美光資深副總裁暨策略長David Moore在COMPUTEX發(fā)表CEO Keynote主題演講。總裁暨執(zhí)行長Sanjay Mehrotra也分享美光在中國臺灣重要營運進展，以及與合作伙伴關(guān)系的持續(xù)承諾。Sanjay Mehrotra表示，中國臺灣擁有世界最先進邏輯和動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM）半導(dǎo)體技術(shù)，使美光創(chuàng)建DRAM卓越制造中心，并以1萬名員工建構(gòu)先進半導(dǎo)體制造生態(tài)系統(tǒng)，部署人工智慧自動化驅(qū)動的智慧制造設(shè)施，都有助美光管理生產(chǎn)并提高品質(zhì)與產(chǎn)能。2ecesmc

Mehrotra表示，美光還期待明年開始在中國臺灣大規(guī)模生產(chǎn)其采用1-beta納米節(jié)點工藝制造的下一代DRAM產(chǎn)品。2ecesmc

“這兩個裝置是我們持續(xù)發(fā)展和對中國臺灣承諾的另一個里程碑，”他在談到公司在中國臺灣的業(yè)務(wù)時說。2ecesmc

根據(jù)DIGITIMES Asia的一份報告，美光已經(jīng)訂購了EUV設(shè)備，并計劃從2024年開始過渡到EUV技術(shù)，以使用其1-Gamma nm節(jié)點制造其DRAM。2ecesmc

Gamma是指DRAM芯片中單元之間距離的一半的尺寸。2ecesmc

美光去年推出了其1-alpha nm節(jié)點DRAM，該公司稱其存儲密度比之前的1z nm節(jié)點DRAM提高了40%。，從面向計算機客戶的DDR4內(nèi)存和關(guān)鍵的消費類PC DRAM產(chǎn)品開始。2ecesmc

美光持續(xù)加碼投資中國臺灣，并準(zhǔn)備引入1a nmDRAM制程，且今年導(dǎo)入EUV，代表美光持續(xù)成長及對中國臺灣的承諾，未來持續(xù)增加工作機會。美光團隊也積極參與中國臺灣社區(qū)，80%中國臺灣團隊成員捐助過慈善機構(gòu)，且自2014以來，美光基金會捐款中國臺灣社區(qū)超過370萬美元（約新臺幣1.1億元），以推動大學(xué)教育和研究合作關(guān)系。2ecesmc

市場研究調(diào)查機構(gòu)IC Insights資料顯示，2021年，三家最大的供應(yīng)商三星、SK海力士和美光總共占有94%的DRAM市場份額。2ecesmc

隨著DRAM要想進入到10nm工藝一下，EUV儼然已成必不可少的工具。我們也看到，三星、SK海力士和美光這三大DRAM廠商已經(jīng)先后擁抱了EUV技術(shù)。2ecesmc

三星電子基于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的1z-nm工藝的DRAM已于今年2月份完成了量產(chǎn)。半導(dǎo)體分析機構(gòu)TechInsights拆解了采用EUV光刻技術(shù)和ArF-i光刻技術(shù)的三星1z-nm工藝DRAM，它認(rèn)為該技術(shù)提升了三星的生產(chǎn)效率，并減小了DRAM的核心尺寸。DRAM單元尺寸和D/R縮放最近越來越難，但三星將D1z的D/R降低到15.7nm，比D1y縮小了8.2%。據(jù)了解，三星還將繼續(xù)為下一代DRAM增加EUV步驟。三星的P3工廠也將采用EUV工藝生產(chǎn)10nm DRAM。2ecesmc

三星在2021年仍然是全球最大的DRAM供應(yīng)商，銷售額達到近419億美元。去年，三星在多個方面推進其DRAM業(yè)務(wù)，包括在2020年3月率先使用極紫外（EUV）光刻技術(shù)后，于2021年10月開始大規(guī)模生產(chǎn)基于EUV的14nmDRAM。在此過程中，三星將其最先進的14nmDDR5上的EUV層數(shù)從兩層增加到了五層DRAM工藝。2ecesmc

