根據TrendForce集邦咨詢研究指出，在GaN功率晶體管價格不斷下降（目前已逼近約1美元），以及技術方案愈趨成熟的態(tài)勢下，預估至2025年GaN在整體快充領域的市場滲透率將達到52%。nSIesmc
TrendForce集邦咨詢進一步表示，從目前快充市場功率規(guī)格來看，2020年GaN快充市場以55W~65W為主流功率段，約占GaN元件銷售市占率72%，其中又以65W為主流。而百瓦級大功率產品，2020年市占率僅約8%，但市場前景備受期待，越來越多廠商陸續(xù)推出大功率快充產品，以應對消費者日益增加的用電需求，目前最高功率已達140W。nSIesmc
其中，在百瓦級大功率快充產品領域內，GaN技術市場滲透率已高達62%，主要由納微半導體（Navitas）與英諾賽科（Innoscience）供應，其中納微半導體銷售市占率超7成，已成功應用于倍思、聯想、閃極等廠商旗下產品。另外，為了增加使用效率及縮減體積，PFC+LLC拓撲結構已成為百瓦級大功率快充主流方案，由SiC二極管搭配GaN開關管，以提高PFC級（功率因數修正電路；Power Factor Correction）開關頻率，進而使得GaN+SiC寬禁帶半導體組合方案迅速被各大廠商采納。nSIesmc
對此，倍思于2020年推出全球首款120W GaN（納微半導體供應）+SiC（APS供應）快充產品，取得市場巨大反饋，泰科天潤、美浦森、安森美等SiC元件廠也陸續(xù)達成在Power Delivery快充領域的大量出貨。值得注意的是，汽車市場的快充輸出界面逐漸成為標配，在大功率車充市場正逐漸興起的趨勢下，未來數位產品能耗與電池容量限制將再推升第三代半導體GaN與SiC的大規(guī)模應用。nSIesmc
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責編：Momoz
