功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體芯片的一個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，在2021年的熱度居高不下，相關(guān)企業(yè)營(yíng)收迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，多家投資機(jī)構(gòu)看好其投資價(jià)值。進(jìn)入2022年，功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)熱度是否還會(huì)延續(xù)，又能否保持2021年的高速增長(zhǎng)？ BfGesmc

我們知道半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要分為集成電路IC和非集成電路兩大部分，功率半導(dǎo)體因此也分為功率分立器件（非集成電路）和功率IC（功率集成電路）。其中，功率IC屬于集成電路IC中的模擬IC，主要包括AC/DC、DC/DC、LDO、驅(qū)動(dòng)IC等13個(gè)細(xì)分類型；而功率分立器件屬于非集成電路，主要包括MOSFET、IGBT、功率二極管、功率晶體管及晶閘管等類型。 BfGesmc

去年12月，芯謀研究重磅發(fā)布《中國(guó)功率IC市場(chǎng)年度報(bào)告2022》，廣受市場(chǎng)好評(píng)。與此同時(shí)，市場(chǎng)對(duì)功率分立器件市場(chǎng)的年度報(bào)告也分外期待。3月上旬，芯謀研究《中國(guó)功率分立器件市場(chǎng)年度報(bào)告2022》將火熱出爐。今天我們與其作者——芯謀研究總監(jiān)李國(guó)強(qiáng)聊了聊，望與讀者一同探究國(guó)產(chǎn)功率分立器件的市場(chǎng)走向。BfGesmc

 責(zé)編：胡安BfGesmc

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李國(guó)強(qiáng)，現(xiàn)任芯謀研究總監(jiān)，長(zhǎng)期在半導(dǎo)體行業(yè)工作，擁有20多年半導(dǎo)體相關(guān)行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，對(duì)半導(dǎo)體制造、半導(dǎo)體芯片、電子終端產(chǎn)業(yè)等產(chǎn)業(yè)鏈有深刻的認(rèn)識(shí)和全面的了解。李國(guó)強(qiáng)先生畢業(yè)于浙江工商大學(xué)應(yīng)用電子技術(shù)專業(yè)，獲工學(xué)學(xué)士，并獲得上海交通大學(xué)集成電路工程碩士學(xué)位。BfGesmc

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2009~2019年期間，李國(guó)強(qiáng)先生任職于上海華虹宏力戰(zhàn)略、市場(chǎng)與發(fā)展部，負(fù)責(zé)公司戰(zhàn)略規(guī)劃和市場(chǎng)研究，深入研究了半導(dǎo)體代工行業(yè)、功率分立器件技術(shù)和市場(chǎng)（包括MOSFET和IGBT等）、電源管理芯片、模擬芯片、微控制器等半導(dǎo)體芯片及其工藝。BfGesmc

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2000-2009年，李國(guó)強(qiáng)先生先后任職于上海灝瑞、上海英群、香港雅創(chuàng)上海公司、香港曉龍上海公司等電子元器件代理分銷商，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體芯片推廣、銷售和管理工作，對(duì)功率分立器件、電源管理/模擬芯片、接口芯片、微控制（MCU）、圖像傳感器、通信芯片、時(shí)鐘等多種半導(dǎo)體芯片及其終端產(chǎn)品有全面的了解和認(rèn)識(shí)。BfGesmc

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【以下是我們與李國(guó)強(qiáng)總監(jiān)的對(duì)話，將覆蓋功率分立器件市場(chǎng)十大焦點(diǎn)問(wèn)題?！?/span>BfGesmc

提問(wèn)1: 2021年國(guó)內(nèi)外功率器件廠商的關(guān)鍵詞是什么？BfGesmc

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李國(guó)強(qiáng)：2021年功率器件廠商的關(guān)鍵詞就是“建廠擴(kuò)產(chǎn)”和“第三代半導(dǎo)體”。這也為2022年產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了整體基調(diào)。 BfGesmc

