如何實現(xiàn)高亮度紅光Micro LED的方法一直是業(yè)界難題，更是Micro LED微顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵壁壘。JBD此次推出的0.13英寸紅光微顯示器產(chǎn)品突破了效率限制，實現(xiàn)了50萬尼特的亮度水平，刷新了其既往保持的亮度記錄。a1uesmc
JBD紅光高性能產(chǎn)品的推出，將有利于Micro LED技術(shù)在運動光學(xué)、車載顯示、近眼顯示等多種場景下進行進一步拓展，同時也為Micro LED的全彩化AR應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。a1uesmc
JBD的紅光產(chǎn)品是基于其發(fā)明的混合集成半導(dǎo)體技術(shù)，將AlGaInP半導(dǎo)體材料與硅基CMOS于晶圓級集成而產(chǎn)生的自發(fā)光微顯示器。AlGaInP半導(dǎo)體材料是實現(xiàn)高性能紅光的關(guān)鍵，其擁有最匹配紅光的半導(dǎo)體禁帶寬度，是行業(yè)中用于制作紅光LED最成熟的半導(dǎo)體材料。a1uesmc
據(jù)悉，JBD多年來一直堅持AlGaInP基紅光Micro LED技術(shù)路線，通過持續(xù)深入研發(fā)，在材料生長和芯片技術(shù)研發(fā)兩端同時發(fā)力，突破了紅光尺寸效應(yīng)瓶頸，實現(xiàn)了紅光性能的巨大提升。a1uesmc
JBD本次推出的0.13英寸紅光芯片中，像素尺寸僅4微米，Micro LED發(fā)光點僅2微米，但其可輕松加載微安級的驅(qū)動電流，產(chǎn)生50萬尼特級超高亮度。相比較，基于量子點色轉(zhuǎn)換的QD-LED及Micro OLED作為另外兩項主流的自發(fā)光微顯示技術(shù)，根據(jù)目前公開僅數(shù)千尼特的亮度水平，JBD的紅光芯片實現(xiàn)了數(shù)十倍的性能超越。a1uesmc
除了超高的亮度之外，出色的顯示質(zhì)量和可靠性水平更是Micro LED微顯示器產(chǎn)品化的關(guān)鍵。JBD的AlGaInP基紅光產(chǎn)品實現(xiàn)了極窄的發(fā)光譜寬，在色純度方面表現(xiàn)極佳。如圖4所示，該產(chǎn)品的光譜半波寬僅約15nm，遠低于InGaN基紅光近50nm及QD-LED近30nm的典型半波寬度。a1uesmc
此外，出色的顯示質(zhì)量離不開CMOS背板與Micro LED的緊密配合。在JBD的專利IC背板技術(shù)加持之下，紅光產(chǎn)品實現(xiàn)了>95%的像素級顯示均勻性、>100000:1的超高對比度、以及<1%的相鄰像素間串擾。AlGaInP材料的穩(wěn)定性及優(yōu)異的芯片級封裝技術(shù)保障了該紅光產(chǎn)品優(yōu)異的可靠性。標準的壽命測試的結(jié)果證明該產(chǎn)品可達數(shù)萬小時使用壽命，遠超市面上其它主流自發(fā)光微顯示技術(shù)的壽命水平。a1uesmc
總而言之，JBD高性能紅光Micro LED顯示器的量產(chǎn)使其多種顏色的系列微顯示產(chǎn)品實現(xiàn)了完整化，將強力拓展其單色至全彩多領(lǐng)域的應(yīng)用。迄今，JBD已實現(xiàn)微顯示面板出貨超百萬個，源源不斷地向下游Micro LED終端應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈提供核心顯示元件，加速了Micro LED技術(shù)在近眼顯示AR/VR、HUD抬頭顯示、運動光學(xué)、3D打印、微投影、光場顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用步伐。a1uesmc
責編：Momoz
