經(jīng)對(duì)比，單片4英寸晶圓可以生產(chǎn)約350K數(shù)量的0408（4mil*8mil）芯片，當(dāng)芯片面積尺寸縮小至0204（2mil*4mil）時(shí)，同樣的晶圓面積下大約可產(chǎn)出1400K數(shù)量的芯片，這使得單個(gè)芯片成本下降60%以上。VG0esmc
Micro LED憑借多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)，迎來蓬勃的發(fā)展，但如何讓技術(shù)實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化，在市場(chǎng)上占有一席之地，關(guān)鍵還在于如何平衡產(chǎn)品性能與成本的關(guān)系。為更好地發(fā)展Micro LED，國(guó)星光電7月6日宣布，推出新型MIP（Micro LED in Package）封裝器件方案。VG0esmc
據(jù)介紹，新型MIP封裝器件方案基于扇出封裝技術(shù)思路，國(guó)星光電通過自主開發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移方法，采用黑化基板與高光提取封裝路線構(gòu)筑全新MIP器件，大幅提高器件光電性能，通過將引腳電極放大，使其匹配當(dāng)前機(jī)臺(tái)設(shè)備，具有成本低、高亮度、低功耗、兼容性強(qiáng)、可混BIN提高顯示一致性等優(yōu)點(diǎn)。VG0esmc
國(guó)星光電介紹，MIP顯示模組一致性高，黑占比超99％，采用特殊光學(xué)設(shè)計(jì)，水平視角≥174°，兼容性強(qiáng)，可兼容當(dāng)前設(shè)備機(jī)臺(tái)，可完成測(cè)試分選、易檢測(cè)修復(fù)，更易將Micro LED應(yīng)用于終端市場(chǎng)。VG0esmc
國(guó)星光電表示，公司始終堅(jiān)持創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)戰(zhàn)略，瞄準(zhǔn)行業(yè)趨勢(shì)，深耕技術(shù)產(chǎn)品，如今，5G+4K/8K浪潮迭起，新型顯示極速發(fā)展，公司定將緊抓機(jī)遇，乘著“十四五”規(guī)劃和粵港澳大灣區(qū)騰飛發(fā)展，大力發(fā)展以Mini/Micro LED等為代表的新型顯示技術(shù)。 VG0esmc
責(zé)編：Momoz
