據(jù)了解，為了利用基于無機物的Micro LED制作顯示器，需將每種光色（紅光、藍光和綠光）的芯片從各自基板上分離出來，并將它們轉移到顯示面板上。EU9esmc
過往，常用的轉移方法是通過Pick-and-Place取放方案將每個芯片移動至顯示面板，然而隨著芯片尺寸不斷縮小，這種轉移良率將會降低，因此難以應用于超高分辨率顯示器的生產。EU9esmc
為了解決這個問題，KAIST的研究團隊在Si-CMOS顯示驅動電路板上，通過3D堆疊方式集成紅色Micro LED。該方法首先通過晶圓鍵合將Micro LED薄膜層轉移到Si-CMOS電路板上，然后通過光刻工藝生成像素。之后，研究團隊通過從上到下（Top-down）的連續(xù)半導體工藝，在Si-CMOS電路板上成功開發(fā)了高分辨率顯示器。EU9esmc
在此過程中，研究團隊通過設計一種用于顯示的LED半導體層，將用于發(fā)光的有源層的厚度減少到現(xiàn)有的三分之一，減少像素形成所需的蝕刻工藝的難度，從而取得本次研究的成果。EU9esmc
此外，為防止下層顯示驅動電路性能下降，研究團隊采用晶圓鍵合等超低溫工藝，在350度以下集成上層III-V族元素，保持下層驅動IC在上層元件被整合之后，性能保持不變。EU9esmc
據(jù)悉，本研究成果是一項以三維堆疊方式集成紅色Micro LED，成功實現(xiàn)1600PPI的世界級分辨率的研究，研究運用的單片式3D集聚方式，為下一代超高分辨率顯示的開發(fā)提供了指導方向。Sang-Hyun Kim教授認為，未來可以通過應用類似的工藝來制造包紅、綠、藍光的全彩顯示器。值得注意的是，本次研究獲得了三星未來技術開發(fā)中心的支持。EU9esmc
責編：Momoz
