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今年一月下旬，鎧俠與西部數(shù)據(jù)位于日本的合資工廠發(fā)生原料污染事件，鎧俠在5月13日發(fā)布的最新財(cái)報(bào)中表示，污染事件影響了部分3D NAND（BICS）的生產(chǎn)，目前污染問題已經(jīng)解決，公司在2月底恢復(fù)了全部產(chǎn)能。

近日，鎧俠披露了日本工廠污染事件影響以及未來閃存市場(chǎng)展望等內(nèi)容。

鎧俠西數(shù)原料污染事件對(duì)閃存產(chǎn)業(yè)影響重大，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce認(rèn)為，該事件將使得閃存市場(chǎng)供應(yīng)吃緊，第二季NAND Flash價(jià)格將上漲5~10%。z7Sesmc

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受污染事件影響，鎧俠一季度營收環(huán)比略微下滑，但鎧俠仍舊看好NAND未來前景。z7Sesmc

該公司預(yù)計(jì)云計(jì)算和企業(yè)IT投資不斷增加的環(huán)境下，數(shù)據(jù)中心/企業(yè)SSD的需求預(yù)計(jì)將保持穩(wěn)定；雖然消費(fèi)類市場(chǎng)低迷，但客戶端SSD需求仍將強(qiáng)勁發(fā)展；智能手機(jī)市場(chǎng)隨著5G推廣以及存儲(chǔ)容量提升，該領(lǐng)域存儲(chǔ)需求也將長(zhǎng)期增長(zhǎng)。z7Sesmc

由于長(zhǎng)期看好NAND市場(chǎng)發(fā)展，鎧俠也在持續(xù)推動(dòng)NAND擴(kuò)產(chǎn)。z7Sesmc

鎧俠表示已和西部數(shù)據(jù)敲定正式協(xié)議，共同投資四?市??Fab7 (Y7)第一階段，將生產(chǎn)3D NAND閃存，包括112層和162層以及未來一系列節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。隨著Y7一期建設(shè)的完成，2022 年秋季將開始投產(chǎn)。鎧俠北上工廠 Fab2 (K2)則已經(jīng)開工建設(shè)，計(jì)劃于2023年完成，有助于擴(kuò)大3D NAND（BICS）生產(chǎn)。‍z7Sesmc

責(zé)編：Elaine

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鎧俠回應(yīng)日本工廠污染影響，仍看好NAND市場(chǎng)前景

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