功率半導(dǎo)體在2022年依舊供不應(yīng)求，行業(yè)景氣依舊。但與此前全類器件供應(yīng)緊張情況不同的是，經(jīng)過了近兩年的產(chǎn)能擴(kuò)張，低端市場已逐步飽和。rVyesmc

今年受到結(jié)構(gòu)性驅(qū)動因素影響，汽車、工業(yè)、可再生能源和智能設(shè)備需求非常強勁，功率器件方面，IGBT以及第三代半導(dǎo)體（如SiC、GaN）成為企業(yè)集中發(fā)力方向。rVyesmc

此前媒體公開消息顯示，安森美和英飛凌均傳出功率半導(dǎo)體訂單滿載的消息，消息顯示訂單滿載情況主要指IGBT方面。應(yīng)對市場旺盛需求，近日，日本瑞薩、富士電機(jī)、東芝等公司傳來功率半導(dǎo)體的好消息。面對市場需求轉(zhuǎn)變，我國廠商也迎來新一輪發(fā)展契機(jī)。rVyesmc

▌瑞薩900億日元重啟甲府工廠

日本瑞薩5月17日宣布，將對其位于甲府的甲府工廠進(jìn)行價值900億日元的投資。他們指出，雖然工廠于2014年10月關(guān)閉，但瑞薩電子計劃在2024年重新開放該工廠，作為能夠制造IGBT和功率MOSFET的300毫米功率半導(dǎo)體晶圓廠。rVyesmc

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△Source：瑞薩電子公告截圖rVyesmc

瑞薩表示，隨著碳中和勢頭的增長，預(yù)計全球?qū)?yīng)和管理電力的高效功率半導(dǎo)體的需求將在全球范圍內(nèi)急劇增加。瑞薩特別預(yù)計電動汽車(EV)的需求將快速增長，因此計劃提高其IGBT等功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，為脫碳做出貢獻(xiàn)。一旦甲府工廠實現(xiàn)量產(chǎn)，瑞薩功率半導(dǎo)體的總產(chǎn)能將翻一番。rVyesmc

據(jù)悉，瑞薩電子的全資子公司瑞薩半導(dǎo)體制造有限公司的甲府工廠此前經(jīng)營150mm和200mm晶圓制造線。為了提高產(chǎn)能，瑞薩決定利用工廠的剩余建筑，將其恢復(fù)為專用于功率半導(dǎo)體的300毫米晶圓廠。rVyesmc

考慮到日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的半導(dǎo)體戰(zhàn)略，瑞薩電子計劃在2022年內(nèi)進(jìn)行投資，同時與該部密切協(xié)調(diào)。瑞薩同時指出，雖然本次投資不會對瑞薩電子2022年的業(yè)績產(chǎn)生重大影響。rVyesmc

▌富士電機(jī)、東芝、三菱電機(jī)早有布局

富士電機(jī)2021年財報顯示，2021年該公司功率半導(dǎo)體營收為11.73億美元，同比增長23.7%。據(jù)中國臺灣媒體報道，富士電機(jī)在2021年8月宣布追加投資400億日元（3.65億美元）擴(kuò)充功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，其中，大約250億日元會投入公司在馬來西亞的晶圓廠，開始生產(chǎn)8英寸硅晶圓。馬來西亞廠預(yù)定2023會計年度開始生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。rVyesmc

值得注意的是，富士電機(jī)還曾表示，在電動汽車和可再生能源需求增加的背景下，決定將功率半導(dǎo)體的資本支出（包括對SiC功率半導(dǎo)體的投資）增加到1900億日元。rVyesmc

而東芝方面，該公司2021年的功率半導(dǎo)體營收為9.96億美元，同比增長13.4%。今年2月4日，東芝宣布，將在日本石川縣的主要分立器件生產(chǎn)基地——加賀東芝電子公司打造一座新的12吋晶圓制造設(shè)施，以將其目前的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高到2021年的2.5倍。rVyesmc

三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體布局較早。據(jù)悉，三菱電機(jī)已經(jīng)在意大利米蘭附近建成了一座專用于功率和模擬半導(dǎo)體的300毫米晶圓工廠，預(yù)計將于2022年下半年投產(chǎn)。官方財報數(shù)據(jù)顯示，2021年的功率半導(dǎo)體銷售額同比增長18%，達(dá)到了14.76億美元。rVyesmc

▌我國廠商迎來新一輪發(fā)展契機(jī)

