臺積電方面，最新財報顯示，該公司4月合并營收達(dá)1725.61億元新臺幣，與去年同期的1113.15億元相比增長55.0%，改寫單月營收歷史新紀(jì)錄。今年前四個月累計營收6636.37億元新臺幣，與去年同期的4737.25億元相比增長40.1%，表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期。臺積電表示，今年第二季度，預(yù)計智能手機(jī)的季節(jié)性因素將影響部分增長幅度，但HPC運算及車用電子相關(guān)應(yīng)用的市場需求將持續(xù)支持其業(yè)績增長。yy0esmc

聯(lián)電方面，4月營收同比增長39.16%，創(chuàng)單月營收新高，今年1-4月，共營收862.19億元新臺幣，同比增長35.82%。該公司預(yù)計今年第二季度圓晶出貨量將增加4%-5%，產(chǎn)品平均售價上升3%-4%，有望推動該季度營收增長4%-9%。yy0esmc

格芯的業(yè)績表現(xiàn)同樣優(yōu)異，今年第一季度營收達(dá)到史上最高的19.4億美元，毛利率增至破紀(jì)錄的25.3%。該公司預(yù)估第二季度營收將介于19.55-19.85億美元之間。財報顯示，格芯第一季度車用芯片營收年增170%，年增幅居所有產(chǎn)品線之冠。yy0esmc

以上這些業(yè)績表現(xiàn)，進(jìn)一步凸顯出晶圓代工產(chǎn)能的緊俏，特別是這些業(yè)內(nèi)頂流企業(yè)的產(chǎn)能，更是被各家IC設(shè)計企業(yè)瘋搶。yy0esmc

在這樣的背景下，業(yè)界再次傳出了臺積電漲價的消息，該公司很可能從明年1月起進(jìn)一步提升晶圓代工價格，據(jù)悉，成熟制程將上漲8~9%，先進(jìn)制程漲約5%。之所以如此，一方面是因為資本支出和成本增加的壓力，再有就是明年的晶圓代工市場大概率依然處于供不應(yīng)求的狀態(tài)，可以通過價格杠桿，對客戶進(jìn)行一定程度的篩選。yy0esmc

去年，臺積電就宣布2022年全面調(diào)漲晶圓代工價格，包括16nm及更先進(jìn)制程平均價格調(diào)漲8~10%，28nm及更成熟制程平均漲幅約達(dá)15%。另外，包括聯(lián)電、力積電、世界先進(jìn)等晶圓代工廠，也在今年第一季度針對部份到期并重新簽訂的長約，以及供給吃緊的成熟制程再度漲價，價格漲幅為5~10%。yy0esmc

相比于其它晶圓代工廠漲價，臺積電在這方面是最為謹(jǐn)慎的，由于其處于行業(yè)霸主地位，有牽一發(fā)而動全身的影響力，該公司很少漲價，當(dāng)然，這種情況存在的前提是臺積電的價格在業(yè)界是最高的，這是基于其最先進(jìn)的制程工藝和封裝技術(shù)。因此，一旦臺積電宣布漲價，都會是業(yè)界最大的新聞，也是產(chǎn)業(yè)風(fēng)向標(biāo)。yy0esmc

要擁有這樣的影響力，必須在芯片制造工藝技術(shù)方面具備明顯的領(lǐng)先優(yōu)勢，且市占率也要具有統(tǒng)治力。目前，在先進(jìn)制程方面，能夠與臺積電掰一掰手腕的也只有三星了，但三星一直處于追趕狀態(tài)；市占率方面，臺積電已經(jīng)拿到了近55%的市場份額，遙遙領(lǐng)先于其它廠商。在這些基礎(chǔ)上，臺積電的毛利率已經(jīng)達(dá)到54%。yy0esmc

無敵的先進(jìn)制程

在推出10nm制程之后，臺積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域就是無敵般的存在。10nm之后，該公司在業(yè)界率先量產(chǎn)了7nm制程芯片，目前，臺積電已經(jīng)生產(chǎn)了超過10億顆7nm芯片，該公司還率先推出了使用EUV技術(shù)的7nm+工藝。在7nm基礎(chǔ)上，推出了6nm工藝，這個平臺的一個主要特點是與7nm工藝平臺兼容，這樣，客戶很容易把7nm設(shè)計移植到6nm。yy0esmc

2021年6月，臺積電在一次技術(shù)論壇上首次發(fā)表了6nm RF（N6RF）制程，相較于前一代的16nm射頻技術(shù)，N6RF晶體管的效能提升超過16%。臺積電表示，N6RF制程針對6GHz以下及毫米波段的5G射頻收發(fā)器提供大幅降低的功耗與面積，同時兼顧消費者所需的效能、功能與電池壽命，還強(qiáng)化支持Wi-Fi 6/6e的效能與功耗效率。yy0esmc

