国产年轻大学生情侣在线,人人妻人人爽人人添夜夜欢视频

寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN具備高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等物理特性，因此其天然適合對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件要求較高的應(yīng)用，被視為電力電子領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。?12月7

寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN具備高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等物理特性，因此其天然適合對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件要求較高的應(yīng)用，被視為電力電子領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。

12月7日，集邦咨詢化合物半導(dǎo)體分析師龔瑞驕在2022集邦咨詢化合物半導(dǎo)體前瞻分析會上介紹了寬禁帶半導(dǎo)體的功率市場現(xiàn)狀以及對未來的展望。

Bnpesmc

寬禁帶功率半導(dǎo)體市場潛力巨大，未來幾年將保持高速增長Bnpesmc

受益于新能源革命，電汽車、光伏儲能以及工業(yè)自動化等下游應(yīng)用的多點(diǎn)爆發(fā)，功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來了高景氣周期。據(jù)Trendforce集邦咨詢最新報(bào)告《第三代半導(dǎo)體功率應(yīng)用市場報(bào)告》預(yù)估，功率半導(dǎo)體分立器件和模塊的市場規(guī)模將從2020年的204億美金增長到2025年的274億美金，其中寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN的市場份額將從2020年的不到5%增長到2025年的17%左右。

自SiC二極管首次商業(yè)化以來，SiC功率市場一直由供電應(yīng)用推動，直到其2018年首次應(yīng)用于特斯拉主驅(qū)逆變器后，汽車逐漸成為殺手級應(yīng)用。據(jù)Trendforce集邦咨詢預(yù)測，全球SiC功率市場規(guī)模將從2020年的6.8億美元增長至2025年的33.9億美元，CAGR達(dá)38%。其中新能源汽車（主驅(qū)逆變器/OBC/DC-DC）將成為主要驅(qū)動力，或在2025年占據(jù)62%市場份額。

GaN功率市場的主要驅(qū)動力將在于消費(fèi)應(yīng)用，截至目前至少已有多家手機(jī)OEM及PC設(shè)備制造商陸續(xù)推出GaN充電器，另外電動車和數(shù)據(jù)中心也是GaN未來的重要應(yīng)用場景。據(jù)Trendforce集邦咨詢預(yù)測，全球GaN功率市場規(guī)模預(yù)計(jì)將從2020年的4800萬美元增長到2025年的13.2億美元，CAGR達(dá)94%。

SiC加速垂直整合，GaN垂直分工與IDM模式并存Bnpesmc

SiC襯底制程技術(shù)復(fù)雜/晶體生長緩慢，且具有極高的價(jià)值占比，進(jìn)而成為SiC晶圓產(chǎn)能的關(guān)鍵制約點(diǎn)，因此羅姆、意法、安森美等SiC功率大廠正加速進(jìn)行垂直整合，陸續(xù)切入上游材料環(huán)節(jié)。

為了應(yīng)對全球汽車電動化浪潮，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ、SK Siltron、SiCrystal(羅姆)等襯底廠開始積極布局?jǐn)U產(chǎn)計(jì)劃，下游器件商紛紛向其尋求材料長期供應(yīng)，特別是缺少晶體來源的英飛凌。

另外在SiC功率器件方面，平面型MOS管目前以Wolfspeed和意法半導(dǎo)體為代表，溝槽型則以英飛凌和羅姆為代表，均有不錯(cuò)的性能表現(xiàn)。在具體市場份額表現(xiàn)中，意法半導(dǎo)體一騎絕塵，憑借特斯拉的龐大銷售量，已連續(xù)奪得功率市場第一名。

“取得SiC襯底資源將是進(jìn)入下一代電動車功率元件的入場門票”，龔瑞驕分析道。

Bnpesmc

Source：拍信網(wǎng)

GaN功率市場方面，隨著產(chǎn)品集成度的提高，已逐漸呈現(xiàn)IDM與垂直分工并存的局面，IDM模式中除了英諾賽科等少數(shù)初創(chuàng)企業(yè)，基本以傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體大廠為主，他們會對產(chǎn)品的成熟度、成本做更多的考量。

相反，F(xiàn)abless專注于器件特色設(shè)計(jì)，以初創(chuàng)企業(yè)為主，已成為市場增長的關(guān)鍵推動力。另外，GaN外延環(huán)節(jié)至關(guān)重要，因此市場上已出現(xiàn)眾多第三方外延片供應(yīng)商，例如日本NTT-AT、英國IQE、國內(nèi)晶湛半導(dǎo)體等等。但須注意的是，目前絕大部分外部外延片產(chǎn)能仍掌握在臺積電等少數(shù)“外延+器件”深度綁定的代工廠手中，對此國內(nèi)也出現(xiàn)了相關(guān)企業(yè)，例如蕪湖啟迪、南京百識等。

