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臺積電 、三星決戰(zhàn)!3nm制程

最近市場傳言,芯片設(shè)計(jì)公司AMD將成為三星代工廠的第一個(gè)3nm客戶。中國臺灣DigiTimes的消息人士認(rèn)為,由于臺積電與蘋果的密切關(guān)系使得AMD考慮選擇三星進(jìn)行3nm訂單,并且同AMD一樣,高通也對

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最近市場傳言,芯片設(shè)計(jì)公司AMD將成為三星代工廠的第一個(gè)3nm客戶。中國臺灣DigiTimes的消息人士認(rèn)為,由于臺積電與蘋果的密切關(guān)系使得AMD考慮選擇三星進(jìn)行3nm訂單,并且同AMD一樣,高通也對三星的3nm制程感興趣。Xetesmc

3nm工藝對抗賽逐漸形成

蘋果與臺積電和合作已經(jīng)長達(dá)十年,截止目前蘋果仍然是臺積電最大的客戶,占臺積電2020年480.8億美元總營收的四分之一。據(jù)臺積電的一份客戶訂單數(shù)據(jù)顯示,2020年蘋果獲得了臺積電產(chǎn)能的24.2%,2021年這一數(shù)字已達(dá)到25.4%。Xetesmc

在蘋果最新發(fā)布的芯片線路圖中,蘋果預(yù)期在2023年發(fā)布基于3nm的第三代M系列芯片,并且依舊選擇了臺積電代工3nm制程。Xetesmc

臺積電與蘋果早已形成穩(wěn)定的合作關(guān)系,而在考慮產(chǎn)能問題的AMD、高通極有可能與三星合作。Xetesmc

此前,由于臺積電在7nm及5nm工藝上占據(jù)優(yōu)勢,臺積電的客戶數(shù)量及訂單都遠(yuǎn)高于三星,蘋果、高通、AMD都是其客戶。憑借著優(yōu)良的5nm工藝,臺積電可以說是橫掃天下。Xetesmc

但因?yàn)樵?nm、5nm上競爭不足,三星選擇另辟蹊徑,將重點(diǎn)押注在3nm節(jié)點(diǎn)上。不僅在3nm上選擇了GAA晶體管技術(shù),合作伙伴上也取得了突破。在前兩天的的三星先進(jìn)代工系統(tǒng)論壇會上,三星官方宣布已有12家合作伙伴深入合作。當(dāng)傳出高通與AMD有意合作的消息后,更像是在三星3nm的布局上添上的一把火。Xetesmc

如今3nm工藝對抗賽逐漸形成,3nm之戰(zhàn)一觸即發(fā)。Xetesmc

3nm的決戰(zhàn)

在半導(dǎo)體制程的進(jìn)程中,3nm工藝是繼5nm 技術(shù)之后的下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。晶圓制造三巨頭中臺積電、三星、都宣布了其3nm的研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃,而英特爾則更改了節(jié)點(diǎn)的度量方式,采用PPA的方式進(jìn)行制程節(jié)點(diǎn)劃分。需要注意的是,研究報(bào)告曾指出,英特爾的Intel 3(此前稱5nm制程)的晶體管密度達(dá)到了三星2nm的1.76倍。量產(chǎn)時(shí)間節(jié)點(diǎn)與晶體管密度指標(biāo)的比拼,使得3nm制程的對抗賽越發(fā)有看頭。Xetesmc

3nm制程節(jié)點(diǎn)正在上演“三英戰(zhàn)呂布”的戲碼,明年上半年將要量產(chǎn)的三星3nm、明年下半年將要量產(chǎn)的臺積電3nm、2023年下半年才會亮相的Intel 3,誰才能優(yōu)先取得優(yōu)勢?Xetesmc

臺積電Xetesmc

從時(shí)間節(jié)點(diǎn)來看,臺積電的3nm制程布局時(shí)間要早于三星。在2016年,臺積電就計(jì)劃建設(shè)一個(gè)5nm至3nm節(jié)點(diǎn)的晶圓制造廠;在2017年,臺積電宣布在中國臺灣臺南科學(xué)園開始建設(shè)3納米半導(dǎo)體制造廠。Xetesmc

去年8月,臺積電發(fā)布了其N3 3nm工藝的細(xì)節(jié)。此節(jié)點(diǎn)可提供比N5更完整的擴(kuò)展能力,性能提升10-15%,功耗降低25-30%,密度提高70%。臺積電計(jì)劃在2021年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。Xetesmc

而工藝的選擇上,臺積電的3nm芯片選擇了增強(qiáng)的Fin FET(鰭式場效應(yīng)晶體管)技術(shù),SRAM密度增加20%,模擬密度增加10%。Xetesmc