2021年11月，三星表示，其已經(jīng)應(yīng)用EUV技術(shù)開發(fā)了14nm 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM，專門用于5G、人工智能(AI)、機器學(xué)習(xí)(ML)和其他大數(shù)據(jù)終端應(yīng)用等高速率應(yīng)用。該公司聲稱，LPDDR5X DRAM的數(shù)據(jù)處理速度最高可達8.5Gbps(比現(xiàn)有的6.4Gbps LPDDR5器件快1.3倍)，比LPDDR5內(nèi)存節(jié)省約20%的功耗。此外，該公司還發(fā)布了其首個支持新型計算快速鏈接(Compute ExpressLink,CXL)互連標(biāo)準(zhǔn)的DRAM內(nèi)存模塊，并發(fā)布了專為自主電動汽車和高性能信息娛樂系統(tǒng)設(shè)計的2GB GDDR6和2GB DDR4汽車DRAM。2ecesmc

美光有望從2024年開始生產(chǎn)基于極紫外(EUV)光刻工藝的DRAM芯片，在1γ(Gamma)節(jié)點的有限的層數(shù)中部署EUV，然后會將其擴展到具有更大層采用率的1δ(Delta)節(jié)點。旨在通過允許制造更小的芯片特征來保持摩爾定律的存在。這一舉措有望幫助其在技術(shù)上保持領(lǐng)先于競爭對手。2ecesmc

美光在2021年是第三大DRAM供應(yīng)商，DRAM銷售額增長41%至219億美元，占全球市場份額的23%。整體而言，DRAM占美光全年IC總銷售額300億美元的73%左右。2021年，美光推出了1a nm內(nèi)存節(jié)點。該節(jié)點由新的CPU平臺驅(qū)動，設(shè)計部分是為了支持?jǐn)?shù)據(jù)中心向DDR5 DRAM的過渡，預(yù)計將在今年晚些時候開始發(fā)展，并在2023年獲得增長勢頭。美光的1a nm DRAM也被應(yīng)用于低功率通信應(yīng)用，包括5G智能手機。盡管該工藝不需要EUV光刻技術(shù)，但美光已經(jīng)訂購了EUV設(shè)備，并計劃從2024年開始使用其1 Gamma nm節(jié)點過渡到EUV技術(shù)來生產(chǎn)DRAM。2ecesmc

SK海力士也引入了EUV光刻設(shè)備來解決以往DUV光刻的局限性，制程工藝能輕松達到10nm以下，以此來提升生產(chǎn)效率。2021年2月1日，SK海力士完成首個用于DRAM的EUV晶圓廠M16，并引進了EUV光刻設(shè)備。2021年7月，SK海力士宣布量產(chǎn)了1a nm工藝的8千兆的LPDDR4 EUV DRAM，與第三代1z nm內(nèi)存芯片相比，1a技術(shù)在相同的晶圓面積下，生產(chǎn)的芯片數(shù)量可以增加25%。2ecesmc

SK海力士在2021年DRAM市場占有率為28%，排在第二位，銷售額為266億美元，增長39%。DRAM占該公司2021年半導(dǎo)體總銷售額的約71%，具體市場表現(xiàn)分別為：服務(wù)器DRAM占40%；移動DRAM占35%；PC DRAM占15%；消費類和顯卡DRAM各占5%。2021年，SK海力士發(fā)布了據(jù)稱是業(yè)界最高性能的DDR5 DRAM，其數(shù)據(jù)速度能夠每秒傳輸163部全高清電影。該芯片被稱為HBM3，因為它是海力士的第三代高帶寬內(nèi)存。與三星一樣，SK海力士也開始在以第4代10nm制程(1a nm)為基礎(chǔ)的8Gb LPDDR4 DRAM的批量生產(chǎn)中使用EUV光刻技術(shù)。2ecesmc