建廠擴(kuò)產(chǎn)方面，國(guó)內(nèi)外廠商的動(dòng)作頻頻。海外廠商中，英飛凌歷經(jīng)三年籌建、耗資16億歐元的12英寸（300mm）晶圓廠正式投入使用。這也是歐洲微電子領(lǐng)域最大的項(xiàng)目之一。國(guó)內(nèi)廠商也建了很多廠，比如華潤(rùn)微電子正在建設(shè)12英寸先進(jìn)功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，并計(jì)劃今年建成投產(chǎn)；捷捷微電子在南通的8英寸“高端功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”已完成基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，計(jì)劃今年二三季度開始試生產(chǎn)；吉林華微電子建設(shè)8英寸新型電力電子器件基地并已投入運(yùn)行等等。 BfGesmc

從技術(shù)層面看，2021年的創(chuàng)新點(diǎn)還是在寬禁帶半導(dǎo)體（也叫第三代半導(dǎo)體）領(lǐng)域，并取得了很大進(jìn)步。碳化硅、氮化鎵工廠的投資，產(chǎn)能的擴(kuò)建，多點(diǎn)開花，大步邁進(jìn)。在應(yīng)用領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體也得到了長(zhǎng)足的發(fā)展。碳化硅MOSFET被特斯拉電動(dòng)汽車率先采用后，即將迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，2021年還僅是爆發(fā)的前期階段。氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管）則被大量應(yīng)用于手機(jī)快充等產(chǎn)品中。BfGesmc

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提問(wèn)2: 2021年功率分立器件市場(chǎng)爆發(fā)式增長(zhǎng)的主要原因是什么？BfGesmc

李國(guó)強(qiáng)：2021年功率分立器件市場(chǎng)的增速可謂超乎尋常，國(guó)內(nèi)外廠商都大為受益。據(jù)我們的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2021年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到了266億美元，中國(guó)市場(chǎng)達(dá)到了111億美元，全球占比高達(dá)41.6%。2021年全球功率分立器件市場(chǎng)同比增長(zhǎng)32.8%，中國(guó)市場(chǎng)更是達(dá)到了45.5%，遠(yuǎn)超全球增長(zhǎng)率。這樣的增速此前從未有過(guò)。剖析其原因，無(wú)論是全球還是國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的增長(zhǎng)，其實(shí)基本都緣于三大因素，依次是：漲價(jià)、囤貨和市場(chǎng)需求。 BfGesmc

漲價(jià)緣于全球缺芯的大背景，從半導(dǎo)體行業(yè)周期性來(lái)看，晶圓生產(chǎn)進(jìn)入緊張期，又遇到汽車電子等需求的爆發(fā)，再疊加疫情、政治、政策等不確定因素，芯片產(chǎn)能緊張?jiān)絹?lái)越“確定”。去年囤貨現(xiàn)象也較為嚴(yán)重，成本十幾元的產(chǎn)品，被炒到幾百元甚至上千元，可謂之瘋狂。 BfGesmc

新興高成長(zhǎng)細(xì)分市場(chǎng)方面，國(guó)內(nèi)外有所差異。國(guó)內(nèi)方面，新基建是驅(qū)動(dòng)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)展的核心動(dòng)力，包括5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。海外則主要是計(jì)算市場(chǎng)、汽車電子、工業(yè)電子等傳統(tǒng)市場(chǎng)和新增細(xì)分需求推動(dòng)。 BfGesmc

值得一提的是新能源汽車領(lǐng)域，今年國(guó)內(nèi)產(chǎn)量超過(guò)353萬(wàn)輛，而去年是135萬(wàn)輛，增長(zhǎng)超過(guò)1.6倍。新能源汽車，特別是電動(dòng)汽車對(duì)功率分立器件的需求，一方面是主馬達(dá)驅(qū)動(dòng)方面，主要采用了IGBT芯片，不少中低端電動(dòng)汽車采用工業(yè)級(jí)IGBT芯片來(lái)應(yīng)對(duì)芯片短缺和降低成本，因此IGBT市場(chǎng)需求大幅增長(zhǎng)；另一方面在電源模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池模塊、LED驅(qū)動(dòng)、充電樁等產(chǎn)品領(lǐng)域大量應(yīng)用了MOSFET、二極管等功率分立器件，如現(xiàn)在售價(jià)幾萬(wàn)元電動(dòng)汽車的充電樁，已經(jīng)大量采用超級(jí)結(jié)MOSFET來(lái)做功率開關(guān)。 BfGesmc

