TrendForce集邦咨詢聚焦SiC/GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，以終端應(yīng)用需求探討與分析市場(chǎng)規(guī)模、機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)、供應(yīng)鏈，提供讀者對(duì)于第三代半導(dǎo)體功率電力電子市場(chǎng)更全面的了解。DvQesmc
SiC功率半導(dǎo)體
成本是限制SiC功率元件大規(guī)模應(yīng)用的核心因素，Wolfspeed全球首座8英寸SiC晶圓廠的啟動(dòng)，無疑為整個(gè)產(chǎn)業(yè)傳遞了極為重要的訊號(hào)，而Soitec、爍科晶體以及中科院物理研究所亦在今年取得了8英寸襯底突破。由此可見，被市場(chǎng)寄予厚望的擴(kuò)徑降本舉措已初見成果。DvQesmc
另一方面，業(yè)界正從最原始的晶體生長(zhǎng)以及襯底加工環(huán)節(jié)來進(jìn)一步降低成本，這包括TSSG晶體生長(zhǎng)法、激光切割技術(shù)等。DvQesmc
目前SiC功率元件市場(chǎng)主要由歐美日IDM大廠掌控，關(guān)鍵供貨商STM、ON Semi、Wolfspeed、Infineon以及ROHM在此領(lǐng)域深耕已久，并開始在關(guān)鍵汽車市場(chǎng)展開激烈競(jìng)爭(zhēng)。DvQesmc
根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查與分析，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4億美元。DvQesmc
另一方面，隨著SiC需求進(jìn)入爆發(fā)期，F(xiàn)oundry也逐漸興起。除卻X-FAB與漢磊兩大成熟廠商，中國(guó)大陸已出現(xiàn)積塔半導(dǎo)體、長(zhǎng)飛先進(jìn)、百識(shí)電子&寬能半導(dǎo)體、芯粵能等專屬代工廠，而韓國(guó)硅晶圓代工業(yè)者DB HiTek亦決心挑戰(zhàn)8英寸SiC晶圓代工，服務(wù)于車用MOSFET。DvQesmc
GaN功率半導(dǎo)體
基于Si襯底構(gòu)建的GaN功率元件已成為業(yè)界主流，但至今仍受限于中、低壓應(yīng)用場(chǎng)景，因此業(yè)界持續(xù)嘗試以GaN-on-Sapphire、GaN-on-GaN以及GaN-on-QST等其他結(jié)構(gòu)來解決這一問題。DvQesmc
GaN-on-Si功率元件具備極佳的成本優(yōu)勢(shì)，已率先在消費(fèi)電子市場(chǎng)放量，Navitas和GaN Systems產(chǎn)品在今年進(jìn)入了Samsung旗艦手機(jī)快速充電器，而英諾賽科則創(chuàng)造性的將GaN技術(shù)引入手機(jī)內(nèi)部充電保護(hù)，亦為市場(chǎng)注入了新的活力。DvQesmc
當(dāng)然，Transphorm等廠商早已將目光轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)中心、通訊基站等工業(yè)及汽車市場(chǎng)，這些領(lǐng)域蘊(yùn)含著巨大的滲透機(jī)會(huì)，是未來GaN功率元件的重點(diǎn)應(yīng)用方向。相對(duì)SiC，GaN產(chǎn)業(yè)的垂直分工趨勢(shì)則比較明顯，初創(chuàng)Fabless正不斷涌入市場(chǎng)，代工廠迎來了巨大的發(fā)展機(jī)會(huì)。憑借領(lǐng)先的GaN-on-Si制程能力和多年積累的客戶信任度，臺(tái)積電掌握了絕大部分客戶資源，其產(chǎn)能也持續(xù)滿載。而為了迎接未來龐大的市場(chǎng)需求，各大廠商也開始尋求多元化的代工策略，但從目前來看，這十分困難。DvQesmc
責(zé)編：Momoz
