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日媒:臺(tái)積電來日建廠可能面臨“內(nèi)需不足”

日本內(nèi)閣經(jīng)濟(jì)安全大臣岸田在上任首日記者招待會(huì)上強(qiáng)調(diào),"我們將努力確保關(guān)鍵技術(shù)和物資的安全,防止技術(shù)外流"。

全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電14日宣布在日本建新工廠,這樣的時(shí)機(jī)恰到好處。日本索尼集團(tuán)和電裝將參與其中。日本政府將資助4000億至5000億日元,約占總投資總額的一半。然而,這是否真的與日本半導(dǎo)體的復(fù)興有關(guān)呢?MtTesmc

經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省從19年起吸引臺(tái)積電 

臺(tái)積電進(jìn)軍日本是由臺(tái)積電CEO魏哲家在14日公布第三季度財(cái)報(bào)時(shí)宣布的。在當(dāng)晚的新聞發(fā)布會(huì)上,岸田首相介紹“臺(tái)積電將進(jìn)行總額達(dá)1萬億日元的大規(guī)模私人投資”,并表示“日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的必要性和自主性將提高,這將極大地促進(jìn)經(jīng)濟(jì)安全。” 他表示將把對(duì)臺(tái)積電的支持納入2021年追加預(yù)算,并在眾議院選舉后組織。MtTesmc

而且,隨著眾議院的解散,"臺(tái)灣半導(dǎo)體巨頭在日本的新工廠"的消息被大量報(bào)道,永田町一進(jìn)入選舉模式,岸田政府就獲得了支持。 MtTesmc

眾所周知,經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正在敦促臺(tái)積電進(jìn)入日本。兩年前,我們開始嘗試這種方法。最初,它的目標(biāo)是吸引5納米的尖端半導(dǎo)體生產(chǎn)線,用于智能手機(jī)和PC,但去年5月,它決定在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城建造。雖然臺(tái)積電在日本的擴(kuò)張計(jì)劃一度回到白紙上,但經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省并沒有放棄,而是吸引了28-22納米線。MtTesmc

臺(tái)積電的新工廠建在位于熊本縣索尼半導(dǎo)體廠的相鄰地點(diǎn),主要用于PC、控制器和汽車部件等的邏輯半導(dǎo)體。新工廠明年將建成,計(jì)劃于2024年開始運(yùn)營(yíng)。MtTesmc

重回半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)地位樂觀嗎? 

然而,經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省內(nèi)部有人表示"這將是恢復(fù)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)權(quán)的第一步"的聲音可能過于樂觀。雖然28-22納米不是"尖端",但在目前日本是一個(gè)前所未有的先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域。日本領(lǐng)先的瑞薩電子也委托臺(tái)積電生產(chǎn)28納米以下的產(chǎn)品。新工廠生產(chǎn)的20納米邏輯半導(dǎo)體,除了索尼的CMOS圖像傳感器外,還為電裝公司開發(fā)汽車半導(dǎo)體。MtTesmc

然而,新工廠的生產(chǎn)能力似乎規(guī)模太大,不能滿足這些需求。MtTesmc

計(jì)劃開始三年后,如果國(guó)內(nèi)找不到新的大用戶,索尼和電裝將轉(zhuǎn)向出口。就這樣,人們開始質(zhì)疑4000億至5000億日元的巨額援助意味著什么。除了通過建造新工廠創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會(huì)外,預(yù)計(jì)還需要投入制造半導(dǎo)體所需的機(jī)床和化學(xué)品,但問題是,外國(guó)公司的出口產(chǎn)品是否需要政府支持。MtTesmc

美光科技有限公司20日宣布,未來10年將投資超過1500億美元(約合17萬億日元),以擴(kuò)大全球半導(dǎo)體生產(chǎn)。有報(bào)道稱,計(jì)劃投資 8000 億日元,在廣島工廠(廣島縣東廣島市)的場(chǎng)地內(nèi)新建 DRAM 工廠,臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。如果一個(gè)據(jù)說能創(chuàng)造2000到3000個(gè)工作崗位的新工廠建成,日本政府是否也準(zhǔn)備為這個(gè)項(xiàng)目提供大量支持?MtTesmc

難忘過去成功經(jīng)驗(yàn) 

企業(yè)沒有按照政府的期望行事。由于其前身通產(chǎn)省20多年來半導(dǎo)體政策的失敗,經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省應(yīng)該理解這句話。MtTesmc

縱觀歷史,日本半導(dǎo)體政策的一個(gè)成功例子是1976-1980年成立的“VLSI技術(shù)研究協(xié)會(huì)”。公共和私營(yíng)部門共同投資700億日元,行業(yè)公司派遣工程師進(jìn)行聯(lián)合研究。最后,我們成功在早期建立了在 80 年代后半期投入實(shí)際使用的 1 兆位 DRAM 的基礎(chǔ)技術(shù)。MtTesmc

然而,隨后的半導(dǎo)體政策接連失敗。進(jìn)入90年代,雖然半導(dǎo)體用戶的產(chǎn)品縮小了規(guī)模,個(gè)人電腦成為主角,但國(guó)內(nèi)制造商對(duì)過去的成功經(jīng)驗(yàn)感到迷醉,卻被一波又一波的轉(zhuǎn)型拖得體無完膚。MtTesmc