2020年，臺積電實現(xiàn)了5nm（N5）的量產(chǎn)，與7nm相比，新工藝的速度提升了15%，功耗降低了30%，而邏輯密度則是前者的1.8倍。在良率方面，新工藝的進(jìn)展也非常順利。與此同時，該公司還推出了增強(qiáng)版的N5P工藝制程，晶體管的速度提升了5%，功耗降低了10%，這給HPC帶來了很好的發(fā)展機(jī)會。yy0esmc

此外，臺積電還基于N5平臺推出了N4工藝，其速度、功耗和密度都有了改善。其最大優(yōu)勢同樣是與N5的兼容，使用5nm工藝設(shè)計的產(chǎn)品能夠輕易地轉(zhuǎn)移到4nm平臺上。這也能保證臺積電客戶的每一代投資，都能獲得更好的效益。N4在2021年第四季度試產(chǎn)，在2022年實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。yy0esmc

目前，臺積電正在為3nm制程工藝量產(chǎn)做著準(zhǔn)備，在這代工藝上，該公司會繼續(xù)采用FinFET。與5nm相比，臺積電3nm的速度將提升10%到15%，功耗將提升25%~30%，邏輯密度將是前者的1.7倍。yy0esmc

近日，臺積電召開了2022年Q1情況說明會，總裁魏哲家表示，預(yù)估3nm將于今年下半年出貨，2023年大規(guī)模量產(chǎn)。魏哲家稱3nm營收貢獻(xiàn)會是下一個大的成長節(jié)點，等同5nm、7nm家族。而N3E制程將在3nm量產(chǎn)一年之后投產(chǎn)，目前研發(fā)進(jìn)度超出預(yù)期，可能提前投產(chǎn)。yy0esmc

2019年，臺積電率先開始了2nm（N2）制程技術(shù)的研發(fā)工作。相應(yīng)的技術(shù)開發(fā)中心和工廠主要設(shè)在中國臺灣的新竹，規(guī)劃了4個超大型晶圓廠，主要用于2nm及更先進(jìn)制程的研發(fā)和生產(chǎn)。yy0esmc

臺積電2019年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā)。在考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件之后，決定采用以環(huán)繞柵極（Gate-all-around，GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。MBCFET和FinFET有相同的理念，不同之處在于GAA的柵極對溝道的四面包裹，源極和漏極不再和基底接觸。yy0esmc

本周，魏哲家證實，目前臺積電N2制程研發(fā)已走上正軌，晶體管結(jié)構(gòu)和工藝進(jìn)度都達(dá)到預(yù)期。預(yù)計臺積電將在2024年末做好N2制程風(fēng)險生產(chǎn)的準(zhǔn)備，并在2025年末進(jìn)入大批量生產(chǎn)，2026年，首批2nm芯片將正式投入市場。yy0esmc

近期，有消息傳出，由于3nm研發(fā)工作已經(jīng)完成，即將量產(chǎn)，臺積電決定讓3nm研發(fā)團(tuán)隊轉(zhuǎn)戰(zhàn)1.4nm制程工藝開發(fā)，定于今年6月開啟研發(fā)工作，投入確認(rèn)技術(shù)規(guī)格的第一階段（TV0）開發(fā)工作。yy0esmc

成熟制程業(yè)界第一

不僅先進(jìn)制程處于領(lǐng)先地位，臺積電在成熟制程工藝（節(jié)點≥40nm）領(lǐng)域同樣占據(jù)市場領(lǐng)導(dǎo)地位，如下圖所示。yy0esmc

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圖1、成熟制程工藝市占率，臺積電排第一（來源：Counterpoint Research）yy0esmc

具體來看，以2022年第一季度為例，如下圖所示，40nm/45nm營收約占臺積電總營收的8%，65nm占5%，90nm占2%，0.11μm/0.13μm占3%，0.15μm/0.18μm占6%，0.25μm及以上占1%。這樣，臺積電在該季度成熟制程的合并營收占總營收的25%，還是很可觀的數(shù)字。yy0esmc

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圖2、臺積電2022年第一季度各制程營收占比yy0esmc

從歷史發(fā)展來看，臺積電于2004年開始從以0.11μm+制程為主的低端晶圓制造過渡到以40nm-90nm的更先進(jìn)制程工藝為主的晶圓制造，并于2011年底開始從以中低端為主的晶圓制造過渡到以28nm及更先進(jìn)制程工藝為主的晶圓制造。yy0esmc

在射頻方面，為了滿足客戶對于5G網(wǎng)絡(luò)高速、低延遲、以及大量物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用需求，臺積電提供了16nm及28nm射頻元件，通過提升截止頻率與最大震蕩頻率來支持射頻收發(fā)器設(shè)計，采用40nm特殊制程強(qiáng)化擊穿電壓，在來自導(dǎo)通電阻與斷電容的乘積降低的相同效益下，支持射頻切換器設(shè)計的應(yīng)用。yy0esmc

獨特的封裝技術(shù)