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今年4月,針對三星的2030藍(lán)圖計(jì)劃,臺積電也明確放話,今年資本支出維持原定的150億~160億美元,并全力沖刺延用鰭式場效電晶體(Fin FET)技術(shù)的5nm、3nm制程,預(yù)計(jì)2022年下半年量產(chǎn)。Xetesmc

三星Xetesmc

自2017年,三星正式宣布調(diào)整公司業(yè)務(wù)部門,將晶圓代工業(yè)務(wù)部門從系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)部門獨(dú)立出來,成立三星電子晶圓代工廠,負(fù)責(zé)為全球客戶制造邏輯芯片時(shí),三星在晶圓代工上的賽道上算是正式參賽。Xetesmc

想在3nm上扳回一局的三星,不但在時(shí)間上拔得頭籌,提前臺積電半年量產(chǎn);還采用了全新的GAAFET技術(shù)(全環(huán)繞柵極晶體管工藝)。Xetesmc

因?yàn)镚AA技術(shù)重新設(shè)計(jì)晶體管底層結(jié)構(gòu),克服了當(dāng)前技術(shù)的物理、性能極限,增強(qiáng)柵極控制,使得性能大大提升。Xetesmc

在該技術(shù)方向下,主要有納米線、板片狀結(jié)構(gòu)多路橋接鰭片、六角形截面納米線和納米環(huán)技術(shù)四大主流方向,三星采用的是MBCFET(Multi-Bridge Channel FET),即板片狀結(jié)構(gòu)多路橋接鰭片。Xetesmc

在IEEE國際固態(tài)電路會議上,三星工程師展示了其MBCFET結(jié)構(gòu)的靈活性。如何以極低的電壓實(shí)現(xiàn)片上存儲單元的寫入操作,其電壓可以降低數(shù)百毫伏,從而有可能大大降低未來芯片的功耗。Xetesmc

與5nm工藝相比,采用MBCFET晶體管結(jié)構(gòu),其面積減少了35%,性能提高了30%且功耗降低了50%。三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi稱,隨著工藝成熟度的提高,三星電子3nm工藝良率正在接近目前量產(chǎn)的4nm工藝水平。Xetesmc

在三星的最新計(jì)劃中,將在韓國擴(kuò)建紫外光(EUV)光刻技術(shù)生產(chǎn)線,該技術(shù)使用波長13.5nm的極紫外光,能夠制造出更精細(xì)、更清晰的電路,從而讓芯片搭載更多元件,大幅度提升運(yùn)算能力與效率。Xetesmc

英特爾Xetesmc

在3nm制程的布局上,英特爾同樣布局。英特爾為其制程節(jié)點(diǎn)引入了全新的命名體系,市面上來說,Intel 3相當(dāng)于其他廠商的3nm制程。Xetesmc

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關(guān)于Intel 3的消息,目前不算太多。根據(jù)英特爾的制程路線圖來看,Intel 3會在Intel 4之后亮相。不久前,英特爾剛公開了Intel 4的進(jìn)程,表示將會第一次引入EUV光刻機(jī),明年下半年投產(chǎn),2023年產(chǎn)品上市。其官方網(wǎng)站還公開了48秒的視頻,表明該加工工藝生產(chǎn)的晶圓檢測過程,并且得出了最終的結(jié)論。根據(jù)全部檢測,內(nèi)部的SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合要求,處理芯片很“健康”。Xetesmc

在“英特爾加速創(chuàng)新”線上發(fā)布會上,英特爾計(jì)劃Intel 3 將在2023年下半年亮相,預(yù)計(jì)是Intel 4即7nm工藝的升級技術(shù),同樣使用Fin FET晶體管,每瓦性能將提升約18%。但沒有具體的發(fā)布時(shí)間或產(chǎn)品名稱,推測將于2024年上市。Xetesmc

對于GAA技術(shù)的布局,英特爾則會在20A(Intel 20A 中的 A 代表單位“埃格斯特朗”Ångström,簡稱埃,符號Å,是一種小于納米的測量單位。1A = 0.1nm)工藝上使用,并且將兼?zhèn)銻ibbonFET和PowerVia兩大突破性技術(shù)。Xetesmc

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其實(shí),就摩爾定律關(guān)注的晶體管密度指標(biāo)來看,在同一制程工藝節(jié)點(diǎn)上,英特爾的優(yōu)勢巨大。在Digitimes發(fā)布的一份研究報(bào)告,分析了臺積電、三星、Intel在相同命名的半導(dǎo)體制程工藝節(jié)點(diǎn)上的晶體管密度問題。報(bào)告中,在3nm的節(jié)點(diǎn)上,臺積電的晶體管密度大約是2.9億個(gè)/mm2,三星只有1.7億個(gè)/mm2,英特爾將達(dá)到5.2億個(gè)/mm2。英特爾的晶體管密度比臺積電高出了超過79%,達(dá)到了三星2倍以上。Xetesmc

