本周四，美光（Micron）隆重宣布了業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的232層3D NAND存儲解決方案，并計劃將之用于包括固態(tài)硬盤（SSD）驅動器在內(nèi)的各種產(chǎn)品線。此外，還宣布試行全新定價機制“遠期定價協(xié)議”，以穩(wěn)定存儲器行業(yè)價格。k99esmc
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3D NAND閃存是一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。平面結構的NAND閃存已接近其實際擴展極限，給半導體存儲器行業(yè)帶來嚴峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度。基于該技術，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。k99esmc
3D NAND是英特爾和美光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種技術，它的概念其實非常簡單：不同于將存儲芯片放置在單面，之前英特爾和美光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這樣一來，單個MLC閃存芯片上可以增加最高32GB的存儲空間，而單個TLC閃存芯片可增加48GB。k99esmc
此次，美光宣布推出232層3D NAND閃存，更多的層意味著每個芯片有更多的存儲空間，這意味著SSD的存儲能力更大。3D NAND正與不同的NAND技術相結合(SLC、QLC)，未來更高堆疊層數(shù)的3D NAND是行業(yè)發(fā)展的趨勢。k99esmc
在陣列下CMOS架構（簡稱CuA）的加持下，美光得以將兩個3D NAND陣列彼此堆疊。如果一切順利，該公司有望于2022下半年開始增加232層3D TLC NAND閃存芯片的生產(chǎn)。k99esmc
美光232層3D NAND芯片（128GB）中的原始容量為1TB，該芯片利用美光的CMOS下陣列（CuA）設計，在彼此之上產(chǎn)生兩個3D NAND陣列。結合CuA設計+232層NAND方案，有助于極大地縮減美光1Tb3D TLC閃存芯片的尺寸，同時降低生產(chǎn)成本或提升利潤率。k99esmc
美光沒有透露232L 3D TLC NAND IC的I/O速度或平面數(shù)量，但暗示它將優(yōu)于現(xiàn)有的3D NAND設備，這將有利于具有PCIe5.0接口的下一代SSD。k99esmc
美光技術和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁斯科特·德波爾（Scott DeBoer）表示，該公司已與NAND控制器制造商（用于SSD和其他基于NAND的存儲設備）密切合作，以確保新內(nèi)存類型的正確兼容性（并確保這些即將推出的驅動器最終進入我們的最佳SSD列表）。美光的232層3D TLCNAND比上一代節(jié)點降低了功耗，考慮到美光歷來專注于移動應用以及與設備制造商的關系，這是一個優(yōu)勢。k99esmc
考慮到美光將于2022年底開始生產(chǎn)232層3D TLC NAND器件，我們可以預期使用新存儲器的SSD將于2023年出現(xiàn)。k99esmc
責編：Momoz