過去十年，臺積電已經(jīng)推出五代不同的基板上芯片封裝工藝，且涵蓋了消費級與服務(wù)器芯片領(lǐng)域。yy0esmc

近些年，先進(jìn)制程工藝對封裝技術(shù)提出了更高要求，同時，先進(jìn)封裝技術(shù)也可以彌補制程工藝的不足。因此，臺積電不斷在3D封裝技術(shù)方面加大投入。yy0esmc

2021年，在一次線上技術(shù)研討會上，臺積電披露了3DFabric系統(tǒng)整合解決方案，并將持續(xù)擴(kuò)展由三維硅堆棧及先進(jìn)封裝技術(shù)組成的3DFabric。yy0esmc

針對高性能計算應(yīng)用，臺積電于2021年提供更大的光罩尺寸，以支持整合型扇出封裝基板（InFO_oS）和CoWoS封裝方案，運用范圍更大的布局規(guī)劃來整合Chiplet die及高帶寬內(nèi)存。yy0esmc

2021年，在HotChips33年度會議期間，臺積電介紹了其最先進(jìn)的封裝技術(shù)路線圖，并且展示了為下一代Chiplet架構(gòu)和內(nèi)存設(shè)計做好準(zhǔn)備的最新一代CoWoS解決方案。該公司最新的第5代CoWoS封裝技術(shù)，有望將晶體管數(shù)量增至第3代封裝解決方案的20倍。yy0esmc

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圖3、臺積電CoWoS封裝技術(shù)發(fā)展路線圖yy0esmc

未來，臺積電還將升級到第6代CoWoS封裝工藝，其特點是能夠集成更多的Chiplet die和DRAM。yy0esmc

針對移動應(yīng)用，臺積電推出了InFO_B解決方案，將移動處理器整合在輕薄精巧的封裝之中，提供強(qiáng)化的性能和功耗效率，并且支持移動設(shè)備芯片制造廠商封裝時所需的DRAM堆棧。yy0esmc

除了中國臺灣大本營，臺積電還將先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)拓展到了日本，日本經(jīng)產(chǎn)省表示，臺積電將在日本茨城縣筑波市設(shè)立研發(fā)據(jù)點，總經(jīng)費約370億日元，日本政府將出資總經(jīng)費約5成予以支持。據(jù)悉，擁有領(lǐng)先封裝技術(shù)的日本企業(yè)Ibiden、半導(dǎo)體裝置廠商芝浦機(jī)械（Shibaura Machine）等與半導(dǎo)體有關(guān)的約20家日本企業(yè)有望參與研發(fā)，重點就是Chiplet和3D封裝技術(shù)。yy0esmc

高水平管理

除了先進(jìn)技術(shù)這個“硬件”，企業(yè)管理這個“軟件”也至關(guān)重要，它會直接或間接影響企業(yè)的競爭力。yy0esmc

臺積電在晶圓代工業(yè)能確立霸主地位，關(guān)鍵就是具有領(lǐng)先行業(yè)的技術(shù)和良率，因此，對于這種技術(shù)高度密集，且對技術(shù)依賴程度很高的行業(yè)，做好信息保密工作至關(guān)重要。臺積電在防止秘密信息外泄方面有其獨到見解。在該公司，技術(shù)開發(fā)由數(shù)十組工程師共同進(jìn)行，還需要相關(guān)供貨商密切合作，即使挖走部分工程師，想把臺積電的know-how都學(xué)到手，幾無可能。yy0esmc

在員工和產(chǎn)業(yè)鏈管理方面，臺積電同樣聞名業(yè)界。yy0esmc

首先，該公司極度重視穩(wěn)定生產(chǎn)及生產(chǎn)效率，一位經(jīng)手多個晶圓廠建廠案例的建造商高管表示，臺積電要求他們必須嚴(yán)格遵守建廠進(jìn)程，甚至要提前完工。臺積電對于供貨商在質(zhì)量和危機(jī)管理方面的要求極高，只要做過臺積電的生意，就能獲得業(yè)界的信任。一位臺積電前員工透露，公司非常重視與客戶的信任關(guān)系，對于材料供貨商的要求也很嚴(yán)格。yy0esmc

其次，根據(jù)前員工的說法，臺積電內(nèi)部每次開會，一開始與會者就要匯報前一次會議交辦的未解決事項，也就是AR（action required，待完成任務(wù)或行動要求）。如果產(chǎn)線設(shè)備出狀況，負(fù)責(zé)部門一天得開好幾次會，而且每次開會時，供貨商都必須提出解決方法。yy0esmc

再有，臺積電極度重視面對面溝通。該公司會把移動電話配給供貨商的工程師，即使是在半夜，只要產(chǎn)線有任何緊急狀況，供貨商工程師接電話后必須在兩小時內(nèi)趕到臺積電產(chǎn)線，以確保能盡快恢復(fù)正常生產(chǎn)。yy0esmc

正是因為在制程工藝、封裝技術(shù)、人才、企業(yè)管理等方面具備明顯優(yōu)勢和先進(jìn)理念，才使得臺積電在全球晶圓代工業(yè)內(nèi)獨占鰲頭，具有極大的影響力和示范作用。yy0esmc