3nm工藝進(jìn)程受阻

不久前,The Information報(bào)導(dǎo),臺積電3納米制程陷入瓶頸,可能會導(dǎo)致iPhone處理器連續(xù)三年(包括明年)都卡在同一制程,為蘋果史上首見。對此,臺積電則重申,3納米制程按計(jì)劃進(jìn)行,不評論客戶或市場傳聞。Xetesmc

但這不是外界第一次傳聞臺積電3nm制程延期。在今年9月初,臺積電曾正式確認(rèn),3nm工藝的量產(chǎn)會延遲3到4個(gè)月。Xetesmc

值得注意的是,雖然在今年上半年三星宣布其3nmGAA工藝已經(jīng)成功流片,但是在三星代工論壇活動上,三星表示轉(zhuǎn)移到全新的GAA技術(shù)難度很高。相對于曾經(jīng)計(jì)劃在2021年下半年量產(chǎn)芯片,三星將3nm制程延期到2022年。最近,也有路透社消息稱三星電子的3nmGAA工藝目前仍面臨著漏電等關(guān)鍵技術(shù)問題。Xetesmc

雖然對于外界的傳聞,三星與臺積電都不置可否。但從紛紛流言中可以看出,3nm工藝的落地并不是一件簡單的事。Xetesmc

3nm工藝究竟難在什么地方?

實(shí)際上,每次遵從摩爾定律的提升,都需要一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。Xetesmc

這十年間,比較著名的關(guān)鍵技術(shù)就是HKMG和Fin FET了,HKMG是Intel在45nm節(jié)點(diǎn)引入的,可以用于改善傳統(tǒng)二氧化硅絕緣層的漏電,隨后Intel在22nm引入了Fin FET來加強(qiáng)柵極的控制能力。但隨著芯片制程越來越小,到了3nm的節(jié)點(diǎn),不同廠商對于使用何種工藝有不同的判斷。Xetesmc

隨著工藝的進(jìn)展,在5nm之后,F(xiàn)in FET會遇到很多問題。其不斷拉高的深度和寬度之比(為了避免短溝道效應(yīng),鰭片的寬度應(yīng)該小于柵極長度的0.7倍),將使得鰭片難以在本身材料內(nèi)部應(yīng)力的作用下維持直立形態(tài),尤其是在能量更高的EUV制程導(dǎo)入之后,這樣的狀況會更為嚴(yán)重,甚至光子在如此小的尺度下將呈現(xiàn)量子效應(yīng)從而帶來大量的曝光噪音,嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。另外,柵極距過小將帶來不可控的情況。Xetesmc

但這并不代表著5nm后,不會出現(xiàn)采用Fin FET工藝的3nm芯片。Xetesmc

在綜合性能、成本等因素后,臺積電選擇在3nm上采用Fin FET工藝。在技術(shù)大會上,臺積電還表示,已經(jīng)對Fin FET技術(shù)進(jìn)行了重大更新,通過其工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)的另一次迭代實(shí)現(xiàn)性能和漏電擴(kuò)展,有自信能在3nm節(jié)點(diǎn)以Fin FET來獲得水準(zhǔn)之上的良率。Xetesmc

就目前而言,F(xiàn)in FET工藝還有大約3倍密度的生命力空間,也就是在密度300MTr附近Fin FET依舊是可用的,臺積電最后的Fin FET工藝N3在保持Fin FET的情況下做到了250MTr/mm2的密度,到達(dá)Fin FET的極限。在2nm工藝節(jié)點(diǎn),臺積電將轉(zhuǎn)為GAA工藝。Xetesmc

三星則認(rèn)為Fin FET在5nm和4nm工藝節(jié)點(diǎn)上都依舊有效,而在3nm時(shí)代三星開始使用新的GAA技術(shù)。希望在這個(gè)節(jié)點(diǎn)上超越臺積電。在密度上,基于GAA大約可以實(shí)現(xiàn)密度的再次范圍,到達(dá)600MTr的密度(累計(jì)6倍)。并且三星使用的MBCFET技術(shù),與目前采用納米線來構(gòu)造晶體管技術(shù)不同。三星MBCFET使用納米片構(gòu)造晶體管,以增加與閘極的接觸面積,進(jìn)而讓裝置整合更簡單,同時(shí)增加電流。Xetesmc

寫在最后

無論選擇那種工藝,3nm制程必然都是困難的。3nm的對抗賽還在繼續(xù),不到市場正式出現(xiàn)3nm制程芯片,一切都只是暗潮洶涌。Xetesmc

如果三星靠3nm扳回一局,那么全球的芯片將再次迎來新變局,臺積電的選擇是否能守住代工一哥的擂臺,英特爾能借著Intel 3重回巔峰嗎?Xetesmc

3nm的決戰(zhàn)已經(jīng)正式開始。Xetesmc

責(zé)編:Quentin
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