據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，2022年第一季整體NAND Flash合約價(jià)跌幅較原先預(yù)期的10~15%，收斂至8~13%。主要是受到PC OEM加單PCIe 3.0，以及西安封控管理對于PC OEM采購議價(jià)心態(tài)的影響。因此，為避免物流面臨風(fēng)險(xiǎn)，采購端也較愿意接受較低的合約價(jià)跌幅，以盡快拿到產(chǎn)品。但西安封控管理并沒有對當(dāng)?shù)毓S的產(chǎn)出造成顯著的沖擊，預(yù)計(jì)對后續(xù)合約價(jià)走勢不會產(chǎn)生太多影響。i5Cesmc

現(xiàn)貨市場價(jià)格方面，供應(yīng)端在事件發(fā)生之后，因擔(dān)憂后續(xù)沖擊而暫緩報(bào)價(jià)，使得近來價(jià)格未再破底，然雖有止跌現(xiàn)象，但并未伴隨搶購的情形，在交易量方面持續(xù)維持低檔。根據(jù)TrendForce集邦咨詢對NANDFlash現(xiàn)貨市場的觀察，顯示采購終端庫存量仍充足，且不急于目前的價(jià)格水位啟動備貨。i5Cesmc

主要產(chǎn)品合約價(jià)方面，整體價(jià)格跌勢較原先預(yù)期收斂。以Client SSD來說，由于筆電的制造產(chǎn)能隨著長短料問題改善，盡管Chromebook需求下降，但整體出貨量仍因商務(wù)型機(jī)種訂單而有所支撐，故使第一季筆電出貨衰退幅度較過去同期淡季收斂。此外，Intel新一代支援PCIe 4.0的Alder Lake產(chǎn)品出貨不如預(yù)期，導(dǎo)致PC OEM采購為了滿足首季出貨目標(biāo)而回頭加單PCIe3.0 SSD，但供應(yīng)端在物料準(zhǔn)備上已逐步轉(zhuǎn)向PCIe4.0，而出現(xiàn)供需落差，且封控管理的消息使得采購端欲加速鎖定交貨量，進(jìn)而使得Client SSD價(jià)格跌幅由原先的5~10%收斂至3~8%。i5Cesmc

另外，由于智能手機(jī)需求仍維持低檔，再加上品牌商的庫存水位也仍在高點(diǎn)，以大量議價(jià)采買的意愿不高；供應(yīng)商則受惠于PC OEM自2021年11月以來的加單，平均的庫存水位稍獲調(diào)節(jié)，因此降價(jià)幅度略微收斂，預(yù)計(jì)相關(guān)的UFS產(chǎn)品跌幅將自原先預(yù)估的8~13%，下修至5~10%。至于server端以及wafer端的價(jià)格走勢方面則影響不大，跌幅仍依原先預(yù)期分別為3~8%及10~15%。i5Cesmc

市場格局方面，隨著投資金額門檻提升，2022年NAND產(chǎn)出增幅將趨于保守，市場龍頭三星電子(SamsungElectronics)雖然仍將掌握市場價(jià)格的話語權(quán)，但新進(jìn)競爭者長江存儲在研發(fā)技術(shù)站穩(wěn)腳步后，對市場影響力漸增，而業(yè)界對堆疊技術(shù)追求也可望于2022年底挑戰(zhàn)200層以上新里程碑，將牽動下一階段NAND產(chǎn)業(yè)競賽的優(yōu)勝劣敗。i5Cesmc

終端裝置存儲容量攀升首季跌幅將成全年最高i5Cesmc

由于上游晶圓代工產(chǎn)能不足問題難解，2021年NAND面臨存儲芯片不缺、控制芯片緊缺的奇特現(xiàn)象，導(dǎo)致小容量的低階產(chǎn)品被迫提前淡出市場。SSD等成品價(jià)格跌幅也相對緩和，2022年雖然控制芯片取得較多的晶圓產(chǎn)能支援，但依然延續(xù)需求超過供給的態(tài)勢，帶動NAND控制芯片報(bào)價(jià)2022年延續(xù)上揚(yáng)走勢。i5Cesmc

根據(jù)估計(jì)，2021年NAND需求成長約37~39%，2022年將再成長接近30%。China Flash Market預(yù)估，2020~2025年NAND將呈現(xiàn)30%的年成長率，而整體供應(yīng)量將從2020年4100億GB，成長到2025年14800億GB，尤其數(shù)據(jù)中心可望維持39%的復(fù)合成長率，預(yù)料將成為NAND最大的市場驅(qū)動力。i5Cesmc

從消費(fèi)性SSD部分，512G產(chǎn)品成為PC OEM主力容量，并且逐步向1TB推進(jìn)，而游戲主機(jī)SSD應(yīng)用成為趨勢，可望大量消耗存儲容量，玩家普遍預(yù)期搭載1TB以上的大容量SSD，后續(xù)外接擴(kuò)充需求也將持續(xù)成長。i5Cesmc

