本周四，美光（Micron）隆重宣布了業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的232層3D NAND存儲(chǔ)解決方案，并計(jì)劃將之用于包括固態(tài)硬盤（SSD）驅(qū)動(dòng)器在內(nèi)的各種產(chǎn)品線。此外，還宣布試行全新定價(jià)機(jī)制“遠(yuǎn)期定價(jià)協(xié)議”，以穩(wěn)定存儲(chǔ)器行業(yè)價(jià)格。uRaesmc
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3D NAND閃存是一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限，給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術(shù)，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲(chǔ)容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。uRaesmc
3D NAND是英特爾和美光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種技術(shù)，它的概念其實(shí)非常簡(jiǎn)單：不同于將存儲(chǔ)芯片放置在單面，之前英特爾和美光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這樣一來，單個(gè)MLC閃存芯片上可以增加最高32GB的存儲(chǔ)空間，而單個(gè)TLC閃存芯片可增加48GB。uRaesmc
此次，美光宣布推出232層3D NAND閃存，更多的層意味著每個(gè)芯片有更多的存儲(chǔ)空間，這意味著SSD的存儲(chǔ)能力更大。3D NAND正與不同的NAND技術(shù)相結(jié)合(SLC、QLC)，未來更高堆疊層數(shù)的3D NAND是行業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)。uRaesmc
在陣列下CMOS架構(gòu)（簡(jiǎn)稱CuA）的加持下，美光得以將兩個(gè)3D NAND陣列彼此堆疊。如果一切順利，該公司有望于2022下半年開始增加232層3D TLC NAND閃存芯片的生產(chǎn)。uRaesmc
美光232層3D NAND芯片（128GB）中的原始容量為1TB，該芯片利用美光的CMOS下陣列（CuA）設(shè)計(jì)，在彼此之上產(chǎn)生兩個(gè)3D NAND陣列。結(jié)合CuA設(shè)計(jì)+232層NAND方案，有助于極大地縮減美光1Tb3D TLC閃存芯片的尺寸，同時(shí)降低生產(chǎn)成本或提升利潤(rùn)率。uRaesmc
美光沒有透露232L 3D TLC NAND IC的I/O速度或平面數(shù)量，但暗示它將優(yōu)于現(xiàn)有的3D NAND設(shè)備，這將有利于具有PCIe5.0接口的下一代SSD。uRaesmc
美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁斯科特·德波爾（Scott DeBoer）表示，該公司已與NAND控制器制造商（用于SSD和其他基于NAND的存儲(chǔ)設(shè)備）密切合作，以確保新內(nèi)存類型的正確兼容性（并確保這些即將推出的驅(qū)動(dòng)器最終進(jìn)入我們的最佳SSD列表）。美光的232層3D TLCNAND比上一代節(jié)點(diǎn)降低了功耗，考慮到美光歷來專注于移動(dòng)應(yīng)用以及與設(shè)備制造商的關(guān)系，這是一個(gè)優(yōu)勢(shì)。uRaesmc
考慮到美光將于2022年底開始生產(chǎn)232層3D TLC NAND器件，我們可以預(yù)期使用新存儲(chǔ)器的SSD將于2023年出現(xiàn)。uRaesmc
責(zé)編：Momoz
