三星3nmGAA工藝良率仍遠(yuǎn)低于目標(biāo)74Oesmc
據(jù)韓國(guó)商業(yè)郵報(bào)報(bào)道，三星正在努力提高其3nm GAA工藝良率，該良率剛剛達(dá)到10%到20%之間。三星4nm工藝制造的良率也不盡如人意，僅為30-35%。74Oesmc
市場(chǎng)人士認(rèn)為，三星第一代3nm GAA工藝將首先用于三星自研芯片的制造，該工藝不太可能被外部客戶采用。但消息人士稱，三星的第二代3nm工藝將為外部客戶的芯片設(shè)計(jì)做好準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)明年開(kāi)始量產(chǎn)。74Oesmc
消息人士指出，臺(tái)積電在轉(zhuǎn)向GAA晶體管技術(shù)時(shí)是否會(huì)面臨良率問(wèn)題還有待觀察。臺(tái)積電最有可能擁有基于GAA的2nm，目標(biāo)是在2025年投產(chǎn)。74Oesmc
三星此前透露，計(jì)劃在2022年上半年開(kāi)始生產(chǎn)其客戶的第一款基于3nm(3GAE)的芯片設(shè)計(jì)，并使其第二代3nm工藝(3GAP)準(zhǔn)備在2023年投入生產(chǎn)。74Oesmc
但3月初三星因?yàn)橄冗M(jìn)工藝的低良率問(wèn)題備受關(guān)注，有傳聞稱三星的3nm芯片的良率只有35%，這些負(fù)面消息也導(dǎo)致一些大客戶出走，在3nm節(jié)點(diǎn)將轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。而三星不但失去了高通剩余的4nm訂單，而且高通已將驍龍8Gen1Plus的訂單轉(zhuǎn)給了臺(tái)積電。74Oesmc
臺(tái)積電今年8月3nm量產(chǎn)有望74Oesmc
臺(tái)積電重申其有望在2022年下半年將3nm工藝技術(shù)投入量產(chǎn)。該代工廠還計(jì)劃在2023年下半年將N3的增強(qiáng)版N3E投入量產(chǎn)。臺(tái)積電的3nm工藝?yán)肍inFET晶體管的結(jié)構(gòu)。74Oesmc
《聯(lián)合報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電決定如期在2022年推動(dòng)3nm芯片量產(chǎn)，目前臺(tái)積電初步規(guī)劃新竹工廠每月產(chǎn)能約1萬(wàn)至2萬(wàn)片，臺(tái)南工廠產(chǎn)能為1.5萬(wàn)片。74Oesmc
臺(tái)積電決定今年率先量產(chǎn)第二版3nm制程N(yùn)3B，將于今年8月于新竹12廠研發(fā)中心第八期工廠及南科18廠P5廠同步投片。分析師表示，第一批客戶包括蘋(píng)果和英特爾公司。74Oesmc
臺(tái)積電的3nm技術(shù)(N3)將是5nm技術(shù)(N5)后的又一全節(jié)點(diǎn)技術(shù)，并在推出時(shí)提供PPA和晶體管技術(shù)中最先進(jìn)的代工技術(shù)。與N5技術(shù)相比，N3技術(shù)將提供高達(dá)70%的邏輯密度增益、高達(dá)15%的速度提升以及相同的速度和高達(dá)30%的功耗降低。N3技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利。N3技術(shù)將為移動(dòng)和HPC應(yīng)用程序提供完整的平臺(tái)支持。74Oesmc
英特爾3nm報(bào)喜74Oesmc
到2022年底，英特爾應(yīng)該會(huì)增加他們的4nm節(jié)點(diǎn)，然后在2023年他們的3nm節(jié)點(diǎn)應(yīng)該會(huì)增加，到2024年他們的20A（2nm）和18A（1.8nm）節(jié)點(diǎn)應(yīng)該會(huì)增加。所有這些都是基于EUV的節(jié)點(diǎn)，到2024年底英特爾將很少使用基于非EUV的微處理器生產(chǎn)工藝。英特爾也正在建設(shè)基于EUV的生產(chǎn)工廠。74Oesmc
到2024年，預(yù)計(jì)英特爾的20A2nm芯片將發(fā)布，該芯片將采用該公司專有的HNS，稱為RibbonFET。它還將具有一種稱為PowerVia的背板供電形式，以幫助更輕松地為芯片供電。接下來(lái)是18A的發(fā)布，之后我們將看到EUV技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，用于制作更小的打印件。所有這些都應(yīng)該有助于提供更好的每瓦性能，這也是英特爾使用這些新芯片的主要目標(biāo)之一。74Oesmc
責(zé)編：Elaine
