在中國市場(chǎng)獲得持續(xù)穩(wěn)定的增長(zhǎng)。g5Gesmc

2030年到2035年，美國的芯片法案結(jié)束，如果不再出臺(tái)后續(xù)政策，而中國國產(chǎn)化如果進(jìn)展順利，打通斷點(diǎn)，解決難點(diǎn)，消除痛點(diǎn)，尤其攻克先進(jìn)工藝使用的EUV光刻機(jī)，這是本階段國產(chǎn)化核心之核心。屆時(shí)，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將更加繁榮，中國科技企業(yè)將獲得大幅成長(zhǎng)，帶動(dòng)中國經(jīng)濟(jì)規(guī)模和質(zhì)量更上一個(gè)層次。同時(shí)，因?yàn)橛兄袊夹g(shù)和中國產(chǎn)業(yè)的貢獻(xiàn)，全球芯片產(chǎn)能和芯片技術(shù)的成本將更低，國際企業(yè)將因此更加受益。g5Gesmc

從數(shù)據(jù)可以推演以上論述，假若中國應(yīng)對(duì)有效，到2025年可增30萬片12英寸晶圓月產(chǎn)能；2030年增加75萬片；2035年增加130萬片。屆時(shí)，這個(gè)數(shù)據(jù)意味著中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真正就進(jìn)入反攻階段。g5Gesmc

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法案實(shí)施后國際企業(yè)誰最受傷？g5Gesmc

臺(tái)積電處于技術(shù)領(lǐng)先的地位，一旦將先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到美國，難免會(huì)因?yàn)槿藛T流動(dòng)導(dǎo)致技術(shù)外流?；貧w到產(chǎn)業(yè)角度，美國工程師文化與半導(dǎo)體文化的差異性，帶來了成本過高以及本土財(cái)稅流失等顧慮，也讓臺(tái)積電對(duì)赴美建廠一直猶豫不決。而法案的實(shí)施期限只有5年，資金有限，在亞洲企業(yè)在疑慮不決中，美國企業(yè)已經(jīng)快速出手。高通向格芯的紐約晶圓廠采購42億美元芯片，英特爾投資300億美元建廠，美光投資1600億美元建廠，已經(jīng)在申請(qǐng)建廠補(bǔ)貼。g5Gesmc

所以該法案最直接、最大的受益者是美國本土晶圓制造龍頭企業(yè)，如英特爾、美光和格芯等。不僅實(shí)現(xiàn)美國先進(jìn)制造回流，保證美國供應(yīng)鏈安全，還將使美國企業(yè)在與亞洲企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)中獲得優(yōu)勢(shì)。據(jù)我們預(yù)估，390億美元英特爾將獲得一半，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電僅能獲得15%的份額。g5Gesmc