此前我國的功率半導(dǎo)體廠商以分立器件為主，在二極管、整流管等基本電子元器件上布局較為久遠(yuǎn)。受到市場強勁需求驅(qū)動以及企業(yè)自強因素，我國廠商發(fā)展勢頭強勁，產(chǎn)品形態(tài)從二極管、晶閘管、低壓MOSFET等中低端器件向更有價值的IGBT、中高壓MOSFET、第三代半導(dǎo)體等高端器件布局。rVyesmc

聞泰科技旗下的安世半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體產(chǎn)品布局完善。公開資料顯示，聞泰科技主力產(chǎn)品線覆蓋了晶體管、Mosfet功率管、模擬與邏輯IC三大領(lǐng)域。rVyesmc

目前，聞泰科技進(jìn)一步加強了在中高壓Mosfet、化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品SiC和GaN產(chǎn)品布局，同時收購英國Newport晶圓廠100%股權(quán)，獲得了4000片/月的IGBT產(chǎn)能，目前公司漢堡工廠已經(jīng)開始搬入碳化硅設(shè)備，預(yù)計SiC MOSFET新品在2022年量產(chǎn)。rVyesmc

MOSFET領(lǐng)域

MOSFET領(lǐng)域，新潔能、華潤微在溝槽MOS，屏蔽柵SGT-MOS和超結(jié)SJ-MOS等高附加值的產(chǎn)品具備技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢；此外，東微半導(dǎo)正積極開發(fā)新一代中低壓屏蔽柵MOSFET功率器件，瞄準(zhǔn)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、通信電源、車載應(yīng)用等新領(lǐng)域發(fā)力。rVyesmc

IGBT領(lǐng)域

在IGBT領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體、時代電氣、士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)占據(jù)明顯優(yōu)勢。rVyesmc

例如，比亞迪半導(dǎo)體是供應(yīng)新能源車規(guī)IGBT的主要廠商之一。在2021年，比亞迪半導(dǎo)體收購了濟(jì)南富能8寸產(chǎn)線，新增年產(chǎn)能可配套新能源汽車需求約90萬輛，合計配套130萬輛。2021年最后一個月，比亞迪高密度TrenchFS的IGBT 5.0技術(shù)實現(xiàn)量產(chǎn)。rVyesmc

時代電氣是我國軌交、電網(wǎng)高壓IGBT的龍頭廠商，2021年底該公司月產(chǎn)能2萬片的8寸線已經(jīng)投產(chǎn)，滿產(chǎn)能夠供應(yīng)200萬輛新能源汽車所需的IGBT模塊。rVyesmc

士蘭微方面，其在家電領(lǐng)域應(yīng)用為主的IPM模塊市場占據(jù)明顯優(yōu)勢，目前該公司已從家電切入車載IGBT領(lǐng)域。據(jù)悉，士蘭微旗下士蘭集科2021年基本完成了十二寸寸IGBT產(chǎn)線一期建設(shè)目標(biāo)，到12月份月產(chǎn)量已超過3.6萬片，在一期產(chǎn)能快速爬坡的同時，該公司為搶抓市場機(jī)遇，已著手實施二期建設(shè)項目。rVyesmc

斯達(dá)半導(dǎo)在IGBT模組領(lǐng)域已積累多年，目前已經(jīng)切入IGBT芯片的設(shè)計，車規(guī)級IGBT模塊已經(jīng)大批量出貨。去年3月斯達(dá)半導(dǎo)發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預(yù)案，募資20億元用于高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，7億元用于功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目。rVyesmc

此外，也有一些在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)積累已久的公司新擴(kuò)展了功率器件業(yè)務(wù)線，如上海貝嶺選擇切入工業(yè)控制用功率器件，其2021年財報顯示，該公司已具備獨立的MOSFET和IGBT芯片設(shè)計能力，已掌握屏蔽柵功率MOSFET、超級結(jié)功率MOSFET、IGBT等器件技術(shù)，報告期內(nèi)已經(jīng)陸續(xù)進(jìn)入功率電源、電機(jī)控制和鋰電保護(hù)等市場。rVyesmc

值得注意的是，今年4月，我國2022年用于項目建設(shè)的地方政府專項債券額度已全部下達(dá)，今年包括水利、高鐵、軌交列車、智慧城市在內(nèi)的基建投資勢或成為拉動經(jīng)濟(jì)增長的一大利器，國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商也有望借此機(jī)會迎來新一輪發(fā)展機(jī)遇。rVyesmc

  文章來源：全球半導(dǎo)體觀察 EmmarVyesmc