晶圓代工方面，臺系廠商正積極投入GaN制程開發(fā)，以期待復(fù)制硅晶圓代工上的成功。器件市場表現(xiàn)上，納微半導(dǎo)體憑借消費(fèi)市場龐大出貨量，其市占率已來到第一位，PI緊隨其后，國內(nèi)英諾賽科進(jìn)展迅速位居第三。

汽車電氣化趨勢，將推動寬禁帶功率半導(dǎo)體大規(guī)模上車應(yīng)用Bnpesmc

全球汽車行業(yè)正將數(shù)十億美金投向SiC/GaN，以期待提升汽車性能。

“SiC實(shí)現(xiàn)的電池成本節(jié)約與SiC生產(chǎn)成本之間的對抗，將成為推動SiC上車的關(guān)鍵點(diǎn)。從目前進(jìn)展來看，是令人滿意的，SiC技術(shù)已實(shí)現(xiàn)整車系統(tǒng)成本的下降”，龔瑞驕說道。

目前SiC在汽車OBC（車載充電器）和DC-DC組件應(yīng)用已經(jīng)相對成熟，而基于SiC的主驅(qū)逆變器仍未進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。對此，意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed、羅姆等功率器件廠商已與Tier1及車企展開深入合作，以推進(jìn)SiC上車進(jìn)程。

另一方面，電動車市場對于延長續(xù)航里程及縮短充電時(shí)間有著極大需求，整車平臺高壓化趨勢愈演愈烈，對此各大車企已陸續(xù)推出800V高壓車型，例如保時(shí)捷Taycan、奧迪Q6 e-tron、現(xiàn)代Ioniq 5等。

據(jù)Trendforce集邦咨詢最新報(bào)告《第三代半導(dǎo)體功率應(yīng)用市場報(bào)告》預(yù)估，隨著電動車滲透率不斷升高，以及整車架構(gòu)朝800V高壓方向邁進(jìn)，預(yù)估2025年全球電動車市場對6英寸SiC晶圓需求可達(dá)169萬片。

Bnpesmc

對于GaN上車方面，受限于可靠性等問題，目前上車之路顯得較為艱難。GaN Systems、德州儀器、安世（聞泰）等廠商正努力推進(jìn)GaN上車應(yīng)用，期待小批量滲透進(jìn)低功率OBC/DC-DC/逆變器中。

今年以來，GaN Systems先與寶馬簽訂GaN產(chǎn)能全面供應(yīng)協(xié)議，后與Vitesco達(dá)成戰(zhàn)略合作；安世（聞泰）也推出了與上汽電驅(qū)動共同開發(fā)的中國首款滿足量產(chǎn)級的新能源汽車GaN電機(jī)控制器。而除了動力系統(tǒng)以外，車載信息娛樂系統(tǒng)/激光雷達(dá)/無線充電等部件也將出現(xiàn)GaN的身影。

特別是激光雷達(dá)，美國EPC公司此前已與Velodyne達(dá)成合作，而GaN Systems也曾與歐司朗共同推出相應(yīng)的激光驅(qū)動器，國內(nèi)英諾賽科同樣與禾賽科技有所接觸。“GaN功率元件用于LIDAR系統(tǒng)中，可使其看得更遠(yuǎn)，獲取圖像的速度更快、更清晰”，龔瑞驕說道。

Source：化合物半導(dǎo)體市場Bnpesmc

封面圖片來源：拍信Bnpesmc

Bnpesmc

責(zé)編：Quentin

文章來源及版權(quán)屬于TrendForce集邦，國際電子商情僅作轉(zhuǎn)載分享，對文中陳述、觀點(diǎn)判斷保持中立，不對所包含內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保證。如有疑問，請聯(lián)系Elaine.lin@aspencore.com

閱讀全文，請先

TrendForce集邦

TrendForce集邦咨詢是一家全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)。研究領(lǐng)域橫跨存儲器、半導(dǎo)體、晶圓代工、顯示面板、光電、新能源等產(chǎn)業(yè)，同時(shí)在汽車科技、5G通訊、IoT、人工智能、AR/VR等前瞻科技產(chǎn)業(yè)也累積豐厚的研究能量。

進(jìn)入專欄

微信掃一掃，一鍵轉(zhuǎn)發(fā)
關(guān)注“國際電子商情” 微信公眾號

SiC/GaN功率市場 ，來幾年 ？

雜志聲明

SiC/GaN功率市場，來幾年？