隨著新能源電動(dòng)企業(yè)的快速發(fā)展，全球各大車(chē)企和半導(dǎo)體廠商都將目光瞄準(zhǔn)以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為代表的的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。GM7esmc
近日，全球半導(dǎo)體巨頭英飛凌和博世正開(kāi)始加速碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）的研發(fā)與制造。GM7esmc
博世加碼碳化硅，瞄準(zhǔn)氮化鎵
7月13日，博世公司宣布，將在2026年前投資30億歐元用于投資半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。GM7esmc
博世集團(tuán)董事會(huì)主席斯特凡·哈通表示，作為投資的一部分，將投入1.7億歐元在德國(guó)羅伊特林根和德累斯頓建立兩個(gè)全新的芯片研發(fā)中心，投入2.5億歐元用于擴(kuò)大其在德累斯頓的晶圓廠，增設(shè)3000平方米的無(wú)塵車(chē)間。GM7esmc
據(jù)介紹，博世自2021年底起就在羅伊特林根工廠大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅芯片，以應(yīng)用于電動(dòng)和混動(dòng)汽車(chē)的電力電子器件中。碳化硅芯片可幫助電動(dòng)汽車(chē)延長(zhǎng)6%的續(xù)航里程。GM7esmc
此外，為了讓電力電子器件價(jià)格更低、效率更高，博世還將探索開(kāi)發(fā)可應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)的氮化鎵芯片，與傳統(tǒng)的硅基功率芯片相比，氮化鎵芯片的功率損耗可以減少4倍。GM7esmc
總投資超120億，英飛凌新廠奠基
近日，英飛凌馬來(lái)西亞居林第三工廠舉行奠基儀式，該項(xiàng)目總投資額超過(guò)80億令吉（約合121.2億元人民幣），將用于第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵產(chǎn)品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2024年第三季度開(kāi)始量產(chǎn)。GM7esmc
英飛凌首席運(yùn)營(yíng)官Rutger Wijburg表示，公司在居林地區(qū)的前道晶圓制造基地已形成規(guī)模優(yōu)勢(shì)，第三工廠達(dá)產(chǎn)后，將貢獻(xiàn)20億歐元新增產(chǎn)值，也將使英飛凌更好滿足功率半導(dǎo)體需求增長(zhǎng)。GM7esmc
今年年初，英飛凌宣布，將在位于馬來(lái)西亞居林的工廠建造第三個(gè)廠區(qū)，以提高在第三代半導(dǎo)體（碳化硅和氮化鎵）領(lǐng)域的制造能力。GM7esmc
事實(shí)上，英飛凌正在集中火力發(fā)展第三代半導(dǎo)體。截止今年2月，英飛凌已向3,000多家客戶提供基于碳化硅的半導(dǎo)體產(chǎn)品。英飛凌計(jì)劃到本世紀(jì)20年代中期，將碳化硅功率半導(dǎo)體的銷(xiāo)售額提升至10億美元。GM7esmc
英飛凌此前曾透露，將在未來(lái)幾年把奧地利菲拉赫的6英寸、8英寸硅基半導(dǎo)體生產(chǎn)線改造為第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線。GM7esmc
文章來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察整理GM7esmc
責(zé)編：Clover.li
