DRAM：交易情況較為清淡
適逢月底，各家品牌顆粒陸續(xù)到貨，加上部分品牌官價(jià)再度調(diào)降，使得現(xiàn)貨市場報(bào)價(jià)明顯下修，雖有工廠釋出特定料號(hào)詢單，但探價(jià)意味偏高，在高庫存制約下，仍以消化自身庫存為主，實(shí)際買盤有限，最終交易情況較為清淡。MLcesmc
DDR4 1Gx8 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC一般報(bào)價(jià)落在USD3.40~3.45，CJR-XNC報(bào)價(jià)為USD3.40~3.45，CJR-VKC價(jià)格持續(xù)下滑至USD3.3x~3.45；Samsung WC-BCTD價(jià)格向下修正明顯，已來到USD3.25~3.3x左右。MLcesmc
DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC報(bào)價(jià)在USD2.60上下。MLcesmc
DDR4 512x16 2666部分，SK Hynix CJR-VKC現(xiàn)貨報(bào)價(jià)下跌至USD3.8x左右；Samsung WC-BCTD價(jià)格同樣出現(xiàn)明顯修正，來到USD3.4x~3.50。MLcesmc
DDR4 256x16部分，Samsung DWE-BCRC報(bào)價(jià)下跌至USD2.26左右，而WF-BCTD報(bào)價(jià)也同樣明顯下跌，來到USD2.24附近。MLcesmc
模組現(xiàn)貨價(jià)格參考：MLcesmc
KST DDR4 4G 2666 $16.45MLcesmc
KST DDR4 8G 2666 $26.35MLcesmc
KST DDR4 16G 2666 $52.50MLcesmc
KST DDR4 32G 2666 $105.00MLcesmc
KST DDR4 4G 3200 $16.95MLcesmc
KST DDR4 8G 3200 $27.35MLcesmc
KST DDR4 16G 3200 $53.50MLcesmc
KST DDR4 32G 3200 $107.00MLcesmc
NAND Flash：盤勢維持狹幅振蕩
適逢月底，NAND Flash依舊是買方市場，購貨意愿仍是低迷，有些許零星買單皆針對于Kioxia及Micron MLC高容量相對低價(jià)部位，供應(yīng)端主動(dòng)釋出些許報(bào)價(jià)迎合，但受限于成本較高，導(dǎo)致所釋出之現(xiàn)貨顆粒報(bào)價(jià)偏高，買方目標(biāo)價(jià)格跟進(jìn)有限，態(tài)度轉(zhuǎn)為觀望保守，零星買氣無法拉抬整體需求，低容量及其他品牌顆粒賣壓并未獲得舒解，整體盤勢維持狹幅振蕩。MLcesmc
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其中，Samsung SLC顆粒大致維持平穩(wěn)，但因其余品牌顆粒報(bào)價(jià)持續(xù)修正，供應(yīng)端亦適度釋出些許議價(jià)空間，但雙方交集有限，最終未見明顯成交。MLcesmc
SK Hynix SLC價(jià)格略顯疲軟，工廠端仍尋求低價(jià)，以零星詢單進(jìn)行議價(jià)，供應(yīng)端雖調(diào)降報(bào)價(jià)，仍無法滿足買方目標(biāo)價(jià)格。MLcesmc
Micron SLC顆粒報(bào)價(jià)跌幅趨緩，但需求動(dòng)能仍不積極。MLcesmc
Kioxia SLC顆粒陸續(xù)到貨，價(jià)格波動(dòng)較為明顯，低價(jià)部位買方承接力道有限，盤勢疲軟。MLcesmc
TF卡：市場價(jià)格下滑
本周TF卡表現(xiàn)相對冷清，市場需求動(dòng)能疲弱，買家問價(jià)動(dòng)作不積極，多數(shù)購貨意愿偏低，態(tài)度依然保守，市場價(jià)格呈現(xiàn)下滑趨勢，買價(jià)普遍偏低，整體成交量有所縮減。MLcesmc
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責(zé)編：Momoz
