三星電子曾在三年前發(fā)下豪語(yǔ)，希望能在2030年成為全球系統(tǒng)半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)者，不過(guò)專(zhuān)業(yè)分析師表示，三星不論在芯片制造還是代工方面的成長(zhǎng)速度皆不如預(yù)期快速，特別在芯片代工的產(chǎn)能大幅落后其最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。b5Jesmc

3nm批量生產(chǎn)、5nm良率開(kāi)始改善但4nm初步擴(kuò)產(chǎn)延遲

2月份，有報(bào)道稱(chēng)三星在其4nm工藝節(jié)點(diǎn)上的良率僅為35%。這意味著只有35%的從晶圓上切割下來(lái)的芯片裸片可以通過(guò)質(zhì)量控制。相比之下，臺(tái)積電在生產(chǎn)4nm Snapdragon 8 Gen 1 Plus時(shí)實(shí)現(xiàn)了70%的良率。換句話(huà)說(shuō)，在所有條件相同的情況下，臺(tái)積電在同一時(shí)期制造的芯片數(shù)量是三星代工的兩倍。b5Jesmc

但對(duì)于三星4nm以下制程技術(shù)可能失去晶圓代工客戶(hù)的傳聞，三星高層也堅(jiān)決否認(rèn)。三星晶圓市場(chǎng)及策略團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)人兼資深副總裁KangMoon-soo表示，大客戶(hù)需求依舊穩(wěn)定，未來(lái)五年晶圓代工事業(yè)的訂單余額是2021年八倍。b5Jesmc

針對(duì)三星4nm制程恐怕落后臺(tái)積電的疑慮，Kang表示，5nm制程已進(jìn)入成熟良率階段，正在將大客戶(hù)供應(yīng)量最大化。4nm制程的初階段擴(kuò)產(chǎn)有些延遲，但三星力求穩(wěn)定，已開(kāi)始進(jìn)入預(yù)期中的良率改善曲線。b5Jesmc

此外，三星4月28日表示，它有望在本季度使用其3GAE（早期3nm級(jí)柵極全能）制造工藝開(kāi)始大批量生產(chǎn)。該公告不僅標(biāo)志著業(yè)界首個(gè)3nm級(jí)制造技術(shù)，也是第一個(gè)使用環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）的節(jié)點(diǎn)。b5Jesmc

三星3nm制程研發(fā)規(guī)劃分為2個(gè)階段，第一代的GAAGAE(GAA-Early)與第二代3nmGAP(GAA-Plus)。三星表示，該工藝將實(shí)現(xiàn)30%的性能提升、50%的功耗降低以及高達(dá)80%的晶體管密度（包括邏輯和SRAM晶體管的混合）。不過(guò)，三星的性能和功耗的實(shí)際組合將如何發(fā)揮作用還有待觀察。b5Jesmc

三星強(qiáng)調(diào)，與5nm制程相比，三星首顆3nm制程GAA技術(shù)芯片面積將縮小35%，性能提高30%或功耗降低50%。然而，根據(jù)臺(tái)積電年報(bào)信息，3nm基于EUV技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)能力，與符合預(yù)期的芯片良率，以減少曝光機(jī)光罩缺陷及制程堆棧誤差，并降低整體成本，2nm及更先進(jìn)制程上將著重于改善極紫外光技術(shù)的質(zhì)量與成本。b5Jesmc

三星在3nm的困難是3nm GAA制程建立專(zhuān)利IP數(shù)量方面落后。據(jù)南韓媒體報(bào)道，三星缺乏3nmGAA制程相關(guān)專(zhuān)利。b5Jesmc

目前，在工廠方面，此前有消息稱(chēng)三星可能會(huì)在美國(guó)投資170億美元建設(shè)3nm芯片生產(chǎn)線。在客戶(hù)方面，三星未有具體透露，但曾有消息稱(chēng)高通、AMD等臺(tái)積電重量級(jí)客戶(hù)都有意導(dǎo)入三星3nm制程，但介于上述提到的韓媒報(bào)道高通已將其3nm AP處理器的代工訂單交給臺(tái)積電，三星3nm客戶(hù)仍成謎。b5Jesmc

投入目前3倍以上的投資才有機(jī)會(huì)在2030年趕上臺(tái)積電

三星電子在全球芯片市場(chǎng)的占比自2019年以來(lái)一直維持不變，無(wú)法縮短與臺(tái)積電的差距，根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)分析，三星于2021年在全球代工業(yè)務(wù)的收益占比為18%，遠(yuǎn)遜于臺(tái)積電的53%，未來(lái)臺(tái)積電市占有望拉升至56%、三星降至16%。雖然三星正在強(qiáng)化其代工業(yè)務(wù)中的影響力，但市場(chǎng)研究員預(yù)估臺(tái)積電于芯片代工的地位將會(huì)更加鞏固。b5Jesmc

韓國(guó)產(chǎn)業(yè)研究院（KIET）研究員KimYang-paeng表示，三星在代工領(lǐng)域有可能追上臺(tái)積電，但就整體產(chǎn)能而言，在臺(tái)積電沒(méi)有進(jìn)行任何投資的假設(shè)下，三星必須投入目前3倍以上的投資才有機(jī)會(huì)在2030年趕上臺(tái)積電。三星在2021年僅在半導(dǎo)體設(shè)備上就投入了43.567萬(wàn)億韓元（約2298.01億人民幣），也就是說(shuō)為了追趕臺(tái)積電，三星至少還要投入139.7萬(wàn)億韓元才可能完成追趕。因此就目前情勢(shì)看來(lái)，三星要在7年內(nèi)超越臺(tái)積電，并成為全球系統(tǒng)半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)者有一定的難度。b5Jesmc

不過(guò)KIET研究員提到，事實(shí)上最大的系統(tǒng)半導(dǎo)體制造商仍為英特爾，包括CPU和半導(dǎo)體代工制造，而臺(tái)積電僅在代工方面排名第一，美國(guó)總統(tǒng)拜登近日也公開(kāi)表示國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者不應(yīng)只有英特爾，并指出三星和臺(tái)積電等半導(dǎo)體公司正在快速成長(zhǎng)，更在亞利桑那州與德州等地設(shè)立半導(dǎo)體工廠，希望國(guó)會(huì)盡速通過(guò)包含半導(dǎo)體業(yè)在內(nèi)的關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)法案，給予美國(guó)國(guó)內(nèi)企業(yè)更多支持。b5Jesmc

內(nèi)憂(yōu)重重

世宗大學(xué)工商管理系教授KimDae-jong認(rèn)為三星電子若要突破現(xiàn)況，需要收購(gòu)其他有高度成長(zhǎng)潛力的公司以強(qiáng)化目前的業(yè)務(wù)內(nèi)容。對(duì)韓國(guó)集團(tuán)而言，領(lǐng)導(dǎo)的角色非常重要，他們須擔(dān)下并購(gòu)或重大投資責(zé)任，策略才能順利執(zhí)行。b5Jesmc

但由于三星副會(huì)長(zhǎng)李在镕因?yàn)橛捎谀享n司法部頒布五年禁令，李在镕得等到2027年才能重新掌權(quán)。他因賄絡(luò)前總統(tǒng)樸槿惠遭定罪，2021年8月起便一直處于假釋狀態(tài)。目前三星內(nèi)部也沒(méi)人可以代表公司做出冒險(xiǎn)的決定，于是計(jì)劃擱淺。b5Jesmc