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近日，上海芯元基半導體科技有限公司（以下簡稱：芯元基半導體）宣布在MicroLED芯片研發(fā)上又取得重大進展，全屏點亮了適合微顯示的5μmMicroLED芯片陣列，成功研發(fā)出16*27微米直顯用薄膜倒裝

近日，上海芯元基半導體科技有限公司（以下簡稱：芯元基半導體）宣布在Micro LED芯片研發(fā)上又取得重大進展，全屏點亮了適合微顯示的5μm Micro LED芯片陣列，成功研發(fā)出16*27微米直顯用薄膜倒裝Micro LED芯片，突破了微顯示用Micro LED芯片制備的關(guān)鍵技術(shù)。

據(jù)芯元基半導體介紹，此次Micro LED芯片陣列尚未鍵合到CMOS基板上，只是將所有陣列的8萬多顆芯片以并聯(lián)形式供電，開啟電壓為2.9V，在沒有任何電壓補償?shù)那闆r下，每個芯片在相同電壓的情況下亮度均勻性已達到人眼觀看無色差感的程度。

在此之前，芯元基半導體剛于本月初宣布通過其獨立知識產(chǎn)權(quán)的DPSS襯底技術(shù)、側(cè)向外延生長技術(shù)和化學剝離藍寶石襯底技術(shù)成功開發(fā)出了10-50μm的GaN基薄膜倒裝Micro LED芯片。

據(jù)了解，芯元基的側(cè)向外延生長技術(shù)可以把GaN外延層中的位錯密度降到10^7cm² (10的7次方每平方厘米)，而且還可以控制位錯的位置，將Micro LED陣列安排到?jīng)]有位錯的位置，解決困擾行業(yè)的不均性問題。

同時，芯元基獨創(chuàng)化學剝離藍寶石襯底技術(shù)，與行業(yè)現(xiàn)有的激光剝離藍寶石襯底技術(shù)相比，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)100%的剝離良率，而且對GaN，特別是InGaN量子阱無損傷，在規(guī)?；慨a(chǎn)后具備較明顯的成本優(yōu)勢。此外，化學剝離藍寶石襯底技術(shù)還與現(xiàn)有的半導體晶圓加工技術(shù)有非常好的兼容性，可以利用現(xiàn)有的半導體晶圓臨時鍵合技術(shù)實現(xiàn)晶圓級巨量轉(zhuǎn)移。

在Micro LED芯片結(jié)構(gòu)上，芯元基半導體利用溝槽結(jié)構(gòu)取代了常規(guī)的臺面結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了P電極和N電極的等高，解決了驅(qū)動背板上的焊點和芯片電極高度不匹配的問題。據(jù)芯元基介紹，其芯片工藝保證了芯片只有一個具有納米粗化結(jié)構(gòu)的出光面，芯片的四周及其底部具有相應的反射結(jié)構(gòu)，解決了顯示光串擾問題的同時，進一步提高顯示亮度。

據(jù)透露，芯元基半導體的Micro LED芯片可應用于車載顯示、AR/VR等顯示領(lǐng)域，目前，產(chǎn)品已給面板廠家送樣，并拿到了研發(fā)用訂單。

資料顯示，上海芯元基半導體科技有限公司成立于2014年，是基于第三代半導體GaN（氮化鎵）材料為主研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)芯片的創(chuàng)新型公司。公司擁有全球首創(chuàng)的以復合圖形化襯底和化學剝離為核心的技術(shù)體系，并擁有完整自主知識產(chǎn)權(quán)。目前已獲中微半導體、上海創(chuàng)徒、張江科投、張江高科、浦東科創(chuàng)、上海自貿(mào)區(qū)基金等逾億元投資。

另值得注意的是，生產(chǎn)方面，2020年11月，芯元基第三代半導體氮化鎵項目正式簽約落戶安徽池州高新區(qū)，開展第三代半導體GaN（氮化鎵）基材料及器件產(chǎn)業(yè)園項目建設(shè)。該項目分為兩個階段，第一階段主要建設(shè)第三代半導體GaN（氮化鎵）基UVA及DPSS項目，總投資6億元。第二階段主要建設(shè)GaN（氮化鎵）基電子功率器件項目及Micro LED項目。目前，項目第一階段正在建設(shè)中，預計今年年中實現(xiàn)投產(chǎn)。

LEDinside整理

責編：Quentin

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上海芯元基半導體成功點亮5μmMicroLED芯片陣列

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