昨（10）日，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商東微半導(dǎo)登陸科創(chuàng)板。截至今日（11日）中午收盤，東微半導(dǎo)報141元/股，總市值95億元。
據(jù)悉，東微半導(dǎo)本次募集資金投資項目如下：sJHesmc
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Source：公告截圖sJHesmc
-超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化項目
項目投資額為20,414.58萬元。項目是對高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品及中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品的設(shè)計及工藝技術(shù)等方面進行改進和提升。sJHesmc
高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品升級具體包括8英寸第三代超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品及12英寸先進工藝超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品的設(shè)計及工藝技術(shù)提升；中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品升級具體包括第三代高速屏蔽柵中低壓MOSFET及高魯棒性中低壓MOSFET產(chǎn)品的設(shè)計工藝技術(shù)提升。sJHesmc
-新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目
項目投資10,770.32萬元，本項目擬在未來三年陸續(xù)推出高速率IGBT、超級硅MOSFET以及新一代高速大電流功率器件產(chǎn)品?？蓮V泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車直流充電樁、光伏逆變器等細分領(lǐng)域。sJHesmc
其中，IGBT產(chǎn)品研發(fā)涉及900V以下三柵IGBT、900V及以上三柵IGBT、車規(guī)級高可靠性IGBT及12英寸先進制程IGBT產(chǎn)品系列的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；超級硅MOSFET產(chǎn)品研發(fā)涉及第一代及第二代超級硅MOSFET的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；新一代高速大電流功率器件系列主要為600V/650V Hybrid-FET器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。sJHesmc
項目總投資額為16,984.20萬元，項目是圍繞SiC器件、新型硅基高壓功率器件方向進行產(chǎn)品技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)，開發(fā)新的技術(shù)方案，增加功率器件失效性和可靠性的固定資產(chǎn)投入，優(yōu)化實驗環(huán)境，提升測試效率，進一步保障產(chǎn)品質(zhì)量。sJHesmc
東微半導(dǎo)計劃在超薄晶圓背面加工技術(shù)和高功率密度芯片及模塊封裝技術(shù)方向進行持續(xù)研發(fā)投入，提高工藝技術(shù)，進一步提升產(chǎn)品性能。sJHesmc
項目是結(jié)合公司戰(zhàn)略發(fā)展的目標，在產(chǎn)業(yè)并購及整合的用途中，公司考慮重點在汽車級功率器件設(shè)計、SiC功率器件設(shè)計以及模塊設(shè)計應(yīng)用等方向投資并購國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)企業(yè)。sJHesmc
值得注意的是，2020年7月，東微半導(dǎo)獲得了華為哈勃的投資。sJHesmc
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Source：企查查sJHesmc
同年12月，江蘇監(jiān)管局披露了東微半導(dǎo)輔導(dǎo)備案信息。其保薦機構(gòu)為中金公司，于2020年12月18日進行上市輔導(dǎo)備案。sJHesmc
資料顯示，東微半導(dǎo)成立于2008年，是一家技術(shù)驅(qū)動型的國產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商。產(chǎn)品主要有高壓GreenMOS系列、中低壓SGTMOS系列、IGBT系列三大系列產(chǎn)品，公司的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于以新能源汽車直流充電樁、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源為代表的工業(yè)級應(yīng)用領(lǐng)域，以及以PC電源、適配器、TV電源板、手機快速充電器為代表的消費電子應(yīng)用領(lǐng)域。同時，公司不斷進行技術(shù)創(chuàng)新，進一步開發(fā)了超級硅MOSFET、TGBT等新產(chǎn)品。sJHesmc
據(jù)6月17日，東微半導(dǎo)發(fā)布招股說明書中顯示，公司主營業(yè)務(wù)收入構(gòu)成情況如下：sJHesmc
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Source：公告截圖sJHesmc
東微半導(dǎo)表示，未來，公司將持續(xù)開發(fā)更多新型高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，致力于成為國際領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商。sJHesmc
責編：Elaine
