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華為海思3D DRAM研發(fā)再獲新進(jìn)展

DRAM是存儲器領(lǐng)域最重要的分支之一。隨著尺寸微縮,傳統(tǒng)1T1C結(jié)構(gòu)的DRAM存儲電容限制問題以及相鄰存儲單元之間的耦合問題愈發(fā)顯著,導(dǎo)致DRAM進(jìn)一步微縮面臨挑戰(zhàn)。

基于銦鎵鋅氧(IGZO)晶體管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微縮挑戰(zhàn),在3D DRAM方面發(fā)揮更大優(yōu)勢。但目前研究工作都基于平面結(jié)構(gòu)的IGZO器件,形成的2T0C單元尺寸(大約20F2)比相同特征尺寸下的1T1C單元尺寸(6F2)大很多,使得IGZO-DRAM缺少密度優(yōu)勢。Auhesmc

針對平面結(jié)構(gòu)IGZO-DRAM的密度問題,中國科學(xué)院院士、中科院微電子研究所研究員劉明團(tuán)隊與華為海思團(tuán)隊聯(lián)合在2021年IEDM國際大會報道的垂直環(huán)形溝道結(jié)構(gòu)IGZO FET的基礎(chǔ)上,再次成功將器件的關(guān)鍵尺寸(CD)微縮至50nm。Auhesmc

微縮后的IGZO FET具有優(yōu)秀的晶體管特性,包括約32.8μA/μm的開態(tài)電流(Vth+1V時)和約92mV/dec的亞閾值擺幅。同時,器件在-40℃到120℃的溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出了良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。Auhesmc

該研究成果有助于推動IGZO晶體管在高密度3D DRAM領(lǐng)域的應(yīng)用。‍Auhesmc

責(zé)編:Momoz
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