DRAM：現(xiàn)貨供應(yīng)商面臨庫存積壓
在各種不利因素尚未紓解前，DRAM現(xiàn)貨供應(yīng)商仍面臨庫存積壓問題，月底到貨亦顯著影響價格走勢，工廠端補貨態(tài)度普遍并不積極，即便議價空間擴(kuò)大，此策略仍無法彰顯任何效力，整體交易情況持續(xù)衰退。tgYesmc
DDR4 1Gx8 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC一般報價下跌至USD3.55-3.60，CJR-XNC報價也同樣落在USD3.55~3.60上下，CJR-VKC一般報價為USD3.55~3.60附近；Samsung WC-BCTD現(xiàn)貨報價維持在USD4.00左右。tgYesmc
DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC報價同樣在USD2.36，WF-BCTD價格則是落在USD2.5x左右；SK Hynix BJR-VKC一般報價小幅下跌至USD2.47。tgYesmc
DDR4 512x16 2666部分，SK Hynix CJR-VKC報價為USD3.9x左右；Samsung WC-BCTD跌幅較為明顯，已下修至USD3.95~3.97。tgYesmc
DDR4 256x16部分，Samsung WE-BCRC價格跌至USD2.28，而WF-BCTD報價修正至USD1.91~1.95左右。tgYesmc
模組現(xiàn)貨價格參考：tgYesmc
KST DDR4 4G 2666 $18.70tgYesmc
KST DDR4 8G 2666 $30.35tgYesmc
KST DDR4 16G 2666 $60.25tgYesmc
KST DDR4 8G 2666 超頻 $31.35tgYesmc
KST DDR4 16G 2666 超頻 $61.50tgYesmc
KST DDR4 8G 3200 $30.85tgYesmc
KST DDR4 16G 3200 $61.00tgYesmc
KST DDR4 8G 3200 超頻 $32.50tgYesmc
KST DDR4 16G 3200 超頻 $63.50tgYesmc
NAND Flash：市場整體動能停滯
NAND Flash市場整體動能停滯，買氣蕭條，多方因素造成供需雙方態(tài)度保守觀望，供應(yīng)端資金鏈緊縮，紛紛主動釋出低價以求套現(xiàn)，工廠端則因終端需求不甚明朗，并未積極備貨，顆粒賣壓逐漸浮現(xiàn)，除了Kioxia/Micron特定高容量規(guī)格，仍受SSD需求拉抬，詢單表現(xiàn)相對穩(wěn)定，但也仍持續(xù)受限于交期及價格偏高，雙方交集有限，而其余顆粒價格表現(xiàn)皆不理想，呈現(xiàn)疲軟滑落姿態(tài)。tgYesmc
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其中，Samsung SLC 2G/4G零星詢單，買方購貨意愿保守，且訂單仍在確認(rèn)當(dāng)中，并未有實際議價動作，盤勢微幅振蕩。tgYesmc
SK Hynix SLC顆粒2G部分有詢單釋出，市場報價微幅上揚，但需求力道有限，無法帶動整體顆粒買氣，其余顆粒表現(xiàn)較不理想，價格隨大盤波動。tgYesmc
Micron SLC顆粒報價大致持平，雖一度受大盤影響，微幅修正，但因現(xiàn)貨供應(yīng)量不足，價格隨后趨向平穩(wěn)，交易情況不甚明朗。tgYesmc
Kioxia SLC顆粒2G/4G需求表現(xiàn)相對積極，相對低價部位有些許成交，但其余顆粒則有到貨賣壓，價格表現(xiàn)漲跌互見。tgYesmc
TF卡：市場價格呈現(xiàn)下滑趨勢
本周TF卡表現(xiàn)較為冷清，市場氛圍持續(xù)低迷，整體需求不振，買家態(tài)度保守，問價動作皆有減少，報價也稍顯被動，市場價格呈現(xiàn)下滑趨勢，整體成交情況慘淡。tgYesmc
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責(zé)編：Momoz
