為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)的狀況，半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作頻繁。近日臺(tái)積電、三星、ASML、日本電裝傳來(lái)新消息。UTqesmc
臺(tái)積電：或1萬(wàn)億新臺(tái)幣擴(kuò)產(chǎn)2nmUTqesmc
近期相關(guān)報(bào)道顯示，臺(tái)積電在2nm和3nm工藝的開(kāi)發(fā)上取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，且臺(tái)積電方面將準(zhǔn)備研發(fā)1.4nm工藝。UTqesmc
2nm工藝方面，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電將砸1萬(wàn)億新臺(tái)幣（約2290億元人民幣）在臺(tái)中擴(kuò)大2nm產(chǎn)能布局，有望在中清乙工建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)。目前，臺(tái)積電正向相關(guān)部門(mén)提出設(shè)廠用地需求。UTqesmc
此前，臺(tái)積電總裁魏哲家在法說(shuō)會(huì)上表示，臺(tái)積電2nm預(yù)期會(huì)是最成熟與最適合技術(shù)來(lái)支持客戶(hù)成長(zhǎng)，臺(tái)積電目標(biāo)是在2025年量產(chǎn)。UTqesmc
據(jù)悉，臺(tái)積電將在2nm的節(jié)點(diǎn)推出Nanosheet/ Nanowire的晶體管架構(gòu)，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel、2D、CNT等，其中2D材料方面，臺(tái)積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用在晶體管上。UTqesmc
3nm工藝上，臺(tái)積電今年4月上旬公開(kāi)表示，該公司在3nm工藝開(kāi)發(fā)上取得突破。其中在今年8月將可能率先投片第二版3nm制程的N3B，2023年第二季度將有可能量產(chǎn)3nm制程的N3E，比預(yù)計(jì)提前了半年。UTqesmc
據(jù)悉，第二版3nm制程N(yùn)3B，將在新竹12廠研發(fā)中心第八期工廠及南科18廠P5廠同步投片，正式以鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)，對(duì)決三星的環(huán)繞閘極（GAA）制程。據(jù)悉，臺(tái)積電初步規(guī)劃新竹工廠每月產(chǎn)能約1萬(wàn)至2萬(wàn)片，臺(tái)南工廠產(chǎn)能為1.5萬(wàn)片。UTqesmc
此外，據(jù)Business Korea報(bào)道，臺(tái)積電打算在6月份將其N(xiāo)3制程節(jié)點(diǎn)的團(tuán)隊(duì)做重新分配，以組建1.4nm級(jí)制造工藝的研發(fā)隊(duì)伍。UTqesmc
三星：加快3nm量產(chǎn)速度UTqesmc
近日，據(jù)韓媒消息，三星芯片及代工高層大洗牌，目前三星電子已撤換負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)下一代芯片的半導(dǎo)體研發(fā)中心負(fù)責(zé)人，新的負(fù)責(zé)人由副總裁兼Flash開(kāi)發(fā)部門(mén)負(fù)責(zé)人Song Jae-hyuk 擔(dān)任。UTqesmc
晶圓代工業(yè)務(wù)方面，三星指派半導(dǎo)體設(shè)備解決方案部門(mén)的全球制造與基礎(chǔ)設(shè)施副總裁Nam Seok-woo兼任晶圓代工制造技術(shù)中心負(fù)責(zé)人，同時(shí)還任命存儲(chǔ)器制造技術(shù)中心副總裁Kim Hong-shik帶領(lǐng)晶圓代工技術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)。UTqesmc
2021年底，三星曾全面撤換半導(dǎo)體、手機(jī)、消費(fèi)電子三大事業(yè)主管，并將手機(jī)及消費(fèi)電子事業(yè)合并，將經(jīng)營(yíng)重心轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體。時(shí)隔半年，三星又將內(nèi)存業(yè)務(wù)大將部署至晶圓代工事業(yè)，積極推進(jìn)晶圓代工事業(yè)發(fā)展。UTqesmc
