近日，蘇州市科學(xué)技術(shù)局公示2021年度蘇州市重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新擬立項(xiàng)項(xiàng)目，公示期為2021年11月1日至11月7日，為期7天。noUesmc
據(jù)了解，蘇州科學(xué)技術(shù)局此次共公示177個(gè)項(xiàng)目，包括前瞻性應(yīng)用基礎(chǔ)研究擬立項(xiàng)項(xiàng)目及關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)擬立項(xiàng)項(xiàng)目?jī)纱箢?，其中有不少關(guān)于半導(dǎo)體領(lǐng)域的項(xiàng)目。noUesmc
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在前瞻性應(yīng)用基礎(chǔ)研究擬立項(xiàng)項(xiàng)目名單中，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的項(xiàng)目包括用于MOCVD外延的氮化鋁陶瓷復(fù)合襯底制備工藝的研發(fā)、基于第三代半導(dǎo)體材料的芯片封裝集成散熱技術(shù)研發(fā)、高可靠性高功率硅基氮化鎵MIS-HEMTs功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。noUesmc
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而在關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)擬立項(xiàng)項(xiàng)目公示名單中，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的包括新型顯示Micro-LED外延與芯片關(guān)鍵核心技術(shù)研究、第三代超級(jí)結(jié)功率器件研發(fā)、高精度高可靠動(dòng)力電池功率管理系統(tǒng)（BMS）模擬芯片研發(fā)、半絕緣氮化鎵單晶襯底產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用、M12（210mm尺寸）單晶大硅片研究與開發(fā)、第三代半導(dǎo)體晶圓高端制程膠帶的研發(fā)、面向12英寸晶圓制造的半導(dǎo)體級(jí)超凈高純異丙醇的研發(fā)、應(yīng)用于5G移動(dòng)通信等射頻器件的碳化硅襯底氮化鎵外延材料的研發(fā)項(xiàng)目等。noUesmc
責(zé)編：Clover.li