提問(wèn)3: 當(dāng)前全球功率分立器件市場(chǎng)格局情況如何，市場(chǎng)排名變化的內(nèi)驅(qū)因素有哪些？BfGesmc

李國(guó)強(qiáng)：從全球市場(chǎng)來(lái)看，歐美廠商仍占據(jù)主流，中國(guó)公司則持續(xù)大幅度進(jìn)步。在全球前十排名中，安世半導(dǎo)體表現(xiàn)亮眼，其主要受益于汽車電子產(chǎn)品的缺芯和大幅漲價(jià)，已上升到全球第六。安世半導(dǎo)體雖被國(guó)內(nèi)企業(yè)收購(gòu)，但在合作歷史和地緣優(yōu)勢(shì)上，成長(zhǎng)受益于歐洲汽車工業(yè)的強(qiáng)大。BfGesmc

雖然國(guó)際廠商在功率器件領(lǐng)域發(fā)展較早，有深厚的積累，但在技術(shù)方面，國(guó)內(nèi)在功率器件的某些領(lǐng)域發(fā)展也并不晚，尤其在二極管、三極管、晶閘管、MOSFET等領(lǐng)域。加之，國(guó)內(nèi)對(duì)進(jìn)口替代的需求，促使國(guó)內(nèi)廠商近年來(lái)產(chǎn)品和工藝研發(fā)、市場(chǎng)發(fā)展迅速。在市場(chǎng)方面，漲價(jià)、大規(guī)模出口需求、囤貨、細(xì)分市場(chǎng)需求爆發(fā)以及中國(guó)是全球制造中心，成為國(guó)內(nèi)廠商2021年爆發(fā)式成長(zhǎng)的五大關(guān)鍵條件。 BfGesmc

目前國(guó)內(nèi)分立器件廠商總體規(guī)模超上百家，主要分布在沿海地區(qū)，內(nèi)陸地區(qū)較少。在《中國(guó)功率IC市場(chǎng)年度報(bào)告2022》中，我們統(tǒng)計(jì)了國(guó)內(nèi)主要的30多家公司。在國(guó)內(nèi)排名中，華潤(rùn)微、揚(yáng)州揚(yáng)杰、捷捷微電、江蘇長(zhǎng)晶、士蘭微等企業(yè)的表現(xiàn)也相當(dāng)亮眼。比如揚(yáng)州揚(yáng)杰，新擴(kuò)展的MOSFET產(chǎn)線就貢獻(xiàn)了不少營(yíng)收。 BfGesmc

提問(wèn)4: 這些誘發(fā)了2021年高增長(zhǎng)的因素，在2022年還會(huì)繼續(xù)存在嗎？ BfGesmc

李國(guó)強(qiáng)：我們認(rèn)為，2022年市場(chǎng)的高速增長(zhǎng)不會(huì)持續(xù)，原因有兩個(gè)。第一是產(chǎn)品漲價(jià)的不可持續(xù)，第二是囤貨進(jìn)入到了去庫(kù)存階段。我們預(yù)測(cè)2022下半年到2023年，全球和中國(guó)功率分立器件產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入下行階段，甚至?xí)霈F(xiàn)大降價(jià)現(xiàn)象，要提防踩踏事件的發(fā)生。 BfGesmc

提問(wèn)5：國(guó)際形勢(shì)動(dòng)蕩對(duì)功率分立器件產(chǎn)業(yè)是否構(gòu)成影響？ BfGesmc

李國(guó)強(qiáng)：整體來(lái)說(shuō)影響不大。歐美巨頭企業(yè)在功率器件領(lǐng)域處于國(guó)際領(lǐng)先地位。國(guó)內(nèi)功率分立器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展也很早，功率分立器件本身工藝和芯片設(shè)計(jì)都相對(duì)簡(jiǎn)單，設(shè)備和材料等配套產(chǎn)業(yè)要求不是很高，產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)較好。功率分立器件產(chǎn)業(yè)IDM模式又是主流模式，產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)和控制較好。因此，和其他半導(dǎo)體芯片相比，目前國(guó)際形勢(shì)的變化對(duì)功率分立器件產(chǎn)業(yè)影響較小。BfGesmc

