3月15日，日本豐田合成宣布與日本大阪大學(xué)（OsakaUniversity）成功研制出尺寸超6英寸的GaN籽晶，有助于GaN功率器件的低成本化。7wtesmc
7wtesmc
Source：豐田合成7wtesmc
據(jù)介紹，為制造超過6英寸的GaN 襯底，豐田合成與大阪大學(xué)采用了鈉助熔劑法（Sodium Flux Method），該方法是在鈉和鎵的液態(tài)金屬中生長GaN晶體。基于此，豐田合成開發(fā)出全球最大、超過6英寸的高質(zhì)量GaN晶體。7wtesmc
接下來，豐田合成與大阪大學(xué)將對6英寸襯底的批量生產(chǎn)進(jìn)行質(zhì)量評估，并繼續(xù)提高晶體質(zhì)量、加大尺寸。7wtesmc
7wtesmc
Source：豐田合成7wtesmc
目前，豐田合成正在利用其在GaN半導(dǎo)體（藍(lán)光LED和UV-C LED）方面的專業(yè)知識(shí)來開發(fā)下一代功率器件。7wtesmc
豐田合成表示，功率器件廣泛用于工業(yè)機(jī)械、汽車、家用電子等領(lǐng)域的功率控制。7wtesmc
隨著社會(huì)朝著碳中和的方向發(fā)展，下一代功率器件因能夠幫助減少可再生能源設(shè)備和電動(dòng)汽車這些大型電力設(shè)備的功率損失，未來應(yīng)用將廣泛落地，而GaN 功率器件是有助于減少功率損失的方法之一，且開發(fā)下一代功率器件需要更高質(zhì)量和更大尺寸的GaN襯底，以實(shí)現(xiàn)更高的生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本。7wtesmc
責(zé)編：Momoz
