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為重振半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),日本提出三階段戰(zhàn)略

國際電子商情訊 為應(yīng)對中美貿(mào)易戰(zhàn),世界各國政府開始推動半導(dǎo)體國產(chǎn)化。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省還提出了一個三階段戰(zhàn)略,以在未來10年內(nèi)重振日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

由于持續(xù)的芯片短缺和半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中斷的高風(fēng)險仍然是世界各國政府面臨的主要挑戰(zhàn),日本面臨著尋找振興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的解決方案的巨大壓力。pmcesmc

近年來,日本半導(dǎo)體公司的全球市場份額一直在下降,從1988年的50.3%下降到10%以下。為制定有效的產(chǎn)業(yè)振興戰(zhàn)略,日本政府和國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)正在現(xiàn)在反思為什么日本的半導(dǎo)體行業(yè)在全球市場上一直輸給外國競爭對手。pmcesmc

日本“失去的十年”的五個原因

據(jù)日經(jīng)和Mynavi報道,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省(METI)在去年6月發(fā)布的“半導(dǎo)體和數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略”中提到了振興日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的潛在戰(zhàn)略。pmcesmc

該部已將日本“失去的十年”的原因縮小到五個。pmcesmc

1.為盡量減少與美國的貿(mào)易沖突,日本于1986年與華盛頓簽署了一項半導(dǎo)體協(xié)議。該協(xié)議包括對日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的多項限制,從而導(dǎo)致日本失去其在全球市場的主導(dǎo)地位。隨著日本在半導(dǎo)體市場份額的下降,英特爾的份額上升,成為業(yè)內(nèi)收入最高的公司。pmcesmc

2、邏輯半導(dǎo)體的制造和設(shè)計已經(jīng)從縱向分工轉(zhuǎn)向橫向集成,日本芯片制造商難以跟上潮流。直到2010年,瑞薩才完成了日立、三菱電機和NEC的MCU和LSI半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的整合。pmcesmc

3、日本數(shù)字市場表現(xiàn)不佳,未能成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的培育基地。由于日本企業(yè)在數(shù)字化方面的投資有限,半導(dǎo)體公司缺乏客戶。IC設(shè)計發(fā)展滯后,迫使企業(yè)從海外進口先進的半導(dǎo)體。pmcesmc

4.1990年代之后追求自給自足,阻礙了日本與全球創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)的聯(lián)系。盡管日本于2001年開始啟動公私半導(dǎo)體研發(fā)合作項目,但項目成果有限。pmcesmc

5.日本企業(yè)對半導(dǎo)體的投資少于韓國、中國臺灣和中國大陸。自1990年代日本經(jīng)濟陷入衰退以來,企業(yè)一直不愿投資日本的半導(dǎo)體行業(yè)。pmcesmc

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日本振興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三階段戰(zhàn)略

為應(yīng)對中美貿(mào)易戰(zhàn),世界各國政府開始推動半導(dǎo)體國產(chǎn)化。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省還提出了一個三階段戰(zhàn)略,以在未來10年內(nèi)重振日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。pmcesmc

第一階段:加強物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的半導(dǎo)體生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施pmcesmc

出于經(jīng)濟安全原因,日本必須確保穩(wěn)定供應(yīng)先進半導(dǎo)體,如邏輯IC和存儲芯片。為此,政府需要吸引外國芯片制造商在日本建立工廠,并通過激勵和補貼來促進國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)。pmcesmc

METI不再堅持讓日本生產(chǎn)自己的半導(dǎo)體。事實上,該部甚至在2019年芯片短缺情況惡化之前就計劃吸引外國芯片制造商在日本建立先進的晶圓工廠。pmcesmc

日本媒體報道稱,日本政府曾考慮將臺積電、英特爾和三星電子吸引到日本。然而,在日本于2019年對向韓國出口半導(dǎo)體材料實施更嚴(yán)格的控制后,三星不再是候選者。最終,臺積電同意在熊本縣建立晶圓廠,由索尼和電裝投資。pmcesmc

第二階段:與美國合作開發(fā)下一代半導(dǎo)體技術(shù)pmcesmc

日本國家先進工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究院(AIST)已發(fā)起研發(fā)聯(lián)盟,以開發(fā)2nm及以下制造工藝。英特爾和IBM是該聯(lián)盟的投資方,研發(fā)成果應(yīng)該會在2025年前后出爐。METI未來的半導(dǎo)體研發(fā)項目也將涉及日本和外國公司的合作。pmcesmc

第三階段:規(guī)劃更大規(guī)模的國際合作,提升未來的半導(dǎo)體技術(shù)pmcesmc

日本將轉(zhuǎn)向精度和計算效率更高的光電聚變技術(shù)。這些技術(shù)可能會在2030年后改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),并帶來新一輪的國家研發(fā)項目。pmcesmc

METI的三階段半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)興戰(zhàn)略取得了一些成果。pmcesmc

臺積電在熊本的子公司JASM原本計劃將28/22nm工藝帶到日本。然而,在索尼和電裝投資JASM之后,該公司在2022年2月宣布,現(xiàn)在將改為在日本生產(chǎn)16/12nm工藝。pmcesmc

領(lǐng)導(dǎo)其半導(dǎo)體政策小組的自民黨成員AkiraAmari指出,中國臺灣將努力將其最先進的半導(dǎo)體技術(shù)留在臺灣省。因此,日本必須結(jié)成地域聯(lián)盟,開發(fā)2nm及以下先進工藝。pmcesmc

Amari表示,希望日本政府和企業(yè)在未來10年合計投資7-10萬億日元(650-865億美元),幫助日本提高半導(dǎo)體產(chǎn)能和相關(guān)技術(shù)。他建議日本應(yīng)通過長達十年的項目重振其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),這些項目與METI構(gòu)想的振興戰(zhàn)略相一致。pmcesmc

責(zé)編:Momoz
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