 提問(wèn)6: 您對(duì)2022年中國(guó)功率分立器件市場(chǎng)的整體判斷和預(yù)測(cè)是怎樣的？BfGesmc

 李國(guó)強(qiáng)：我們預(yù)測(cè)，2022年國(guó)內(nèi)功率分立器件市場(chǎng)整體與去年基本持平，給予1個(gè)點(diǎn)左右的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)。理由在于上述提到的影響因素。大型設(shè)計(jì)公司的庫(kù)存?zhèn)湄泬毫Ω?。由于芯片生產(chǎn)存在較長(zhǎng)的晶圓制造和封測(cè)交付周期，設(shè)計(jì)企業(yè)去年下的單，很多要到今年才能交付，造成庫(kù)存產(chǎn)品處于高價(jià)位。在產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行階段后，可能會(huì)帶來(lái)較強(qiáng)的成本壓力。另外，我們注意到，前2年大量備貨的手機(jī)等廠商，目前庫(kù)存很大，有很強(qiáng)的出貨壓力，如OPPO大幅度砍單，小米手機(jī)大幅降價(jià)出貨等等。BfGesmc

 我們認(rèn)為，2022年中國(guó)市場(chǎng)不少細(xì)分領(lǐng)域存在增長(zhǎng)亮點(diǎn)。在汽車電子市場(chǎng)，電動(dòng)汽車向高端和中低端兩面延伸。在中高端新能源汽車中，SiC MOSFET將迎來(lái)大量應(yīng)用。在中低端電動(dòng)汽車領(lǐng)域，因?yàn)閮r(jià)格較低，極大地滿足了城市和短距離交通的需求，我們預(yù)期萬(wàn)元售價(jià)區(qū)間的電動(dòng)汽車將繼續(xù)大幅成長(zhǎng)，年銷量將超過(guò)百萬(wàn)輛，這將為IGBT、MOSFET、二極管等功率分立器件帶來(lái)了巨大的市場(chǎng)需求。在計(jì)算市場(chǎng)，直播、短視頻、安防監(jiān)控等終端應(yīng)用的全面開花，讓云服務(wù)和計(jì)算市場(chǎng)需求猛增。2022年初，中國(guó)已正式公布了“東數(shù)西算”工程，這將大幅拉動(dòng)計(jì)算市場(chǎng)新一輪增長(zhǎng)。在通信市場(chǎng)方面，國(guó)家將會(huì)繼續(xù)推進(jìn)5G基站和傳輸交換網(wǎng)絡(luò)等通信基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，產(chǎn)品中有大量的電力管理和電源管理模組等，需要大量的MOSFET、二極管、晶閘管、IGBT等分立器件產(chǎn)品。 BfGesmc

提問(wèn)7: 中國(guó)功率分立器件廠商的挑戰(zhàn)有哪些？ BfGesmc

李國(guó)強(qiáng)：總體來(lái)看，國(guó)內(nèi)廠商的挑戰(zhàn)和壓力也是很大的，主要在于技術(shù)提升。除IGBT外，國(guó)內(nèi)廠商在二極管、晶閘管、MOSFET、功率晶體管等領(lǐng)域都有著不錯(cuò)的技術(shù)積累。有此作為根基，分立器件領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)替代將會(huì)更加深入。但在汽車電子等高可靠性要求的應(yīng)用領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠商的芯片設(shè)計(jì)、制造工藝等方面還有所欠缺，亟待突破加強(qiáng)，比如汽車中大量采用的IGBT、MOSFET等功率分立器件產(chǎn)品。BfGesmc

