其中，十二英寸新增產(chǎn)能當(dāng)中約65%為成熟制程（28nm及以上），該制程產(chǎn)能年增率達(dá)20%，顯見2022年各晶圓代工廠多半將擴(kuò)產(chǎn)重心放置于十二英寸晶圓產(chǎn)能，且以成熟制程為主軸，而主要擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)能來自于臺(tái)積電（TSMC）、聯(lián)電（UMC）、中芯國(guó)際（SMIC）、華虹集團(tuán)（HuaHong Group）旗下HHGrace，以及合肥晶合集成（Nexchip）。CNjesmc

由于近期28nm以上制程節(jié)點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)活動(dòng)較著重于特殊制程（specialty process）的多元性發(fā)展，TrendForce集邦咨詢基于近期需求持續(xù)暢旺的Power相關(guān)、MCU、AMOLED驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品，分析特殊制程近期趨勢(shì)。首先，Power相關(guān)功率半導(dǎo)體制程大致可分power discrete與Power IC兩大類，其中，以MOSFET、IGBT等功率晶體管為主流產(chǎn)品的power discrete，受到5G基礎(chǔ)建設(shè)、消費(fèi)性快充、車用電子、電動(dòng)車等產(chǎn)品單位功率元件消耗量增加而需求急速增長(zhǎng)。整體市場(chǎng)長(zhǎng)期由國(guó)際IDM廠主導(dǎo)，如英飛凌（Infineon）、安森美（onsemi）、意法半導(dǎo)體（STM）等，全球IDM廠囊括約80~90%市占，fabless則占約10~20%。晶圓代工業(yè)者方面，除既有fabless客戶需求逐年提升外，近年來由于IDM自有工廠擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程較為保守，導(dǎo)致供不應(yīng)求情況頻傳，IDM廠亦陸續(xù)將產(chǎn)品委外給晶圓代工廠。其中，HHGrace 2021年power discrete營(yíng)收規(guī)模為純晶圓代工領(lǐng)域最大，隨著無錫十二英寸新增產(chǎn)能陸續(xù)釋出持續(xù)助力營(yíng)收表現(xiàn)，而力積電（PSMC）、世界先進(jìn)（Vanguard）近期也提高八英寸產(chǎn)能承接相關(guān)訂單。CNjesmc

PMIC方面，現(xiàn)階段多半采取BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）平臺(tái)技術(shù)，并以八英寸0.18-0.11µm制程節(jié)點(diǎn)制造為主流。受惠于5G智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)車等技術(shù)規(guī)格升級(jí)，帶動(dòng)PMIC需求于近年來大幅提升，然而，由于八英寸產(chǎn)能增幅有限，以及因應(yīng)新一代主芯片發(fā)布帶動(dòng)的周邊料況更新需求，各晶圓代工廠也陸續(xù)協(xié)助客戶將部分PMIC轉(zhuǎn)進(jìn)至十二英寸生產(chǎn)，而PMIC規(guī)劃轉(zhuǎn)進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)為90/55nm，并以智能手機(jī)、服務(wù)器等應(yīng)用為主，包含臺(tái)積電、聯(lián)電、力積電、HHGrace、中芯國(guó)際等都有布局。CNjesmc

eNVM（embedded Non-Volatile Memory）制程技術(shù)相當(dāng)多元，多半應(yīng)用于smart card、MCU等產(chǎn)品，現(xiàn)以eFlash為主流技術(shù)。其中，MCU用途相當(dāng)廣泛，舉凡消費(fèi)性電子如信息及通信產(chǎn)品、家電、物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品等、工控、車用等功能指令單純至多元復(fù)雜應(yīng)用，皆會(huì)使用MCU元件，而MCU搭配memory制程技術(shù)也根據(jù)功能性略有不同。盡管消費(fèi)性MCU因市況走弱而需求相對(duì)平緩，但車用、工控所需MCU備貨動(dòng)能仍強(qiáng)勁，使得MCU產(chǎn)品仍是目前相對(duì)緊缺料件。此外，受到短期疫情沖擊供應(yīng)鏈，以及MCU產(chǎn)品中長(zhǎng)期往更先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)進(jìn)的成本因素驅(qū)動(dòng)，尤其在40nm（含）以下制程擴(kuò)產(chǎn)成本大幅提升的狀況下，IDM加大委外釋單的力道，刺激晶圓代工業(yè)者布局。其中，臺(tái)系晶圓代工廠40nm（含）以下制程進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)間較早且技術(shù)成熟，也承接IDM大廠釋單，而中芯國(guó)際、HHGrace等技術(shù)則晚約一個(gè)世代，并以HHGrace產(chǎn)能為大陸最大。CNjesmc

HV（High Voltage）制程工藝主要應(yīng)用于生產(chǎn)顯示驅(qū)動(dòng)IC，目前主流包括以八英寸0.18-0.11um制程節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)大/小尺寸驅(qū)動(dòng)IC，十二英寸65/55nm生產(chǎn)TDDI、40/28nm生產(chǎn)智能手機(jī)AMOLED驅(qū)動(dòng)IC。自2022年初以來智能手機(jī)、消費(fèi)性電子市況持續(xù)低迷，使得大尺寸驅(qū)動(dòng)IC、TDDI等供貨逐步回歸平衡，不過，由于整體手機(jī)導(dǎo)入AMOLED滲透率仍穩(wěn)定提升，因此預(yù)測(cè)中長(zhǎng)期手機(jī)AMOLED驅(qū)動(dòng)IC仍具備成長(zhǎng)動(dòng)能，包含三星、臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際皆有發(fā)展28nmHV規(guī)劃，其余如HHGrace或合肥晶合集成制程技術(shù)則仍以65/55nm為主，且尚未具備量產(chǎn)AMOLED驅(qū)動(dòng)IC能力。CNjesmc

預(yù)估成熟制程未來三年維持近75~80%產(chǎn)能占比

TrendForce集邦咨詢調(diào)查，2021~2024年全球晶圓代工產(chǎn)能年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)11%，其中28nm產(chǎn)能在2024年將達(dá)到2022年的1.3倍，是成熟制程擴(kuò)產(chǎn)最積極的制程節(jié)點(diǎn)，預(yù)期有更多特殊制程應(yīng)用將往28nm轉(zhuǎn)進(jìn)，且2021~2024年全球28nm（含）以上成熟制程產(chǎn)能將穩(wěn)定維持75~80%比重，顯示布局成熟制程特殊工藝市場(chǎng)潛力與重要性。CNjesmc

同時(shí)，TrendForce集邦咨詢表示，由于疫情沖擊全球供應(yīng)鏈以及地緣政治影響，區(qū)域「短鏈生產(chǎn)」與供應(yīng)鏈自主性開始成為晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)關(guān)鍵考量，如臺(tái)系晶圓代工業(yè)者為配合區(qū)域化生產(chǎn)并提升產(chǎn)能調(diào)度彈性，各地皆有相應(yīng)的擴(kuò)產(chǎn)布局，除臺(tái)積電美國(guó)廠專注先進(jìn)制程，其余擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃皆聚焦特殊制程工藝。另外，近期擴(kuò)產(chǎn)活動(dòng)也可明顯看出陸系晶圓代工業(yè)者積極擴(kuò)充成熟制程技術(shù)與產(chǎn)能規(guī)劃，分配生產(chǎn)HV、MCU、PMIC、power discrete等關(guān)鍵料件，目的是提升供應(yīng)鏈自主性，滿足汽車、消費(fèi)性電子、信息及通信產(chǎn)業(yè)所需。CNjesmc

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