筆記本電腦市場2021年需求強(qiáng)勁，年成長達(dá)15.3%，但經(jīng)過連續(xù)2年成長及疫情弱化，除商用筆電相對穩(wěn)健外，消費(fèi)性及Chromebook動能轉(zhuǎn)弱。盡管2022年筆電裝置出貨可能面臨下滑，但SSD滲透率持續(xù)提高，業(yè)界預(yù)期2022年搭載率將達(dá)9成，且第1季起OEM新機(jī)搭載PCIe Gen4 SSD需求快速成長，單一裝置搭載存儲容量將成長近2成，估計(jì)到2024年搭載SSD的PC將逼近100%。i5Cesmc

手機(jī)市場2022年維持溫和成長，但產(chǎn)品規(guī)格演進(jìn)持續(xù)推動，UFS 2.1將逐漸滲透至低階機(jī)種并侵蝕eMMC產(chǎn)品線，迫使eMMC將大幅轉(zhuǎn)向至其他消費(fèi)性產(chǎn)品應(yīng)用或部分低價(jià)的4G手機(jī)。目前高階機(jī)種以UFS 3.0/3.1為主流規(guī)格，市場比重約占20%，但2022年將開始搭載至中階機(jī)種。i5Cesmc

多家手機(jī)品牌大廠規(guī)劃進(jìn)入U(xiǎn)FS 4.0，預(yù)計(jì)從2023年導(dǎo)入新機(jī)速度加快，此外，2021年搭載容量普遍從128G起跳，2022年存儲容量也將朝向256/512GB靠攏。i5Cesmc

數(shù)據(jù)中心及企業(yè)級存儲，雖然在2021年下半出現(xiàn)短期庫存升高的疑慮，延續(xù)至2022年第1季呈現(xiàn)中高個位數(shù)幅度下滑，但數(shù)據(jù)中心及伺服器的升級需求依然龐大，包括公有云的領(lǐng)域也將帶來巨大的成長，加上國際疫情反復(fù)變數(shù)存在，與病毒共存的現(xiàn)象恐將延續(xù)數(shù)年。i5Cesmc

企業(yè)已意識到不能等到疫情完全控制才做投資，且遠(yuǎn)端需求的趨勢難以回頭，北美云端大廠2022年對升級與投資的成長力道抱以正面態(tài)度，將有助于2022年NAND存儲需求穩(wěn)健成長，NAND制程仍以128層為主，2022年下半將可望導(dǎo)入176層3D NAND。i5Cesmc

2022年第1季在傳統(tǒng)淡季持續(xù)調(diào)節(jié)庫存及需求下，NAND仍處于供過于求局面，業(yè)界估計(jì)單季價(jià)格將修正10~15%，但首季將是全年跌幅最大的時(shí)間點(diǎn)，第2季起價(jià)格下滑將轉(zhuǎn)趨收斂，單季跌價(jià)有望控制于5~10%。i5Cesmc

群聯(lián)董事長潘健成更認(rèn)為，整體來看，下半年價(jià)格走勢將優(yōu)于上半年，在終端裝置存儲搭載容量提升下，第3季NAND將可望重回供需吃緊，呈現(xiàn)價(jià)格持平或上漲，第4季價(jià)格則要觀察新制程良率的瓶頸改善進(jìn)度及市場需求支撐。i5Cesmc

NAND原廠供給成長緩和產(chǎn)業(yè)競爭差距持續(xù)擴(kuò)大i5Cesmc

縱觀2021~2022年NAND產(chǎn)出增幅，雖然略高于需求的成長，但3DNAND投資門檻持續(xù)拉高，各家原廠新增投片量有限，堆疊制程轉(zhuǎn)進(jìn)則成為產(chǎn)出增加的主因，新增產(chǎn)出規(guī)劃以三星及長江存儲的腳步較為積極。i5Cesmc

三星西安二期第一階段于2020年投產(chǎn)后，依照規(guī)劃，第二階段原定于2021年上半投入營運(yùn)，并推動128層NAND作為主力制程，但受到建廠進(jìn)度落后，三星近年來對NAND價(jià)格策略較為保守，第二階段新增產(chǎn)能雖然未全速開出，但根據(jù)規(guī)劃，未來西安二期的月產(chǎn)能可達(dá)13萬~14萬片；先前已投產(chǎn)的一期月產(chǎn)能12萬片，將成為三星擴(kuò)大市占及降低生產(chǎn)成本的關(guān)鍵。i5Cesmc

至于南韓平澤P2廠NAND新產(chǎn)能則從2021年下半量產(chǎn)，并將量產(chǎn)最新的176層NAND產(chǎn)品。根據(jù)估計(jì)，三星2021年投片量約增加7.5萬片，2022年主要于平澤P2廠從2.5萬增加至5萬片，使得整體投片產(chǎn)能約將成長3.5萬片。i5Cesmc