 IGBT是功率分立器件中制造工藝要求很高的產(chǎn)品類型，國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)存在制造工藝、制造產(chǎn)能和芯片設(shè)計(jì)等多方面的挑戰(zhàn)，尤其是在制造工藝領(lǐng)域，受到國(guó)外嚴(yán)格隔離，沒(méi)有參考，只能自主探索。相信在國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)線大幅擴(kuò)產(chǎn)后，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)水平將逐步接近國(guó)際領(lǐng)先水平。去年，中國(guó)IGBT市場(chǎng)大幅增長(zhǎng)，主要源于產(chǎn)品大幅漲價(jià)和市場(chǎng)需求，今年中國(guó)市場(chǎng)仍將持續(xù)增長(zhǎng)。BfGesmc

 此外，2021年大熱門的寬禁帶半導(dǎo)體（又叫第三代半導(dǎo)體，主要是SiC和GaN）方面還面臨不少挑戰(zhàn)，這是國(guó)內(nèi)外廠商需要共同面對(duì)的。相比于傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品，寬禁帶半導(dǎo)體器件研發(fā)難度更大?？傮w而言，碳化硅比氮化鎵的挑戰(zhàn)更多，襯底、外延、器件等良率和質(zhì)量都有待進(jìn)一步提高。氮化鎵襯底上不存在問(wèn)題（主要采用現(xiàn)成的高質(zhì)量硅襯底），挑戰(zhàn)主要在器件制造、外延等領(lǐng)域。BfGesmc

提問(wèn)8: 面對(duì)2022年，國(guó)內(nèi)廠商該如何應(yīng)對(duì)？ BfGesmc

李國(guó)強(qiáng)：中國(guó)功率分立器件產(chǎn)業(yè)已經(jīng)發(fā)展到比較高水平階段，二極管、晶體管、晶閘管、MOSFET在國(guó)內(nèi)已經(jīng)具備很好的技術(shù)水平、產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)生態(tài)。目前進(jìn)入全球前10大功率分立器件企業(yè)的中國(guó)公司，只有安世半導(dǎo)體一家，因此提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，擴(kuò)展新的產(chǎn)品線，進(jìn)入高端產(chǎn)品領(lǐng)域，持續(xù)提高營(yíng)收，乘勝追擊應(yīng)該是國(guó)內(nèi)廠商的主要課題。 BfGesmc

目前國(guó)內(nèi)主要廠商已有了動(dòng)作。比較典型有：華潤(rùn)微電子最近也發(fā)布了碳化硅MOSFET的建廠計(jì)劃，以及重慶12英寸功率分立器件生產(chǎn)線建設(shè)；捷捷微電發(fā)力“車規(guī)級(jí)”功率半導(dǎo)體封測(cè)；揚(yáng)州揚(yáng)杰也從二極管整流橋等產(chǎn)品拓展到了MOSFET和IGBT領(lǐng)域；士蘭微在廈門投資建設(shè)新的功率分立器件產(chǎn)線，擴(kuò)充產(chǎn)能、發(fā)展第三代半導(dǎo)體；吉林華微的12英寸項(xiàng)目也在積極謀劃中。BfGesmc

 提問(wèn)9: 政策該如何引導(dǎo)國(guó)內(nèi)功率分立器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，有哪些建議？BfGesmc

 李國(guó)強(qiáng)：我們建議，積極給予國(guó)內(nèi)功率分立器件廠商在技術(shù)研發(fā)上的支持，包括政策優(yōu)惠、投資、人才福利等方面，努力提升制造工藝、產(chǎn)品良率和產(chǎn)品可靠性，提升現(xiàn)有產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。同時(shí)，建議政策性支持國(guó)內(nèi)功率分立器件廠商向汽車電子等高端、高可靠性產(chǎn)品領(lǐng)域進(jìn)軍，持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品覆蓋領(lǐng)域，提升產(chǎn)業(yè)整體能力和實(shí)力，進(jìn)一步服務(wù)中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)。BfGesmc