三星的代工業(yè)務(wù)備受壓力。此前，業(yè)內(nèi)傳出三星4nm工藝良率只有35%，使得高通、英偉達(dá)、AMD等廠商將部分產(chǎn)品交由臺(tái)積電代工。UTqesmc
目前三星正加快3nm量產(chǎn)速度。今年4月末三星宣布將在本季度開(kāi)始使用3GAE（早期3nm級(jí)柵極全能）工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。近日，官方消息顯示，預(yù)計(jì)最快今年6月量產(chǎn)3nm制程。UTqesmc
三星集團(tuán)5月24日發(fā)表聲明表示，計(jì)劃在截至2026年的五年內(nèi)，將支出增加30%以上，達(dá)到450萬(wàn)億韓元（約合3600億美元），以支持從芯片到生物制藥等領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。UTqesmc
ASML：2億美元擴(kuò)建威爾頓工廠UTqesmc
據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》消息，近日，ASML宣布將斥資2億美元擴(kuò)建其位于康涅狄格州威爾頓的工廠。據(jù)悉，ASML Wilton是ASML在美國(guó)最大的研發(fā)和制造基地。UTqesmc
隨著英特爾、三星、臺(tái)積電等晶圓代工廠大幅擴(kuò)產(chǎn)，對(duì)于設(shè)備的需求也水漲船高。據(jù)悉，ASML擴(kuò)產(chǎn)的腳步早已邁開(kāi)。UTqesmc
在今年Q1財(cái)報(bào)會(huì)議上，ASML表示，隨著第二季度芯片制造設(shè)備的市場(chǎng)需求超過(guò)供應(yīng)量，將上調(diào)長(zhǎng)期營(yíng)收預(yù)期，維持今年20%的營(yíng)收增幅和55臺(tái)極紫外光科技的產(chǎn)能預(yù)期不變，并表示，2025年將能生產(chǎn)70多部極紫外光刻機(jī)。UTqesmc
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3月下旬，ASML在其新加坡工廠的開(kāi)幕式上宣布，將繼續(xù)在該工廠興建第二座制造車(chē)間，預(yù)計(jì)將于2023年初投產(chǎn)。擴(kuò)建后的工廠將讓該公司在新加坡的產(chǎn)能增加3倍，全球產(chǎn)能倍增。UTqesmc
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5月下旬，據(jù)路透社報(bào)道，ASML正在著手研發(fā)價(jià)值4億美元（約合人民幣26.75億元）的新旗艦光刻機(jī)，有望2023年上半年完成原型機(jī)，最早2025年投入使用，2026年到2030年主力出貨。UTqesmc
電裝：將自產(chǎn)半導(dǎo)體銷(xiāo)售額增加兩成UTqesmc
據(jù)共同社消息，豐田汽車(chē)集團(tuán)旗下電裝公司公布新的目標(biāo)，稱(chēng)到2025年把本公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體銷(xiāo)售額從現(xiàn)在的4200億日元增加兩成至5000億日元（約合人民幣257億元）。公司生產(chǎn)將重視控制電力的“功率半導(dǎo)體”和用于監(jiān)控電池等的“模擬半導(dǎo)體”領(lǐng)域，今后還將推進(jìn)面向自動(dòng)駕駛的傳感器開(kāi)發(fā)。UTqesmc
據(jù)報(bào)道，為實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的穩(wěn)定采購(gòu)，電裝還將深化與專(zhuān)業(yè)廠家等的合作。據(jù)悉，今年2月，為穩(wěn)定采購(gòu)半導(dǎo)體，電裝宣布將向臺(tái)積電（TSMC）為進(jìn)駐熊本縣而設(shè)立的子公司出資。UTqesmc
此外，聯(lián)電還曾宣布，公司日本子公司USJC將與電裝（DENSO）合作車(chē)用功率半導(dǎo)體制造，并將為DENSO建設(shè)一條IGBT產(chǎn)線。UTqesmc
其中，DENSO將提供其系統(tǒng)導(dǎo)向的IGBT元件與制程技術(shù)，而USJC則提供12英寸晶圓廠制造能力，預(yù)計(jì)在2023年上半年達(dá)成IGBT制程在12英寸晶圓的量產(chǎn)。這項(xiàng)合作已獲得日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的必要性半導(dǎo)體減碳及改造計(jì)劃的支持。UTqesmc
責(zé)編：Elaine
