韓國(guó)進(jìn)軍功率半導(dǎo)體VpUesmc

近年來(lái)，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展迅猛，美、歐、日等國(guó)家紛紛出臺(tái)法案，加大對(duì)功率半導(dǎo)體行業(yè)的扶持力度。而在這些國(guó)家相繼進(jìn)軍該市場(chǎng)后，韓國(guó)望眼一看，為擴(kuò)大其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的影響力，也快馬加鞭攻入該領(lǐng)域。VpUesmc

最新消息，據(jù)韓媒ETNews 報(bào)道，為了開(kāi)發(fā)新一代功率半導(dǎo)體，韓國(guó)于4月14日正式推出由其國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)、大學(xué)、研究所等組成的“新一代晶體工程部”，以應(yīng)對(duì)碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（GaO）等迅速增長(zhǎng)的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。VpUesmc

該研究部門(mén)將開(kāi)發(fā)以碳化硅（SiC）為基礎(chǔ)的國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)，還將培育與碳化硅半導(dǎo)體相關(guān)的材料、零部件和設(shè)備企業(yè)的發(fā)展，并決定為應(yīng)對(duì)碳化硅半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)，組成聯(lián)盟。VpUesmc

該聯(lián)盟聚集了LX Semiconductor、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半導(dǎo)體企業(yè)，他們將參與材料、零部件、設(shè)備用功率半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)。VpUesmc

其中，由LX Semiconductor開(kāi)發(fā)碳化硅半導(dǎo)體、SK siltron公司負(fù)責(zé)碳化硅襯底、Hana Materials和STI將共同開(kāi)發(fā)碳化硅半導(dǎo)體零件和設(shè)備技術(shù)、由光云大學(xué)、嘉泉大學(xué)和韓國(guó)國(guó)民大學(xué)支援碳化硅半導(dǎo)體研究開(kāi)發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施，由韓國(guó)國(guó)家納米材料研究所和陶瓷工程技術(shù)研究所支援技術(shù)。VpUesmc

此前3月，TrendForce集邦咨詢(xún)研究表示，目前最具發(fā)展?jié)摿Φ牟牧霞礊榫邆涓吖β始案哳l率特性的寬禁帶（Wide Band Gap；WBG）半導(dǎo)體，包含碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），主要應(yīng)用大宗為電動(dòng)車(chē)、快充市場(chǎng)。VpUesmc

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究推估，第三類(lèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長(zhǎng)至47.1億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)48%。VpUesmc

面對(duì)充滿(mǎn)著無(wú)限機(jī)遇的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，韓國(guó)之前也開(kāi)始早早部署。VpUesmc

2016年，韓國(guó)圍繞Si基GaN和SiC器件啟動(dòng)功率電子國(guó)家項(xiàng)目；VpUesmc

2017年，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部（MOTIE）舉辦研討會(huì)，以837億韓元投入低耗能的SiC功率半導(dǎo)體；VpUesmc

2019年，韓國(guó)政府每年將提供1兆韓元（約合8.5億美元）的預(yù)算，以支持半導(dǎo)體材料、以及設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化；VpUesmc

2021年，韓國(guó)政府投資2500億韓元（約14.58億人民幣），且表示未來(lái)10年將投資2.5兆韓元（約143億人民幣），加快功率半導(dǎo)體等技術(shù)的研發(fā)。VpUesmc

美企協(xié)力培育先進(jìn)制造業(yè)VpUesmc

4月，據(jù)外媒businesswire報(bào)道，英特爾（Intel）、美光（Micron）、亞德諾半導(dǎo)體（Analog Devices Inc；ADI）和MITRE Engenuity宣布達(dá)成協(xié)議，加快半導(dǎo)體研究、開(kāi)發(fā)和原型設(shè)計(jì)，以打造更堅(jiān)強(qiáng)的美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)，在美國(guó)培育先進(jìn)制造業(yè)，并在日益激烈的全球競(jìng)爭(zhēng)中保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)。VpUesmc

英特爾、美光、ADI和MITRE Engenuity將積極尋求來(lái)自美國(guó)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)各個(gè)方面的行業(yè)和專(zhuān)家的共同參與，包括集成設(shè)備制造商（IDM）；無(wú)晶圓廠芯片公司（Fabless）；基礎(chǔ)設(shè)施、設(shè)計(jì)和制造工具的供應(yīng)商；以及來(lái)自工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的技術(shù)創(chuàng)新者。VpUesmc

據(jù)介紹，由MITRE Engenuity領(lǐng)導(dǎo)的半導(dǎo)體聯(lián)盟于2021年從工作組發(fā)展而來(lái)，其原則已發(fā)表在《美國(guó)創(chuàng)新促進(jìn)美國(guó)增長(zhǎng)》（American Innovation for American Growth ）白皮書(shū)中，總結(jié)了該聯(lián)盟呼吁采取行動(dòng)建立一個(gè)公平客觀的國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)中心（National Semiconductor Technology Center；NSTC）。VpUesmc