此外,隨著數(shù)字消費(fèi)類電子產(chǎn)品的興起,系統(tǒng)LSI成為其核心戰(zhàn)場(chǎng),世界半導(dǎo)體行業(yè)將轉(zhuǎn)向設(shè)計(jì)和制造分離。臺(tái)積電作為SoC最先進(jìn)的工廠,在轉(zhuǎn)型的間隙發(fā)展迅速。MtTesmc

與此同時(shí),日立、三菱電機(jī)和NEC等日本半導(dǎo)體制造商正在分離其業(yè)務(wù),以進(jìn)行重組。從 1999 年推出整合日立和 NEC DRAM 業(yè)務(wù)的爾必達(dá)內(nèi)存開始,日立和三菱電機(jī)于 2003 年成立了瑞薩科技,整合了系統(tǒng) LSI 業(yè)務(wù)。2010年,從NEC分拆出來的NEC電子加入公司,成為現(xiàn)在的瑞薩電子。東芝一直堅(jiān)持這一舉措,但自15年結(jié)算問題爆出以來,財(cái)務(wù)狀況迅速惡化,東芝于19年被迫將專門從事NAND閃存的凱俠控股公司分拆。MtTesmc

一系列的整合和分拆旨在將利潤(rùn)惡化的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)與主體分離,因此沒有技術(shù)戰(zhàn)略。合并后成立的公司是緊密聯(lián)系的,組織內(nèi)部溝通不融洽,業(yè)績(jī)持續(xù)低迷。爾必達(dá)于12年申請(qǐng)申請(qǐng)使用《公司改造法》,但失敗了。13年,以美國(guó)美光公司為贊助商的重組計(jì)劃獲得批準(zhǔn),公司名稱改為"美光日本",總部遷至廣島工廠。MtTesmc

下一代半導(dǎo)體概念還沒落地 

日本在全球半導(dǎo)體出貨量中所占的份額從1988年的52%下降到10年后 98年的26%,最近一直徘徊于10%左右。經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省在此期間也沒有看到日本制造商的下沉。與業(yè)界合作,日本再次實(shí)現(xiàn)了超級(jí)LSI技術(shù)研究聯(lián)盟的夢(mèng)想,并自2000年代初開始實(shí)施一系列項(xiàng)目,為下一代半導(dǎo)體開發(fā)做準(zhǔn)備。MtTesmc

2001年,兩個(gè)項(xiàng)目啟動(dòng):朝日,從事電路線寬90-65納米一代LSI設(shè)計(jì)和制造技術(shù);MIRAI,負(fù)責(zé)65-45納米一代的工藝技術(shù)。此外,HALKA 項(xiàng)目繼續(xù)實(shí)施,旨在建立新的制造系統(tǒng),以應(yīng)對(duì)多品種小批量生產(chǎn)。此外,11家日本領(lǐng)先的LSI制造商于2002年共同出資成立了"先進(jìn)SoC基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)(簡(jiǎn)稱ASPLA)",旨在打造90納米一代的原型生產(chǎn)線。MtTesmc

如果我們將ASPLA原型生產(chǎn)線上建立的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)移植到日本制造商的大規(guī)模生產(chǎn)線上,我們本可以與臺(tái)積電正面競(jìng)爭(zhēng)。然而,由于參與下一代項(xiàng)目所需的工程師人數(shù)過多,現(xiàn)場(chǎng)一片混亂。此外,雖然每個(gè)制造商的團(tuán)隊(duì)都參與經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的項(xiàng)目,但公司在大規(guī)模生產(chǎn)生產(chǎn)線上仍然堅(jiān)持自己開發(fā)的制造工藝。MtTesmc

最終,這兩個(gè)概念都沒有落地,后果就是日本目前的半導(dǎo)體份額。這個(gè)項(xiàng)目有數(shù)百億日元的資助,但我不知道經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省做了什么。MtTesmc

回顧過去的半導(dǎo)體政策 

半導(dǎo)體短缺現(xiàn)在是一個(gè)普遍的問題,美國(guó)參議院在6月通過了一項(xiàng)法案,為半導(dǎo)體的生產(chǎn)和開發(fā)提供520億美元(約6萬億日元)的補(bǔ)貼。臺(tái)積電決定在美國(guó)新建5納米以下的尖端工廠,包括GAFAM(谷歌、蘋果、Facebook、亞馬遜、微軟)以及補(bǔ)貼,這是因?yàn)橛写罅康漠a(chǎn)品消費(fèi)者。MtTesmc

日本不僅擁有最先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造技術(shù),而且用戶也沒有5納米以下的大需求者,即使"上一代"的20納米,用戶數(shù)量也不盡相同。MtTesmc

除非我們復(fù)盤過去的政策,解釋日本工業(yè)的現(xiàn)狀,并在此基礎(chǔ)上進(jìn)行反思,否則很難就涉及巨額支出的新政策達(dá)成公眾共識(shí),而不是打著"重歸"的旗號(hào)。MtTesmc

*本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫編譯自日本經(jīng)濟(jì)新聞MtTesmc

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責(zé)編:Momoz
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