 提問(wèn)10：產(chǎn)業(yè)該如何推動(dòng)國(guó)內(nèi)廠商的發(fā)展，有哪些建議？ BfGesmc

李國(guó)強(qiáng)：我們呼吁國(guó)內(nèi)終端廠商與國(guó)內(nèi)功率器件廠商加強(qiáng)合作，共同推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的深度融合發(fā)展。雖然國(guó)際廠商產(chǎn)品質(zhì)量高，種類全，但也存在單價(jià)高、產(chǎn)能有限、交期多變、物流中斷等產(chǎn)業(yè)鏈脆弱的嚴(yán)重挑戰(zhàn)，近兩年的全球新冠疫情，使得上述問(wèn)題暴露無(wú)遺，并加劇了2021年芯片緊缺問(wèn)題。近年來(lái)國(guó)內(nèi)功率分立器件廠商的實(shí)力不斷提升，與國(guó)內(nèi)終端廠商在地緣和溝通上存在極其明顯的優(yōu)勢(shì)，可以在芯片定義、研發(fā)、生產(chǎn)等階段與國(guó)內(nèi)終端廠商深度合作，形成緊密研發(fā)和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，更好地助力國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。BfGesmc

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《分析師面對(duì)面》系列是芯謀研究策劃的新一檔產(chǎn)業(yè)交流分享欄目，以芯謀研究分析師的產(chǎn)業(yè)洞察為核心，暢聊半導(dǎo)體發(fā)展中引起熱議的問(wèn)題。用專業(yè)的視角洞察半導(dǎo)體底層邏輯，用深度的思維挖掘事件背后的核心，用輕松的方式勾勒產(chǎn)業(yè)發(fā)展脈絡(luò)。本篇是《分析師面對(duì)面》的第一期。BfGesmc

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以下附《中國(guó)功率分立器件市場(chǎng)年度報(bào)告2022》全部目錄。BfGesmc

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《中國(guó)功率分立器件市場(chǎng)年度報(bào)告2022》BfGesmc

報(bào)告目錄BfGesmc

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第一部分：全球和中國(guó)功率分立器件產(chǎn)業(yè)的重要驅(qū)動(dòng)因素BfGesmc

1.1  2022年中國(guó)和全球GDP增速預(yù)測(cè)BfGesmc

1.2  中國(guó)“新基建”長(zhǎng)期推動(dòng)全球和中國(guó)功率分立器件產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng) BfGesmc

1.3  2021年中國(guó)手機(jī)產(chǎn)量及其增速和5G基站建設(shè)情況BfGesmc

1.4  2021年中國(guó)PC產(chǎn)量及其同比增速BfGesmc

1.5  2021年中國(guó)乘用車產(chǎn)量及其同比增速BfGesmc

1.6  2021年中國(guó)主要家電產(chǎn)量及其同比增速BfGesmc

1.7  半導(dǎo)體芯片分類和功率分立器件的類型BfGesmc

1.8  各功率分立器件的特性及應(yīng)用BfGesmc

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第二部分：全球功率分立器件產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)BfGesmc

2.1  全球功率分立器件市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

2.2  2021全球各功率分立器件的營(yíng)收和市場(chǎng)占比BfGesmc

2.3  2022~2026年全球功率MOSFET市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

2.4  2022~2026年全球IGBT市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

2.5  2022~2026年全球二極管市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

2.6  2022~2026年全球功率晶體管市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

2.7  2022~2026年全球晶閘管市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

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第三部分：中國(guó)功率分立器件需求與趨勢(shì)BfGesmc

3.1  2022~2026全球和中國(guó)功率分立器件市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

3.2  2022~2026年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

3.3  2022~2026年中國(guó)功率MOSFET在通信市場(chǎng)、汽車電子、工業(yè)電子、消費(fèi)電子、計(jì)算市場(chǎng)等的市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)，及其市場(chǎng)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力BfGesmc

3.4  2022~2026年中國(guó)IGBT市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

3.5  2022~2026年中國(guó)IGBT在工業(yè)電子、汽車電子、消費(fèi)電子等市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)，及其市場(chǎng)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力BfGesmc

3.6  2022~2026年中國(guó)功率二極管市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

3.7  2022~2026年中國(guó)二極管在工業(yè)電子、汽車電子、計(jì)算市場(chǎng)、消費(fèi)電子、通信市場(chǎng)等的發(fā)展趨勢(shì)，及其市場(chǎng)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力BfGesmc