之前1月中旬，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）發(fā)布了《2021年美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)報(bào)告》。SIA表示，美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)占比超過(guò)其他任何國(guó)家的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但優(yōu)勢(shì)地帶主要集中在EDA和核心IP、芯片設(shè)計(jì)、制造設(shè)備等研發(fā)密集型領(lǐng)域。其在芯片制造的份額正在急劇下降，需要更大力度的投資和激勵(lì)措施。VpUesmc

美國(guó)參議院在去年6月通過(guò)了《美國(guó)創(chuàng)新與競(jìng)爭(zhēng)法案》（USICA），將劃撥520億美元用于支持芯片制造、研究和設(shè)計(jì)。此舉正是為了強(qiáng)化半導(dǎo)體供應(yīng)鏈建設(shè)。VpUesmc

歐洲企業(yè)力圖FD-SOI技術(shù)突破VpUesmc

據(jù)外媒4月報(bào)道，CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布將在下一代FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)上展開(kāi)合作。VpUesmc

2000年，伯克利的前任教授胡正明發(fā)明了FD-SOI技術(shù)。相較于體硅技術(shù)，F(xiàn)D-SOI可以實(shí)現(xiàn)對(duì)納米節(jié)點(diǎn)工藝制程下晶體管電流的有效控制和閾值電壓的靈活調(diào)控。因而，從21世紀(jì)伊始，以L(fǎng)eti、Soitec、STM為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司開(kāi)始投入該技術(shù)的研發(fā)。VpUesmc

FD-SOI使用的范圍廣泛，其中，汽車(chē)是2xnm FDSOI技術(shù)的主要應(yīng)用領(lǐng)域，包括雷達(dá)、供電電池等物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。由于移動(dòng)IC應(yīng)用的功耗必須足夠低以最大限度的延長(zhǎng)電池壽命，因此FD-SOI技術(shù)也十分適合移動(dòng)IC應(yīng)用。VpUesmc

此前也有聯(lián)盟成立以求SOI技術(shù)突破。VpUesmc

2007年，SOI聯(lián)盟（SOI Consortium）成立，之后越來(lái)越多的企業(yè)和機(jī)構(gòu)開(kāi)始關(guān)注SOI技術(shù)。目前，SOI聯(lián)盟的成員包含科研機(jī)構(gòu)、材料商、設(shè)備商、集成芯片制造商、芯片設(shè)計(jì)商、芯片代工商、供應(yīng)商等，且貫穿整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈。VpUesmc

回首過(guò)去幾十年，三星、IBM、格芯、意法半導(dǎo)體、CEA等企業(yè)一直不斷地嘗試，將FD-SOI技術(shù)向更先進(jìn)的制程推進(jìn)，還通過(guò)提高SOI晶圓產(chǎn)能和降低成本，以進(jìn)一步推進(jìn)該技術(shù)市場(chǎng)化。VpUesmc

當(dāng)前，意法半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)28nm FD-SOI量產(chǎn)，而格芯在德國(guó)德累斯頓擁有一家生產(chǎn)設(shè)施，采用22nm制程的22FDX工藝。FD-SOI在低功耗應(yīng)用上具有顯著優(yōu)勢(shì)，制造工藝也較FinFET簡(jiǎn)化。VpUesmc

該技術(shù)走到22nm之后，特征尺寸已很難繼續(xù)微縮，所以亟待發(fā)展革新技術(shù)。技術(shù)研究中心CEA-Leti認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI制程可以擴(kuò)展到10nm以下。VpUesmc

巨頭抱團(tuán)成立UCIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟VpUesmc

此前3月，英特爾、AMD、Arm、高通、微軟、谷歌、Meta（元界）、臺(tái)積電、日月光、三星十家行業(yè)巨頭宣布正式成立通用小芯片互聯(lián)（Universal Chiplet Interconnect Express，UCIe）聯(lián)盟。該聯(lián)盟旨在推廣UCIe 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，構(gòu)建完善生態(tài)，使之成為異構(gòu)封裝小芯片（Chiplet）未來(lái)片上互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)。VpUesmc

UCIe是一種開(kāi)放的Chiplet互連規(guī)范，定義了封裝內(nèi)Chiplet之間的互連，以實(shí)現(xiàn)Chiplet在封裝級(jí)別的普遍互連和開(kāi)放的Chiplet生態(tài)系統(tǒng)。VpUesmc

UCIe 1.0規(guī)范涵蓋芯片到芯片I/O實(shí)體層、芯片到芯片協(xié)定和軟件堆疊，并利用了成熟的PCI Express（PCIe）和Compute Express Link（CXL）高速互連標(biāo)準(zhǔn)。VpUesmc

該標(biāo)準(zhǔn)最初由Intel提議并制定，后開(kāi)放給業(yè)界，共同制定而成。目前，UCIe標(biāo)準(zhǔn)面向全行業(yè)開(kāi)放。VpUesmc

此外，值得一提的是，在該聯(lián)盟成立沒(méi)多久，中國(guó)大陸的IC設(shè)計(jì)企業(yè)芯原股份以及IP芯片企業(yè)芯耀輝科技于4月也宣布正式加入U(xiǎn)CIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。‍VpUesmc