據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，隨著電動車滲透率不斷升高，以及整車架構朝800V高壓方向邁進，預估2025年全球電動車市場對6英寸SiC晶圓需求可達169萬片。QZOesmc
800V電氣架構的革新將促使耐高壓SiC功率器件全面替代Si IGBT，進而成為主驅(qū)逆變器標配，因此SiC深受車企追捧。Tier1廠商Delphi已率先實現(xiàn)800V SiC逆變器量產(chǎn)，BorgWarner、ZF、Vitesco相繼跟進。QZOesmc
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目前來看，電動車已成為SiC核心應用場景，其中OBC（車載充電器）和DC-DC轉(zhuǎn)換器組件對于SiC器件的應用已經(jīng)相對成熟，而基于SiC的主驅(qū)逆變器仍未進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。對此， STM、Infineon、Wolfspeed、Rohm等功率器件商已與Tier1及車企展開深入合作，以推進SiC上車進程。QZOesmc
其中，上游SiC襯底材料環(huán)節(jié)將成為產(chǎn)能關鍵制約點，其制程復雜、技術門檻高、晶體生長緩慢。現(xiàn)階段用于功率器件的N型SiC襯底仍以6英寸為主，盡管Wolfspeed等國際IDM大廠8英寸進展超乎預期，但由于良率提升及功率晶圓廠由6英寸轉(zhuǎn)8英寸需要一定的時間周期，因此，至少未來5年內(nèi)6英寸SiC襯底都仍為主流。而隨著電動車市場的爆發(fā)，SiC逐漸大規(guī)模上車應用，其成本也將直接決定汽車800V高壓架構升級進度。QZOesmc
責編：Momoz