3.8  2022~2026年中國(guó)功率晶體管市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

3.9  2022~2026年中國(guó)功率晶體管在消費(fèi)電子、工業(yè)電子、汽車電子等市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)，及其市場(chǎng)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力BfGesmc

3.10 2022~2026年中國(guó)晶閘管市場(chǎng)趨勢(shì)BfGesmc

3.11 2022~2026年中國(guó)晶閘管在工業(yè)電子、消費(fèi)電子等市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)，及其市場(chǎng)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力BfGesmc

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第四部分：2021年全球和中國(guó)功率分立器件公司的營(yíng)收及排名BfGesmc

4.1  2022-2026年中國(guó)功率分立器件市場(chǎng)趨勢(shì)及驅(qū)動(dòng)因素BfGesmc

4.2  2021全球功率分立器件市場(chǎng)前10大企業(yè)營(yíng)收及排名BfGesmc

4.3  2021中國(guó)功率分立器件市場(chǎng)前10大企業(yè)營(yíng)收及排名BfGesmc

4.4  2021全球和中國(guó)功率MOSFET前10大企業(yè)營(yíng)收及排名BfGesmc

4.5  2021全球和中國(guó)IGBT前10大企業(yè)營(yíng)收及排名  BfGesmc

4.6  2021全球和中國(guó)功率二極管前10大企業(yè)營(yíng)收及排名 BfGesmc

4.7  2021全球和中國(guó)功率晶體管前10大企業(yè)營(yíng)收及排名 BfGesmc

4.8  2021全球和中國(guó)晶閘管前10大企業(yè)營(yíng)收及排名BfGesmc

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第五部分：中國(guó)功率分立器件產(chǎn)業(yè)分析BfGesmc

5.1  2021年中國(guó)功率分立器件行業(yè)前10大公司營(yíng)收及排名 BfGesmc

5.2  2021年中國(guó)功率分立器件行業(yè)MOSFET營(yíng)收前10大公司BfGesmc

5.3  2021年中國(guó)功率分立器件行業(yè)IGBT營(yíng)收前10大公司BfGesmc

5.4  2021年中國(guó)功率分立器件行業(yè)Diode營(yíng)收前10大公司BfGesmc

5.5  2021年中國(guó)功率分立器件行業(yè)BJT營(yíng)收前10大公司BfGesmc

5.6  2021年中國(guó)功率分立器件行業(yè)Thyristor營(yíng)收前10大公司BfGesmc

5.7  2021年中國(guó)功率分立器件IDM前10大公司營(yíng)收及排名BfGesmc

5.8  2021年中國(guó)功率分立器件IDM企業(yè)MOSFET營(yíng)收及排名BfGesmc

5.9  2021年中國(guó)功率分立器件IDM企業(yè)IGBT營(yíng)收及其排名 BfGesmc

5.10 2021年中國(guó)功率分立器件IDM企業(yè)Diode營(yíng)收及其排名 BfGesmc

5.11 2021年中國(guó)功率分立器件IDM企業(yè)BJT營(yíng)收及其排名BfGesmc

5.12 2021年中國(guó)功率分立器件IDM企業(yè)Thyristor營(yíng)收及其排名 BfGesmc

5.13 2021年中國(guó)功率分立器件Fabless前10大公司營(yíng)收及排名BfGesmc

5.14 2021年中國(guó)Fabless企業(yè)MOSFET前10大公司營(yíng)收及排名BfGesmc

5.15 2021年中國(guó)Fabless企業(yè)IGBT前10大公司營(yíng)收及排名BfGesmc

5.16 2021年中國(guó)Fabless企業(yè)Diode前10大公司營(yíng)收及排名BfGesmc

5.17 2021年中國(guó)功率分立器件Foundry企業(yè)營(yíng)收及產(chǎn)能BfGesmc

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第六部分：附錄：功率分立器件簡(jiǎn)介BfGesmc

1.1 各功率分立器件簡(jiǎn)介  BfGesmc

1.2 功率分立器件的多種分類BfGesmc

1.3 功率分立器件的基本生產(chǎn)流程BfGesmc