多國(guó)投資建廠規(guī)劃接連落地
3月15日,英特爾詳述了斥資逾330億歐元(約合人民幣2312.54億元)提振歐洲芯片制造業(yè)的計(jì)劃,此前英特爾宣布在未來(lái)10年向該領(lǐng)域注入800億歐元的計(jì)劃,此次是第一階段。D2Tesmc
作為投資的一部分,英特爾將投資170億歐元在德國(guó)馬格德堡開(kāi)發(fā)兩個(gè)芯片工廠。該項(xiàng)計(jì)劃預(yù)計(jì)將于2023年上半年開(kāi)工建設(shè),2027年底投產(chǎn),等待歐盟委員會(huì)的批準(zhǔn)。據(jù)悉,新的工廠預(yù)計(jì)將使用英特爾最先進(jìn)的埃斯特晶體管技術(shù)交付芯片。D2Tesmc
此外,英特爾計(jì)劃向愛(ài)爾蘭的現(xiàn)有工廠投資120億歐元,將制造空間增加一倍并改善工藝;在意大利投資45億歐元建立后端制造設(shè)施,目前正在談判中;在法國(guó)建立一個(gè)新的研發(fā)和設(shè)計(jì)中心,并在波蘭和西班牙進(jìn)一步投資。D2Tesmc
英特爾表示,馬格德堡工廠以及在法國(guó)、愛(ài)爾蘭、意大利、波蘭和西班牙的投資,可能在十年內(nèi)可獲得近900億美元的收益資金,并表示將會(huì)用來(lái)建造更多的工廠。D2Tesmc
值得一提的是,意大利等國(guó)為吸引英特爾的投資,紛紛推出巨大的激勵(lì)政策。D2Tesmc
今年3月消息,意大利最近出爐的一份法令草案顯示,該國(guó)計(jì)劃在2030年前撥出逾40億歐元的資金用于推動(dòng)本土芯片制造業(yè)發(fā)展,以吸引全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)的投資。其中,意大利最主要的目標(biāo)是英特爾公司。D2Tesmc
據(jù)悉,意大利希望能說(shuō)服英特爾在羅馬建造一座芯片工廠,羅馬負(fù)責(zé)提供公共資金與其他優(yōu)惠條件,該項(xiàng)目投資約80億歐元,計(jì)劃十年建成。D2Tesmc
此前,英特爾表示將投資200億美元在美國(guó)亞利桑那州建設(shè)兩處工廠,一處用于生產(chǎn)CPU,一處用作Foundry。在2021年9月,官方表示兩座新工廠已經(jīng)正式開(kāi)建,新工廠將被命名為Fab 52和Fab 62,預(yù)計(jì)在2024年全面投入使用。D2Tesmc
“IDM2.0”戰(zhàn)略下專注技術(shù)研發(fā)
除了在各國(guó)大量擴(kuò)產(chǎn)建廠外,英特爾近日通過(guò)收購(gòu)高塔半導(dǎo)體、與IBM開(kāi)展合作、提前訂購(gòu)ASML先進(jìn)光刻機(jī)等舉措,進(jìn)一步推動(dòng)其技術(shù)研發(fā)。D2Tesmc
2月15日,英特爾和模擬半導(dǎo)體代工廠高塔半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)宣布達(dá)成收購(gòu)協(xié)議,根據(jù)協(xié)議,英特爾將以每股53美元的現(xiàn)金收購(gòu)高塔半導(dǎo)體,總企業(yè)價(jià)值約為54億美元。該交易已獲得英特爾和高塔半導(dǎo)體董事會(huì)一致批準(zhǔn),將在約12個(gè)月內(nèi)完成。交易完成前,英特爾代工服務(wù)事業(yè)部與高塔半導(dǎo)體將獨(dú)立運(yùn)營(yíng)。D2Tesmc
據(jù)TrendForce集邦咨詢表示,2021年第四季Tower營(yíng)收在全球晶圓代工市場(chǎng)位居第九名,分別在以色列、美國(guó)及日本設(shè)立共計(jì)7座廠房,整體12英寸約當(dāng)產(chǎn)能占全球約3%。其中,以8英寸產(chǎn)能較多,占全球8英寸產(chǎn)能約6.2%。D2Tesmc
D2Tesmc
制程平臺(tái)方面,Tower可提供0.8um~65nm少量多樣化的特殊制程工藝,主要生產(chǎn)RF-SOI、PMIC、CMOS Sensor、discrete等產(chǎn)品,將助Intel在智能手機(jī)、工業(yè)以及車(chē)用等領(lǐng)域擴(kuò)大發(fā)展。D2Tesmc
集邦咨詢認(rèn)為,在英特爾代工事業(yè)正式與高塔整合后,英特爾將正式進(jìn)入前十大晶圓代工排名。D2Tesmc
另外,為了加速半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和制造領(lǐng)域的創(chuàng)新,2021年3月23日,IBM和英特爾宣布了一項(xiàng)重要合作,兩家公司將攜手推進(jìn)下一代邏輯和封裝技術(shù)。D2Tesmc
2021年5月,IBM宣布已成功研制出全球首款采用2納米規(guī)格納米片技術(shù)的芯片。公開(kāi)資料顯示,與當(dāng)前主流的7納米芯片相比,IBM 2納米芯片的性能預(yù)計(jì)提升45%,能耗降低75%。與當(dāng)前領(lǐng)先的5納米芯片相比,2納米芯片的體積也更小,速度也更快。目前對(duì)于英特爾是否會(huì)率先使用這項(xiàng)技術(shù)還未知。D2Tesmc
此外,英特爾此前提出的7納米計(jì)劃稱,在2021年第二季度開(kāi)始研發(fā)7納米,將在2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。業(yè)界猜測(cè),英特爾或?qū)⑴cIBM合作推動(dòng)該計(jì)劃的實(shí)現(xiàn)。D2Tesmc
除了布局先進(jìn)技術(shù),英特爾也在設(shè)備上做了提前布局。近日,ASML爆出其新一代高數(shù)值孔徑光刻機(jī)將于2025年首批供應(yīng)給英特爾。據(jù)ASML發(fā)言人稱,更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍,同時(shí)密度增加2.9倍。未來(lái)比3nm更先進(jìn)的工藝,將極度依賴高NA EUV光刻機(jī)。D2Tesmc
結(jié)語(yǔ)
總體而言,自英特爾公布其戰(zhàn)略規(guī)劃以來(lái),許多措施接連落地,其在IDM和Foundry上的各項(xiàng)舉措不僅有助于自身改善產(chǎn)業(yè)布局,也對(duì)全球缺芯現(xiàn)狀起到一定的改善作用。在全球市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求以及各國(guó)豐厚的芯片補(bǔ)貼政策下,英特爾的戰(zhàn)略布局將更進(jìn)一步。D2Tesmc
責(zé)編:Momoz