鎧俠(Kioxia)原定2021年下半年進(jìn)行IPO計(jì)劃，但擔(dān)憂市場價(jià)格看跌，二度拖延原定上市時(shí)程，由于資金尚未明確，鎧俠擬定的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃連帶遞延，受到2022年NAND市場尚未復(fù)蘇，IPO時(shí)程可能將延遲至下半年推動。i5Cesmc

不過日前日本政府預(yù)計(jì)投入半導(dǎo)體行業(yè)6170億日圓資金，鎧俠K2可能將成為日本政府補(bǔ)助的對象，且K2廠房規(guī)模為現(xiàn)有K1廠的2倍，將成為鎧俠與策略伙伴威騰(WD)最大規(guī)模的廠房，若能順利取得銀彈挹注，將急起直追趕上2023年啟用生產(chǎn)的預(yù)定計(jì)劃，快步追趕三星領(lǐng)先的市占差距。在制程規(guī)劃上，鎧俠預(yù)計(jì)2022~2023年投產(chǎn)將落在162層，200層以上計(jì)劃尚未明朗。i5Cesmc

SK海力士(SKHynix)2021年在NAND整體投片產(chǎn)能維持平穩(wěn)，但2021年底完成購并英特爾(Intel)NAND部門后，將進(jìn)行第一階段合并計(jì)劃，新公司作為SSD研發(fā)及行銷，短期內(nèi)對NAND產(chǎn)業(yè)格局不至于帶來顯著變化。英特爾也預(yù)計(jì)在2023年將堆疊技術(shù)推動至196層，在2025年雙方合并完畢后，未來產(chǎn)品重心將更專注企業(yè)級存儲應(yīng)用。i5Cesmc

美光(Micron)全球NAND市占率約10~11%，排名位居第五，2021~2022年產(chǎn)能僅有微幅增加，但技術(shù)制程已領(lǐng)先三星，率先量產(chǎn)的176層產(chǎn)品陸續(xù)獲得客戶導(dǎo)入，也是首創(chuàng)1α制程DRAM的廠商，不過美光目標(biāo)并不在于提高市占率，更致力于提高在DRAM與NAND利潤池(profit pool)占比。i5Cesmc

長江存儲2018年發(fā)表Xtacking技術(shù)，隨著量產(chǎn)推動而站穩(wěn)腳步，雖然2020年產(chǎn)能有大幅成長，但2021年128層NAND良率提升尚未達(dá)到目標(biāo)，引進(jìn)新機(jī)臺設(shè)備的進(jìn)度也落于預(yù)期，但追上良率只在于時(shí)間長短的問題。i5Cesmc

長江存儲預(yù)計(jì)單月產(chǎn)能10萬片規(guī)模將可望于2022年上半達(dá)成，并將啟用武漢二廠，市占率將隨之大幅成長，不過長江存儲2022年?duì)I運(yùn)重心將在于產(chǎn)品優(yōu)化，并積極切入中國一線品牌大廠供應(yīng)鏈，從消費(fèi)性電子產(chǎn)品拓展至PC OEM、手機(jī)等領(lǐng)域。i5Cesmc

整體來看，2022年各家NAND大廠投產(chǎn)雖然較為保守，但制程競賽角力卻是暗潮洶涌，雖然各家的主力制程落于96/128層，2022年產(chǎn)出重心將移轉(zhuǎn)到176層，隨著3D NAND堆疊層數(shù)提高的困難度增加，隱然形成兩批縱隊(duì)，技術(shù)領(lǐng)先廠商可望于2022年底~2023年推進(jìn)200層以上，另一批則處于160~196層之間。i5Cesmc

至于200層以上堆疊競賽，業(yè)界認(rèn)為，將形成美光與三星技術(shù)對決的態(tài)勢，雖然美光在176層3D NAND取得量產(chǎn)優(yōu)勢，但三星在176層后進(jìn)入雙疊代制程，未來在學(xué)習(xí)曲線改善后，將加快跨入200層以上的投產(chǎn)速度。由技術(shù)發(fā)展來看，3DNAND堆疊極限可發(fā)展至400層以上，但高堆疊層數(shù)品質(zhì)不易控制，且制程投資金額將更為龐大。i5Cesmc

由此可知，在技術(shù)投資門檻拉高的競爭下，NAND產(chǎn)業(yè)三大巨頭加一的格局已隱然成型。三星、SK海力士、美光三大廠掌握獲利豐厚的DRAM業(yè)務(wù)，更能因應(yīng)未來新世代技術(shù)競賽的資金支援，持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)競爭差距，至于長江存儲在具備Xtacking技術(shù)專利護(hù)身，及坐擁國內(nèi)內(nèi)需市場的得天獨(dú)厚地位，2022年市占率將有望首度增長至5%。i5Cesmc